生产型GaN MOCVD(6片机)设备中的压力控制技术

反应室压力控制稳定是保证工艺重复性和陡峭界面生长的关键之一。分析了影响压力控制精度的主要因素,介绍了采用软件、硬件结合的方法,通过闭环压力控制、差压控制、高精度流量控制和补偿气路设计等技术手段,实现高精度压力稳定性和无扰动气体切换,首次在国产生产型GaN-MOCVD(6片机)设备上生长出高质量的多量子阱蓝光LED外延材料。     

基于工业以太网的MOCVD反应腔压力控制

介绍了一种新型MOCVD反应腔压力控制系统,采用MKS最新蝶阀T3BI,其内部集成了压力控制器,并且带有压力传感器接口。反应腔内目标压力由主控PC通过工业以太网ProfiNet发送到蝶阀,接下来压力控制子系统即可完成整个压力控制过程。     

MOCVD系统中AlN生长速率的研究

文章研究了MOCVD系统中影响AlN生长速率的机制。我们通过在位监控曲线控制生长过程,改变了不同的生长条件,得到了AlN生长速率与生长温度、反应室压力、NH3 流量、TMAl流量等生长参数的关系。实验发现,AlN生长速率与生长温度、反应室压力、NH3 流量等参数之间表现出反常的依赖关系。我们认为,MOCVD系统中存在Al原子的寄生反应,导致了反常现象的发生。AlN生长速率与TMAl流量的关系进一步证明了这一点。实验结果表明,较低的生长温度、较小的反应室压力能够有效地提高AlN生长速率,同时也将有利于提高Al2GaN材料中的Al组分。     

压力集中区巷道底鼓的控制技术

本文针对新峪矿6110工作面材料顺槽进入煤柱下方压力集中区,通过采取在底板打锚杆的方法,有效的控制了底鼓,并取得了良好的经济效益和社会效益。     

水平式MOCVD系统生长速率均匀性的研究

本文讨论了影响生长速率的因素,如主载气流量、金属有机源流量(在一定蒸汽压下),衬底放置位置,及掺杂和非掺杂情况等.对实验结果进行了讨论,并与其它文献进行了比较.着重阐述了改善侧向均匀性问题.     

LP—MOCVD生长InGaAlP系统中源气流的动力学研究

分析了ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长ＩｎＧａＡｌＰ外延层时，气路系统中ＩＩＩＡ族源气的输运和扩散过程，从理论止推导出源气流量的计算公式，讨论了生长控制参数、气路管道几何尺寸和源气性质等对注入反应室的源气流量的影响，为精确控制气相中ＩＩＩＡ族源物质的百分含量提供了理论依据。     

低压MOCVD法制备TiO2薄膜的研究

以四异丙醇钛为原料,氧气作反应气体,高纯氮气作载气,采用低压ＭＯＣＶＤ法在单晶Ｓｉ基片上制备出了ＴｉＯ２薄膜,研究了基片温度和氧气流量对ＴｉＯ２薄膜沉积速率的影响,以及基片温度和退火温度对ＴｉＯ２薄膜的结构的影响。采用Ｘ射线衍射和喇曼光谱对ＴｉＯ２薄膜的结构进行分析,实验表明：基片温度在１１０℃～２５０℃时制备的ＴｉＯ２薄膜是非晶态的,在３５０℃～５００℃时制备的ＴｉＯ２薄膜为锐钛矿和非晶态混杂结     

MOCVD生长CdTe薄层的缺陷研究

用光激电流瞬态谱(PICTS)和光致发光光谱(PL)对在半绝缘GaAs衬底上MOCVD生长的CdTe薄层的缺陷进行了研究。发现CdTe薄层中存在热激活能约为0.12eV和0.27eV的二个能级。对照光致发光光谱的实验结果及有关体单晶CdTe的缺陷报道,初步分析认为第一个能级是受主能级,它由CdTe薄层中的剩余杂质所引起,而另一个能级则可能与材料的晶格缺陷有关。     

压差式FBG传感器静态压力特性实验研究

在分析压差式FBG(光纤布拉格光栅)传感原理的基础上,采用液压校验仪和Q8384光谱仪对其静态压力传感特性进行了实验研究,并对实验结果进行了误差分析。实验结果表明,在0～0.35MPa的压力范围内,FBG的灵敏系数为3pm/kPa,布拉格波长随着压差的变化呈现出良好的线性关系和重复性,且迟滞现象较小,可以用于液压系统的流量测量。     

用于GaN生长的生产型MOCVD设备控制系统设计

MOCVD法外延生长GaN基材料作为新世纪的核心技术之一受到全世界的高度重视。MOCVD技术涉及面广,控制对象复杂,且对控制对象的精度、重复性、可靠性要求较高。主要介绍了用于GaN基材料生长的生产型MOCVD(2″×6)设备控制系统的组成与特点。设备运行一年来的结果表明,该系统可靠性高、抗干扰性好、运行效果良好。     

低压MOCVD法制备TiO_2薄膜的研究

以四异丙醇钛为原料 ,氧气作反应气体 ,高纯氮气作载气 ,采用低压MOCVD法在单晶Si基片上制备出了TiO2 薄膜。研究了基片温度和氧气流量对TiO2 薄膜沉积速率的影响 ,以及基片温度和退火温度对TiO2 薄膜的结构的影响。采用X射线衍射和喇曼光谱对TiO2 薄膜的结构进行分析。实验表明 :基片温度在1 1 0℃～ 2 5 0℃时制备的TiO2 薄膜是非晶态的 ,在 35 0℃～ 5 0 0℃时制备的TiO2 薄膜为锐钛矿和非晶态混杂结构 ,当基片温度超过 6 0 0℃时开始生成金红石。     

自适应模糊PID在低气压试验箱压力控制系统中的应用

介绍了自适应模糊PID参数控制在低气压试验箱压力控制系统中应用,实现压力的无超调控制。并通过软件仿真,与常规PID控制器相比较,系统的静、动态性能明显提高,同时增强系统适应能力和鲁棒性,保证了测试工艺所要求的真空度要求。     

基于串行通讯协议宏的MOCVD反应室压力控制

介绍了MKS压力控制系统的组成、651C控制器的通信命令参数、串行通信协议宏的构造方法。     

图形蓝宝石基GaN性能的研究

在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对GaN光学性质的影响.测试结果表明:对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的GaN薄膜晶体质量及光学质量最优,x射线摇摆曲线中.其(0002)面及(10-12)面的半峰全宽分别降低至202.68 arcsec,300.24 arcsec.透射光谱中,其透射率最高,调制深度最大;光致发光谱的近带边发射峰强度最强,其半高全宽也降低到6.7 nm,几乎看不到任何黄光带.     

气压自适应控制系统的研究

利用自适应控制理论,以某宇航环境仿气压控制系统为对象,给出该系统的自适应控制算法,该方法简单、可靠,可有效达到该系统的技术指标要求。     

生长压力对MOCVD GaN材料晶体质量的影响

使用氮化物MOCVD外延生长系统,采用传统的两步生长法在76.2 mm c面蓝宝石衬底上生长了不同压力的GaN薄膜样品.研究发现提高高温GaN的生长压力,初期的三维生长时间增长,有利于提高GaN薄膜的晶体质量.同时采用XRD、PL谱和湿化学腐蚀方法研究了样品的位错特性,结果表明高压生长的样品能够降低位错密度,起到改善G...     

MOCVD生长中利用Al双原子层控制和转变 GaN的极性

讨论了采用MOCVD在Al2O3衬底上生长GaN过程中的极性问题,在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一Al层来改变外延层的极性,并用CICISS来测量这一级性,最后给出了一种模型来解释这一极性的转变。