脉冲红外激光诱发SiCl_4解离的通道

本文用荧光光谱方法研究了脉冲红外激光诱导 SiCl_4解离的通道,在 SiCl_4的解离过程中观测到硅原子,硅离子、氯原子,氯离子的荧光谱线、得到在均相和多相体系中 SiCl_4解离的能量阈值。     

光纤激光焊接工艺参量对底部驼峰的影响

为了研究高功率光纤激光焊接工艺参量对底部驼峰倾向的影响,采用单一变量方法研究了激光功率、焊接速度、离焦量、下表面保护气体流量及焊接方位的变化对底部驼峰的影响。结果表明,随激光功率的增加,底部驼峰倾向先加大后减小;焊接速率提高时,底部驼峰高度先增加后减小,驼峰间距明显减小;离焦量在0mm附近时,底部驼峰倾向较大;适当的下表面保护气体流量有助于减小底部驼峰倾向,最佳流量为15L/min;焊接方位为60时,一定程度上可减小底部驼峰倾向。优化后的工艺参量合理, 可有效地消除底部驼峰。     

CO_2激光辅助等离子体激励式化学气相沉积非晶形低氢氮化硅薄膜

利用CO2 激光辅助等离子体激励式化学气相沉积系统 (Laser assistedPlasma enhancedChemicalVaporDeposition ,orLAPECVD) ,在硅 (Si)基片上沉积出非晶形含氢较低的氮化硅 (a∶Si Nx∶H)薄膜。这些薄膜的折射率增加、膜致密性及平整度良好 ,其抗腐蚀性亦明显提升。LAPECVD沉积法是在电容式RF放电解离反应气体的同时 ,以输出功率密度 3 3W cm2 的CO2 激光斜向照射在硅基片上。因为激光斜照在硅基片上所提升的温度只有 5 5℃ ,且可大量减少膜中的氢含量 ,以波长 10 5 8μm激光照射获得的薄膜品质较波长 9 5 2 μm更佳 ,将此一非热效应的发生原因提出推论     

410～373nm激光作用下四甲基硅的多光子电离与解离

利用平行板电极装置测定了四甲基硅于某些波长点处的激光光强指数，讨论了多光子电离（ＭＰＩ）谱中某些话线的归属。通过对飞行时间（ＴＯＦ）质谱峰宽的分析并结合质谱实验结果，讨论了该分子可能的ＭＰＩ过程，得到了较高能量下Ｓｉ＋的产生仍以中性碎片的解离──硅原子的电离为主，而Ｓｉ＝（ｎ＝１～３）的形成则以中性碎片的自电离为主的结论。     

基于分光延时的脉冲激光波形调节方法研究

脉冲激光由于具有峰值功率高、脉冲宽度窄等特点，在激光致声、激光焊接等领域中得到了广泛应用。使用特殊波形的脉冲激光，可获得比单脉冲高斯激光更加优异的应用效果，因此脉冲激光波形调节方法具有重要的应用价值。针对这一需求，提出并实验验证了一种基于分光延时的脉冲激光波形调节方法。首先对脉冲激光分光延时叠加原理进行了理论分析，设计出基于两次分光的四脉冲分光延时叠加光路，确定了产生矩形、三角形、驼峰形和双峰形脉冲激光所需的分光比与延时。然后搭建了一套基于Nd∶YAG脉冲激光器的二倍频532 nm激光的四脉冲分光延时叠加实验装置，成功获得了矩形、三角形、驼峰形和双峰形等特殊波形的脉冲激光。     

长脉冲致硅基 QPD损伤面积及形貌实验研究

为了研究硅基QPD在不同能量密度、不同脉宽激光辐照下的损伤面积、形貌,基于二维显微测量技术,测量了硅基QPD单一象限的损伤面积、形貌随激光能量密度和脉宽的变化。结果表明,在毫秒脉冲激光作用下,硅基QPD产生表面剥落、褶皱、裂纹、熔坑等损伤效果,且主要受入射激光功率密度影响,损伤面积随激光能量密度逐渐增加,随脉宽增加逐渐降低。通过实测分析,得出了不同激光脉宽下,硅基QPD表面形貌损伤阈值。激光脉宽为0.5 ms,能量密度为15.79 J/cm2时,硅基QPD出现熔融损伤;而脉宽为1.0、1.5、2.0、3.0 ms时,硅基QPD出现表面剥落的能量密度值为14.12、33.94、39.76、47.62 J/cm2。     

He—Ne激光对红细胞氧解离的影响

为研究低功率激光对红细胞载氧能力的影响，从健康人静脉取血，用生理盐水洗涤，配制成红细胞悬浮液，经He-Ne激光照射后，置于减压瓶中减压脱氧。然后设置不同的氧分压，分别检测血氧饱和度，进而绘制成红细胞氧解离曲线。与对照组相比，在一定条件下，激光照射能使红细胞的氧解离曲线向左偏移，这表明，用低功率He-Ne激光照射红细胞，能够增加血红蛋白的氧亲和力，从而提高红细胞的载氧能力。     

619《在超声分子束下四甲基硅分子的多光子解离与电离》

６１９《在超声分子束下四甲基硅分子的多光子解离与电离》施德恒（中科大近代化学系２３００２６）619《在超声分子束下四甲基硅分子的多光子解离与电离》@施德恒$中科大近代化学系...     

激光辐照硅、锗材料形成表面波纹的实验研究

用光学显微镜分别测量了1．06μm激光辐照硅、锗材料形成表面波纹的形貌特征。在激光辐照材料形成初始表面波纹之后，后继激光对最终波纹的增长起正反馈作用。当激光功率密度略大于材料损伤阈值时，材料表面呈现周期性的波纹结构；当激光功率密度远大于材料损伤阈值时，材料熔融区内出现无规则的随机分布波纹。激光辐照硅、锗材料产生的波纹结构与材料的性能、表面状况和实验中使用的激光参数密切相关。同时，分析了表面波纹结构对激光光束传输特性，以及激光与材料相互作用产生破坏效应的影响。     

266nm激光下硝基苯的多光子电离解离研究

在266nm波长激光下,通过激光质谱仪获得气相硝基苯的共振增强多光子电离/飞行时间质谱（REMPI-TOFMS）。根据质谱图中出现的主要离子峰信息,对硝基苯的光解离过程进行了分析。硝基苯与266nm激光的作用过程为三光子过程,其首先吸收两个光子跃迁至激发态,一部分处于激发态的分子,因内转换导致结构重排,生成分子异构体。处于激发态的硝基苯分子或分子异构体共振吸收一光子后发生解离,并给出其可能的解离通道。     

激光诱发红外多光子解离和激光诱发介电击穿技术除去 SiCl_4中 PCl_3的研究

采用TEA—CO_2激光器,研究了半导体原料 SiCl_4中杂质 PCl_3的激光解离。考察了不同激光诱发技术——红外多光子解离和激光诱发介电击穿,对激光提纯的有效性;研究了激光化学反应规律;探索了激光提纯与络合吸收法联合使用的可能性影响激光纯化的各种因素。     

XeF2光解离波的空间传输对形成XeF(C-A)激光的影响

利用XeF2光解离波图像，测量了现有激光实验条件下的解离波半径及传输速度，解离波厚度为5～8mm，传输速度随泵浦时间的增加而减慢，平均速度约13km／s。选择四种不同的腔轴位置，腔轴距泵浦源表面的距离d分别为10、13、16、20mm，激光实验结果表明，XeF2光解离波的空间传输对XeF（C—A）激光的形成有影响，激光形成时间、脉宽均随腔轴远离泵浦源而增加；输出能量在腔轴取13mm处最大。     

环氧丙烷和四氢呋喃的红外多光子解离

本文用TEA CO_2激光器研究了环氧丙烷(PO)和四氢呋喃(THF)的红外多光子解离过程,给出了解离率与激光脉冲数、激光波长的关系。实验表明 PO 和 THF 的解离为一级反应,缓冲气体可以有效地消除瓶颈效应。     

Ar离子激光增强硅各向异性腐蚀速率的研究

研究了Ａｒ离子激光器与硅各向异性腐蚀技术相结合制造硅杯的方法。结果表明，激光照射能增强浸于ＫＯＨ溶液中硅的化学腐蚀速率，在入射光强为４．６Ｗ，ＫＯＨ溶液浓度为０．２２ｍｏｌ，温度为９０℃的条件下，得到＜１００＞硅的腐蚀速率为２１μｍ／ｍｉｎ，是无激光照射时硅各向异性腐蚀速率的多倍。进而讨论了硅在ＫＯＨ溶液中腐蚀速率对激光光强的依赖关系以及实验温度对腐蚀速率的影响问题。     

高功率光纤激光焊接底部驼峰的机理研究

高功率光纤激光焊接SUS 304不锈钢板的过程中,熔池由于受力不平衡出现下掉,并在试件底部流动堆积,从而形成底部驼峰。采用高速摄像和"三明治"试件焊接新方法,分别从不同角度拍摄熔融金属的流动情况并从侧面直接观测小孔和熔池的变化过程。结果表明,孔内熔融金属流动的不连续和小孔前沿孔壁凸起向下移动,以及孔内金属蒸气压力导致小孔底部熔池形成多个熔滴;底部熔池表面张力和熔池的流动导致熔融金属不断向后流动从而汇聚形成驼峰;底部驼峰的形成影响熔池的流动状态,是导致焊缝表面塌陷的原因。     

355 nm激光作用下CH3I分子的多光子电离解离

利用飞行时间质谱仪在超声射流冷却条件下研究了CH3I分子在355 nm激光作用下的多光子电离解离机制.得到了分子的飞行时间质谱,质谱中有较强的H 、CH 3和I 信号,较弱的C ,CH 、CH 2和母体离子CH3I 信号,CH3I 的出现表明CH3I分子的多光子电离解离(MPID)属母体离子阶梯模式:CH3I分子由双光子共振激发到里德堡C态,处于该激发态的母体分子继续吸收光子上泵浦至电离态形成母体离子CH3I ,碎片离子可由母体离子解离形成.同时结合母体离子及碎片离子的出现势对CH3I分子的多光子电离解离通道进行分析,提出了可能的解离电离通道.     

噻吩的紫外激光光解

本文用波长为308nm的XeCl准分子激光器研究了噻吩的紫外激光光解。测得了其解离反应级数、速率常数和解离能量阈值。实验证明光解为双光子解离。计算了其吸收截面。     

烷氧基乙醇化合物的红外激光解离

本文用 TEA CO_2激光器9.6R(14)支作激光光源,研究了甲氧乙醇、乙氧基乙醇和丁氧基乙醇的红外激光解离,给出了解离率与自身压力、激光脉冲数和缓冲气体压力等的关系。实验结果表明,乙氧基乙醇和丁氧基乙醇为二级反应,三者均无瓶颈效应。     

飞秒激光作用下CO_2分子两体、三体解离动力学研究

正飞秒激光具有超短的脉冲宽度和超强的峰值功率,已经成为测量和操控分子超快动力学行为的重要工具。但是飞秒强激光场下,分子行为非常复杂,多个反应通道相互竞争和纠缠在一起。冷靶反冲离子动量谱仪具有全微分,符合测量功能,极大地提高了强激光场和分子相互作用的实验研究水平。它能够在一次实验中记录下所有反应通道的数据,离线分析时通过设定筛选条件,就可以获得特定反应通道精确的动力学数据,重构反应过程。介绍了飞秒强激光作用下二氧化碳离子的两体和三体解离动力学研究中的最新进展,其中二氧化碳离子是通过中性二氧化碳分子在波长800 nm、脉宽24 fs、强度10~(15)W/cm~2的激光场中隧道电离的产生。利用新建的冷靶反冲离子动量谱仪的全微分符合测量功能,将源自同一母体离子的反应碎片关联起来,研究了二氧化碳离子两体解离和三体解离过程,即通道CO_(2~2+)→CO~++O~+和通道CO_(2~2+)→O~++C~++O~+。牛顿图分析结果支持上述方法能够区分序列解离和非序列解离通道,利用非序列解离通道精确的实验数据,重构出CO_(2~2+)解离前的分子构型,和激光作用前的中性CO_2的分子构型比较接近。该项研究表明,飞秒激光库仑爆炸可以对分子瞬时构型进行成像。     

光引发F_2/H_2链反应诱导期间的激光现象

Whittier在研究F_2/H_2链反应脉冲激光时发现,激光出现在未测出F_2消耗之前。他们认为这是反常现象而未能解释。称这种F_2消耗的延迟是链反应的诱导期。本文的紫外动态吸收光谱测定和脉冲F_2/H_2链反应激光简化模型的数值计算结果,确认了反应诱导期的存在,并证明在诱导期间产生了激光。计算结果表明,在诱导期间,只需很少量的F_2(例如10~(-10)mol/cm~3)与H_2反应即有足够增益而实现激光输出。而这少量的F_2消耗用紫外动态吸收光谱法是难于检测的。这就解释了上述疑题。在初始F_2解离度η≤1%范围内,诱导期随 F_2解离度提高而急剧缩短。当η>2%,解离度对诱导期影响很小,诱导期一般地均小于1微