一种高侧功率开关的输出短路保护电路

提出了一种智能高侧功率开关的短路保护电路,包括输出短路检测电路、延时信号产生电路和栅源电压限制电路。采用NMOS管用作功率管,使电路短路时仍处于安全工作区内,提升了高侧功率开关的可靠性。采用0.6μm HV SOI工艺对该短路保护电路进行了仿真验证。仿真结果表明,在硬开关故障和负载短路两种情况下,功率管保持处于安全工作区内。     

一种外部可调折返式LDO过流保护电路

基于0.18 μm BCD工艺,提出了一种外部可调、带限流的折返式LDO过流保护电路。该电路同时具有限流和折返功能。限流部分通过电流镜构成的环路箝位最大输出电流,折返部分通过误差放大器构成的负反馈环路产生与输出电压成比例的电流折返输出电流。与传统过流限结构相比,新结构可降低功耗,保护功率管不被烧毁;与传统折返式结构相比,新结构可通过调节外部电阻方便地调节过流限与折返点电压,避免了稳压器的闩锁现象。在1.2 V典型输出下,LDO电路的仿真验证结果表明,在调节四组不同的外部电阻值条件下,过流限范围为215~350 mA,折返电压范围为450~900 mV,输出短路时,功率管的功耗降至230 mW。     

一种具有过温与过流保护功能的LDO

为了防止功率管的功耗过大导致芯片受损,采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种具有过温与过流保护功能的低压差线性稳压器。仿真结果表明,LDO电路具有良好的线性调整率和负载调整率,过温、过流保护电路能够实现对电路的保护。在过热、过流或负载短路的情况下,降低系统的功耗,且当故障排除后,可自动恢复工作。在2～3.6 V的输入电压范围内,电路的稳定输出电压为1.8 V,电源调整率不超过0.194‰,负载调整率不超过1.1‰。     

带使能端及保护电路的LDO设计

设计了一种带有使能端以及保护电路的低压差线性稳压器(LDO)。这种基于传统结构、带有使能端的LDO可在系统电路不工作时被关断,以减小电路功耗。使能信号可由数字模块输出。该LDO带有过流保护、短路保护以及过温保护电路,在过流、过温以及短路时能受到保护,避免电路被损坏。基于CSMC 0.5 μm单阱工艺完成电路设计,输入电压为5 V,输出电压为3 V,最大输出电流为100 mA,输出瞬态电压最大变化为4.26 mV。     

一种用于Boost芯片的新型限流电路

提出了一种用于Boost芯片的新型限流电路,其功能是对功率管的电流采样,并在该电流达到规定值时,快速输出关断功率管的信号.采用限制比较器输入电压范围的方法,解决比较器因工作在大信号模式引起传输延时过大的问题.通过增加比较器的偏置电流,消除功率MOS管关断过程中出现的正反馈.Hspice仿真结果表明,电路反应速度快、工作稳定、限流精度符合要求.     

发挥功放潜力的减流式保护电路

本文介绍的短路保护电路具有减流特性。由于短路时功率管过流时间只是传统限流式的10~(-6)分之一,可大大拓宽功率管的二次击穿区,使放大器在加有保护电路时仍有充分的功率输出。     

PWM DC-DC变换器中过流保护的失效分析

原创性地提出并分析了PWM DC-DC过流保护失效.从理论上证明了过流保护回路的延时会造成过流保护失效.同时给出了避免失效的优化方案.通过降低电路的工作频率,可以实现过流保护电路关断及时,可靠性得到提高.电路在CSMC 1.5 μm BiCMOS工艺,BSIM3V3模型下,采用Cadence中的Spectre仿真工具进行仿真.当输入电源电压为11 V,输出电压在5 V时,最大电流限制在3.5 A以下,过流保护电路工作稳定可靠.     

一种USB电源管理芯片双门限限流保护电路

采用折返式电路,设计了一种适用于USB电源管理芯片的双门限限流保护电路。通过改变参考电流,进而改变比较器参考电压的方式,使系统在发生过流时输出恒定电流,发生短路时实现门限降低,以达到更低的恒定输出电流。采用UMC 0.5 μm CMOS工艺,运用Cadence和Hspice进行仿真验证,温度在-40 ℃～120 ℃变化时,过流门限和短路门限仅变化2.1%和1.5%。不同工艺角下,均满足系统要求。     

一种用于Buck变换器的过流保护电路

基于功率MOS管导通电阻对电流采样的方法,设计了一种用于带集成功率MOS管的Buck变换器的过流保护电路,改善了传统过流保护电路的限流阈值随电源电压和温度变化较大的问题。对该电路的结构和原理进行了阐述与理论推导,采用Hspice软件对理论分析进行了仿真验证。仿真结果表明:当电源电压在2.5~6 V、温度在-55 ℃~125 ℃的范围内变化时,电路的限流阈值保持在3.2 A,限流阈值的最大误差值不超过±9.4%。该电路具有极快的响应速度,最大延时仅为33 ns。     

一种具有电压折返限流保护的低功耗LDO设计

为了实现LDO的恒定限流、低功率消耗以及高驱动能力,本文提出了一种分段电压折返式限流保护的微功耗LDO。通过限流阈值动态调整,不仅最大限度的增强了LDO驱动能力,而且使限流电路的静态电流仅为300nA。微功耗的高阻抗变换电路拉开了环路的主极点与功率管栅极极点,加上零极点抵消技术综合保证了系统的稳定性。该LDO采用BiCMOS工艺完成流片。测试结果表明,LDO的短路保护电流为190mA,高输入输出压差时的恒定限流440mA,低输入输出压差时的最大驱动电流可达800mA。LDO的静态电流仅为7μA。满量程负载调整率约为0.56％,线性调整率约为0.012％/V,120Hz下的PSRR为58dB,在250mA的负载电流条件下,漏失电压仅为70mV。     

地线短路电流及基于异温法的短路热稳定的计算

电力系统的运行经验表明,在各种类型的短路中,单相短路占比例较大.文中基于异温法,结合DL/T 2005《导体和电器选择设计技术规定》等相关规程规范,对龙开口～鲁地拉工程线路发生单相短路时,所选地线（OPGW）的热稳定性进行了计算,并根据计算结果对该工程地线选型提出了优化方案.     

基于T形电路的回转器设计方法

提出了一种基于T形电路的回转器实现电路的设计方法。该方法以T形电路为基础,通过修改电路的结构,接入两个电压控制电压源,利用运放电路来实现这两个受控源,给出了一种回转器实现电路的设计过程。给出的设计实例和Multisim电路仿真结果,表明本文方法的有效性。所讨论方法易于理解且具有普遍性,对于回转器以外的其它特定二端口电路的设计也具有一定的启发意义。     

集成电路工程化测试方法研究

现今集成电路测试需求不断增加,为保障批量工程化生产测试环节的顺利进行,提高测试机的测试效率,对目前批量测试过程中容易出现的OS和功能工程测试环节故障进行诊断分析,排除一些常见的故障,实现芯片的快速生产测试。     

消除声短路的新结构音箱

笔者根据俄罗斯《Paдио》杂志2003年第1期文章所叙述的开放式箱体中展宽重放低频有效带的方法．提出了实际的音箱结构。经设计制作试验，从主观听音和简单测试看，效果良好，预计这种音箱结构应有发展前途。     

叠层片式电感的短路失效模型

通过对叠层片式电感器短路失效样品的电性能测试和显微分析可知,叠层片式电感器的短路主要为引出端短路和介质层短路,其根源在于铁氧体的粒度、浆料分散性、丝网制作及烧结工艺,通过完善球磨工艺、改变加料方式、减少丝网乳胶厚度、控制成型和烧结工艺,可使短路率由15%以上降低为6%以下。     

正负脉冲电源用双重保护电路的研究

针对正负脉冲电源中IGBT保护的要求，提出并分析了一种廉价而简洁的、适用于各种保护电路的控制电路，给出了设计时需要注意的问题。该控制电路对于实际操作中可能遇到的过载、瞬时过流、短路等现象能进行很好的监测和控制。     

锂电池保护电路的芯片设计

介绍了锂电池保护电路的一般设计原理，并根据此原理提出了作者的设计思想，以及一部分功能电路的实现方法。     

集总参数电路与磁路、热路的关联性教学

本文采用类比和关联方法,拓展电路中集总参数思想。通过将磁路、热路中相应的物理量与电路中的电流、电势、电阻进行类比和关联,帮助学生理解集总参数模型思想,掌握各物理量的涵义。通过对具体用电设备电动机的简单建模分析,促使学生将集总参数模型在其它电、磁、热的分析中能够融会贯通,应用电路理论所学知识,建立合理的物理模型及分析解决问题。     

LCD潜在上下短路及其检测

针对生产实际中常规方法难以检测的电缺陷,进行了分析,提出了最佳的检测方法。     

无穷大电源三相短路冲击电流计算探讨

现行电力系统分析教材未经过严格证明,就认为短路前空载且该相电压瞬时值为零,是无穷大电源有最大三相短路电流瞬时值的条件。本文通过理论分析和计算表明该结论并不严谨,在与教材同样的假设条件和简化条件下,完全可以出现比现有教材结论更大的短路电流瞬时值。求短路电流最大值实际是在约束条件下求极值的问题,本文给出了最大短路电流瞬时值的发生条件和计算方法。