射频微波等离子体CVD法制备薄膜材料及其应用

低温沉积薄膜技术是发展微电子学器件和光电子学器件的关键工艺。射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR PCVD)技术都是能在低温或常温下制备各类优质薄膜的最新镀膜工艺。本文叙述采用这些技术沉积几种绝缘薄膜材料的制法、性能及其在半导体器件中的应用。     

低温多晶硅薄膜制备技术应用进展

系统介绍了金属诱导横向晶化法、准分子激光晶化法、触媒化学气相沉积法(Cat-CVD)以及电感耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD)制备低温多晶硅薄膜的原理及进展。对不同制备工艺的优势和不足进行了比较,重点讨论了Cat-CVD和ICP-CVD在实用化中需克服的技术问题。对上述制备方法的应用前景作了评述和展望。     

新金刚石科学技术

本文介绍了低压化学气相合成金刚石的历史、金刚石薄膜的沉积方法、特点及机理，阐述了国内外金刚石薄膜技术的发展动态。     

聚合物热解制备类金刚石薄膜的表面形貌研究

类金刚石碳(DLC)薄膜由于其硬度高、杨氏模量大、介电常数高、摩擦系数低、化学惰性好、导热性能好以及生物相容性良好等优异性能而在耐磨涂层及微电子学等方面具有广阔的应用前景。传统制备类金刚石碳膜一般用化学气相沉积法和物理气相沉积法，如微波等离子体辅助沉积、磁控溅射沉积和脉冲激光沉积等，这些气相沉积技术要求设备的投资大，且难以在大而形状复杂的部件上沉积。     

用于纳米级芯片制造的基于单晶圆LPCVD工艺

低压化学气相沉积(LPCVD)是化学气相沉积(CVD)的一个分支,同时也是半导体集成电路制造工艺中必不可少的重要工序之一。它主要用于多晶硅及其原位掺杂、氮化硅、氧化硅以及钨化     

国外光纤预制棒工艺技术介绍、评价及展望

目前,对光纤预制棒的制造世界各国已发展了多种化学气相沉积法。本文介绍了六种气相沉积技术,从性能上对这些方法进行了评价,对它们的应用与经济效益进行比较,并预言了工艺技术的未来趋势。     

一种制作大芯径光纤的新工艺

与传统的大芯径光纤不同,纯石英芯掺氟玻璃包层光纤是一种新结构的大芯径光纤,主要用于光能传输和传感.在国外这种光纤是采用POD(等离子体外相沉积)技术生产的,由于目前国内没有这种设备,本文采用管棒套装技术,即PCVD(等离子体化学气相沉积)工艺制作掺氟石英管,MCVD(改进的化学气相沉积)工艺在高温条件下把石英芯棒和掺氟...     

超高真空化学气相沉积外延生长锗硅材料及其应用

综述了硅基锗硅薄膜的外延生长技术、设备及其在光电子器件上的应用,其中着重介绍了超高真空化学气相沉积系统(UHVCVD)。目前来说,UHVCVD是产业化制备高质量锗硅材料的最佳选择。     

应用材料公司推出CVD/PVD新技术

正近日,应用材料宣布推出Endura Volta化学气相沉积(CVD)钴金属系统,藉由钴金属来包覆铜导线,提供半导体厂快速抢进20纳米以下先进制程。同时,应用材料也推出Endura Ventura物理气相沉积(PVD)系统,协助客户利用直通硅晶穿孔(TSV)技术快速完成3D晶片产能布建。应用材料将钴金属层的导入做为出色的金属包覆薄膜,是半导体导线材料过去15年来最重大的变革。Endura Volta化学气相沉积系统所拥有的两项新     

CVD技术的进展(一)

扼要地论述了近年来得到迅速发展的四种CVD技术:LPCVD、MOCVD、MW—PCVD和LCVD.化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)是利用气态物质通过化学反应在基体表面上形固态沉积物(或薄膜)的一种材料(薄膜)制备技术.CVD技术经过二十多年来的发展,特别是近年来采用CVD技术研制成功了许多功能薄膜材料,因而愈来愈受到人们的广泛重视,不仅仅在沉积机理(例如气相输运过程、表面过程,CVD系统热力学、沉积过程、动力学等)的研究方面,而且CVD技术本身也有许多新的进展.本文将着重论述近年来得到迅速发展或正在日益受到重视和发展的四种新的CVD技术.     

薄膜机械强度测试方法

用物理气相沉积技术(PVD)及化学气相沉积技术(CVD)制备的金属或金属化合物(如TiN、TiC等)薄膜,涂复在机械零件及刀、磨具的表面上,获得了日益广泛的应用。而薄膜的机械强度,是评价薄膜性能优劣的一个重要指标,本文试就薄膜抗拉强度和耐压强度的几种测试方法进行了归纳和论述,并对这些方法的适用范围及局限性进行了比较。     

Fabrication of Rare Earth Doped Optical Fiber

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埋入高阻值电阻材料

埋置无源元件的市场需求不断增加,本文介绍了一种生产高阻值埋置电阻材料的方法燃烧化学蒸汽沉积法(CCVD)。     

MOCVD生长InGaAs/InP体材料研究

首先给出在InP衬底上利用MOCVD法生长InP、InGaAs的生长条件，而后分别给出了InP／InP的生长特性，InGaAs／InP的组份控制和生长特性及生长温度对InGaAs特性的影响。     

在硅衬底上用HFCVD法生长的纳米SiC薄膜及其室温光致发光

用热丝化学汽相淀积(HFCVD)法在硅衬底上生长具有纳米晶粒结构的碳化硅薄膜.用X射线光电子谱仪(XPS)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)、紫外光Raman散射谱和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对薄膜样品进行了结构和组分分析,并在室温条件下观察到了薄膜的高强度可见光发射.     

磁激励RF-PECVD法低温制备类金刚石薄膜及其特性

采用磁激励射频等离子体增强化学气相沉积(M-RF-PECVD)方法,室温下分别在玻璃和Si(100)衬底上制备类金刚石(DLC)薄膜,通过扫描电镜(SEM)、傅里叶红外光谱(FTIR)和Raman光谱对不同沉积条件下制备的薄膜进行表征。结果表明,在反应压强为30 Pa、入射功率为50 W、CH4/Ar=5/90、衬底温度为40℃的实验条件下,制备的含氢DLC薄膜表面平整、结构致密,膜基结合度良好,薄膜中以sp3键为主。     

Atomic layer deposition of ZnO on graphene for thin film transistor

A ZnO/graphene composite thin film was obtained by depositing ZnO on graphene through an Atomic Layer Deposition (ALD) process. The graphene layer was synthesized through a Chemical Vapor Deposition (CVD) process. The achievement of ZnO deposition on graphene was attributed to the Perylene Tetracarboxylic Acid (PTCA) treatment on graphene. Both ZnO Thin Film Transistor (TFT) and ZnO/graphene TFT were fabricated and tested. The results show that both of them displayed a high ON/OFF ratio, while ZnO/graphene TFT displayed an enhanced carrier mobility over ZnO TFT.     

用于共振腔光电探测器的Si基Bragg反射器

Si基共振腔型光电探测器的关键工艺是隐埋Bragg反射器镜面的制备.用PECVD方法在Si衬底上制备了SiOxNy/SiBragg反射器,研究了Bragg反射器的反射谱和退火行为.     

Si/Ge异质结构的生长与特性

<正> 近年来,由Ge,Si这两种晶格失配(4.2％)材料组成的Ge/Si异质结构与Ge/Si应变超晶格,由于共具有重要的科学与技术价值,受到了人们高度重视。分子束外延(MBE)技术已成功地用于生长Ge/Si异质结构和超薄Ge/Si超晶格以及GexSi1-x/Si超晶格。化学汽相淀积技术(CVD)与MBE相比,除了设备简单、价格便宜外,对于Ge,Si外延来说,还便于与现有的硅大规模集成工艺技术相结合,使之更富有实用性。近期已有报道用CVD技术生长GexSi1-x/Si异质结构。     

High-performance emitter-up/down SiGe HBT's

The experimental results in this paper provide evidence of high-performance symmetric and emitter-down operation of SiGe-HBT's. SiGe-base transistors were fabricated by using Atmospheric-Pressure Chemical Vapor Deposition (APCVD) for the epitaxial growth of SiGe and Si layers, and a novel self-aligned device structure. Current gains of 2000 and 120, cutoff-frequencies of 64 GHz and 14 GHz, and maximum oscillation frequencies of 23 GHz and 10 GHz have been achieved for emitter-up and emitter-down operation, respectively