ZnS：V~(3+)光谱和顺磁g因子的统一解释

掺V3 离子的ZnS晶体局部结构与光谱和顺磁共振(EPR)参量有关联.根据Sugano-Tanabe方案建立了d2/8电子强场45×45阶完全能量矩阵,由自旋哈密顿理论推导了EPR参量的计算公式,通过点荷-偶极子模型得到了离子簇局部Td对称结构与晶场参量的关系,基于半自洽场d轨道和完全对角化方法,从局部结构统一解释了ZnS:V3 的光谱和顺磁g因子,计算结果与实验符合.计算结果表明,ZnS:V3 的光谱和EPR谱可以在晶体场理论框架内得到理解.     

ZBLAN—Pr非晶中Pr^3^＋离 子光谱参量的测量与计算

测量和计算了ＺＢＬＡＮ－Ｐｒ（１％）非晶材料中Ｐｒ＾３＾＋离子的光谱跃迁强度参量，从而计算预言了此材料中Ｐｒ＾３＾＋的各激发态之间的自发福射跃迁速率，荧光分支比和分发射截面。     

利用光谱等分法对红外系统作用距离的计算

红外辐射在大气的传输过程中,受到大气分子对光谱的选择性吸收,以及大气环境、距离等影响,使得大气透过率成为一个复杂的参量。采用光谱间隔等分方法,给出了红外成像系统作用距离新的估算方程和求解方法。利用MODTRAN软件计算出微小光谱区域的大气透过率,利用所编计算程序调用计算值,计算各微小光谱区域的红外辐射,对各微小光谱区域的计算数据求和,取代了采用常数或平均大气透过率的常用计算方法,提高了计算的准确度。综合考虑了大气能见度、海拔高度、天顶角和空间频率等多种因素对热成像系统作用距离的影响,给出了作用距离估算实例及结果。     

一种基于吸收峰特征的高光谱曲线匹配方法

为了解决在应用传统高光谱地物识别方法时,由于吸收峰个数不同,造成的光谱匹配误差较大的问题,采用了一种基于高光谱吸收峰特征的选择方法,根据选择后的吸收峰特征进行光谱曲线匹配。该算法首先对高光谱曲线进行包络线消除并提取光谱特征参量矩阵,然后根据标准特征参量矩阵与待测特征参量矩阵的每个向量的余弦距离-欧氏距离来逐一寻找吸收峰的匹配向量,之后根据选择的吸收峰特征参量矩阵进行了理论分析和实验验证。结果表明,该算法可以搜寻到最佳的特征参量向量,从而实现吸收峰的选择,用选择后的吸收峰的特征参量矩阵进行高光谱匹配。这一结果对降低匹配的误差是有帮助的。     

钠蒸气近4D能级双光子共振光谱分析

由钠蒸气近4D能级双光子共振光谱证实，存在330nm纯参量四波混频信号，共振时参量四波混频抑制了放大的自发辐射，而激光波长失谐时产生的受激超拉曼散射削弱了参量四波混频。     

光谱合束二向色镜反射率及合束效率仿真研究

为了研究合束效率与二向色镜的反射性质之间的关系，通过建立多层膜系粗糙表面反射模型，采用模拟仿真的方法对用于光谱合束的大陡度二向色镜反射率曲线进行了计算分析，结合光纤激光器光谱曲线得到了合束效率的仿真结果。对不同角度二向色镜表面面形与反射率、合束效率的关系进行了分析，对二向色镜合束系统的稳定性进行了模拟讨论，并对二向色镜的部分参量提出了要求。结果表明，使用小角度二向色镜可以获得10kW以上的输出功率，合束效率达97%。这一结果对二向色镜参量的提高是有帮助的。     

PPLN晶体中不同非共线结构光参量放大过程的带宽与增益特性

利用非共线相位匹配方法,研究了不同极化周期和不同非共线结构下周期极化铌酸锂晶体(PPLN)中的光参量放大(OPA)带宽与增益特性.光谱带宽和增益通过对相位失配进行泰勒级数展开并保留到二阶级数项得到,在计算过程中考虑到了晶体极化周期、非共线入射结构、PPLN晶体长度以及抽运光强度的影响.计算结果表明,参量带宽和增益带宽具有相似的特性,而且PPLN晶体的周期和非共线入射结构会对光参量放大的光谱带宽产生一定的影响,在同一波长处,通过调节晶体周期或非共线结构可以获得更大的带宽.在对增益的研究过程中发现,与增加抽运光强度相比,增加晶体的长度能更有效地增强参量增益,但是PPLN晶体的周期和非共线入射结构对增益几乎没有什么影响.     

ZBLAN-Pr非晶中Pr~(3+)离子光谱参量的测量与计算

测量和计算了ZBLAN-Pr(1％)非晶材料中Pr~(3+)离子的光谱跃迁强度参量,从而计算预言了此材料中Pr~(3+)的各激发态之间的自发辐射跃迁速率,荧光分支比和积分发射截面。     

单晶LiHSO4: VO2+的EPR谱及吸收光谱的理论研究

考虑到配体离子的自旋－轨道耦合作用对光谱和电子顺磁共振谱的贡献不可忽略,本文采用3d1离子在四角对称下基于双自旋－轨道耦合模型的高阶微扰公式和晶场理论公式,理论计算了LiHSO4: VO2+晶体的光谱和电子顺磁共振（EPR）参量g因子g//,g⊥和超精细结构常数A//,A⊥。计算结果与实验发现很好符合。由于晶体中过渡金属离子中心的EPR参量与其缺陷结构紧密相关,理论计算还获得了V4+杂质中心缺陷结构的信息。我们对理论结果的合理性进行了讨论。     

非Kolmogorov大气湍流对高斯谢尔模型光束光谱变化的影响

基于非Kolmogorov谱模型,利用广义惠更斯-菲涅耳原理,推导出了高斯谢尔模型(GSM)光束在非Kolmogonov大气湍流中光谱的解析表达式,并用其研究了非Kolmogorov大气湍流对GSM光束光谱变化的影响。结果表明,GSM光束在非Kolmogorov大气湍流中传输时有光谱移动(蓝移和红移)和光谱跃变发生。光谱跃变的发生与离轴距离r、广义指数参量α、广义结构常量C_n~2、湍流内尺度l_0、湍流外尺度L_0和传输距离z有关。随着广义指数参量α的增大、湍流内尺度l_0的增大及广义结构常量C_n~2的减小,光谱跃变量△减小,光谱跃变临界位置z_c增大。该研究工作可为自由空间光通信等实际应用提供理论模型和计算依据。     

ErCa4O(BO3)3晶体的光谱分析

采用Czochralski法生长了均匀透明的ErCa4 O(BO3 ) 3 (简称ECOB)晶体 ,测量了其室温吸收谱 ,并与 0 1mol的ErCl3 溶液的室温吸收谱进行了比较。根据Judd Ofelt理论 ,拟合出唯像强度参数 :Ω2 =1 6 73× 10 -2 0 cm2 ,Ω4=1 35 6× 10 -2 0 cm2 ,Ω6=0 15 6× 10 -2 0 cm2 。计算了各能级的辐射跃迁几率 AJ,J′,振子强度fJ ,J′,辐射寿命τ,荧光分支比 βJ′ 等 ,并根据这些光学参量 ,讨论了该晶体的部分性能和应用前景     

用Judd-Ofelt理论计算Nd3+离子在LaMgAl11010单晶中的光谱参数

本文根据Judd-Ofelt理论,利用LaMgAl11O19单晶中Nd3+离子的7个收光谱支项和4F3/2→4I9/2,11/2,13/2的三个荧光带计算了谱线强度,振强度,强度参量Ω2,4,6,电偶极子跃迁几率及荧光分支比等光谱参数。     

NdP_5O_(14)晶体的光谱强度参数

关于高稀土浓度化学计量比的稀土五磷酸盐晶体已为人们所熟知，国内外NdP_3O_(14)晶体已用作微小型激光器的工作物质。但对稀土五磷酸盐晶体的光谱参数报告得不多。我们生长     

发光晶体Na_5Er（WO_4）_4的光谱性质和Er~（3＋）的光谱参数计算

制备了Ｎａ５Ｅｒ（ＷＯ４）４的粉末和单晶，测定了晶格参数、单晶吸收光谱，激发和发光光谱。计算了吸收谱线振子强度，根据Ｊｕｄｄ－Ｏｆｅｌｔ理论拟合出Ｅｒ３＋发光光谱的三个强度参数Ω２，４，６＝１．７４，１．４６，０．５１×１０－２ｃｍ２，计算了自发辐射电偶和磁偶跃迁振子强度和跃迁几率、辐射寿命、荧光分支比和积分发射截面等光谱参数，讨论了Ｅｒ３＋发光谱线出激光的可能性。     

类锂铜离子的振子强度和辐射跃迁几率

本文应用原子结构和光谱的HFR程序,结合一个关于原子能量参数的最小二乘优化程序系统计算了高离化态类锂铜离子1S~2nl(n=2～6,l=0～5)电偶极跃迁的权重振子强度,辐射跃迁几率和相应的软X射线波长(30nm以下),将波长计算值与已有的实验值相比较,二者十分符合。     

掺饵钒酸钇(Er:YVO_4)的光学性能

测定了晶体的透过率谱,计算了 Ｅｒ３＋离子在ＹＶＯ４晶体中的吸收截面．由积分吸收截面的公式拟合出唯象强度参量Ωｔ,并应用Ｊｕｄｄ－Ｏｆｅｌｔ理论计算出振子强度ｆＪ,Ｊ’、辐射跃迁几率ＡＪ．Ｊ＇、无辐射跃迁几率ＷＪ,Ｊ－１和荧光辐射寿命ＴＪ．并根据这些光学参量,比较了掺饵钒酸钇（ＹＶＯ４）晶体与按饵 ＹＡＧ的激光输出和阈值等光学性能．讨论了钒酸钇（ＹＶＯ４）晶体用作激光晶体的优点．     

铒离子在钨酸锌晶体中的光谱性质

本文测量并分析了ZnWO_4∶Er晶体的吸收光谱、激发光谱和荧光光谱,发现Er~(3+)离子与基质晶格之间存在能量传递效应。用Judd-Ofelt理论计算了Er~(3+)离子的强度参数Ω_λ以及吸收和辐射跃迁的振子强度,并由此计算出激光能级辐射跃迁几率、辐射寿命、积分发射截面及荧光分支比等光谱参数。讨论了ZnWO_4∶Er晶体几个主要通道实现激光输出的可能性。     

Na_5Tm（WO_4）_4发光晶体的光谱特性研究

以Ｎａ２ＷＯ４为助熔剂，采用缓冷法成功地生长出新型发光晶体Ｎａ５Ｔｍ（ＷＯ４）４，晶粒尺寸为２ｍｍ×２ｍｍ×２ｍｍ。根据四方晶系面间距公式及最小二乘法，可以确定晶体的晶胞参数ａ＝１．１３８６ｎｍ，ｃ＝１．１２８３ｎｍ，测定并分析了该晶体室温下的红外光谱、吸收光谱、发射光谱及激发光谱。根据Ｊｕｄｄ－Ｏｆｅｌｔ理论计算了Ｔｍ３＋离子的吸收振子强度和配位场作用强度参数。结果表明该晶体有可能成为一类很重要的蓝色发光材料。     

Auger and radiative recombination of acceptor bound excitons in semiconductors

We report on a theoretical and experimental study of acceptor bound exciton recombination. We present calculations of phononless Auger and radiative recombination in direct and indirect band gap materials. We consider hydrogenic acceptors in the direct band gap material Hg_1−xCd_xTe in which the band gap can be varied by changing alloy composition. We present calculations of the Auger transition rate and no-phonon oscillator strengths for the common acceptors in Si and Ge. We have measured the bound exciton lifetimes and no-phonon oscillator strengths for the acceptors in Si and find reasonable agreement with the calculated values.     

Radiative transition probabilities within the 4f3ground configuration of Nd:YAG

The absolute intensities of 20 absorption bands between 2.5 and 0.25 μ have been measured for Nd:YAG at room temperature. These bands are forced electric dipole transitions between the⁴I_{9/2}ground manifold and 34 excitedJmanifolds of the Nd³⁺ion. The transition intensities have been accounted for in terms of three phenomenological parameters with an rms error of 10 percent. The intensity parameters are used to evaluate the line strengths for excited-state absorption from the metastable⁴F_{3/2} Jmanifold. Significant line strengths are predicted at wavelengths near 1.06 and 1.35 μ, suggesting the possibility of radiative depumping of the⁴F_{3/2}upper laser level via the stimulated emission field.