MAMA紫外探测器系统与高增益MCP（二）

介绍了多阳极微道板阵列紫外探测器系统的最新结构与性能，以及高增产佃ＭＣＰ工作的基本特性，并给出了对各类高增益ＭＣＰ测试的结果。     

MAMA紫外探测器系统与高增益MCP

介绍了多阳极微道板阵列紫外探测器系统的最新结构与性能，以及高增益ＭＣＰ工作的基本特性，并给出了对各类高增益ＭＰＣ测试的结果。     

一种新的高增益MCP的设想

本文从理论上提出了一种高增益 MCP 的设想,即在现有的 MCP 通道内壁蒸镀上一层对本工作区域比较敏感的材料,使 MCP 的发射层与电子补充层从几何位置上分开。为了实现这一结构,本文提出了一些方法,供国内 MCP 研制与生产单位参考。从理论上来说,在成型后的 MCP 增益不符合要求时,可能使用这种方法通过后期工艺处理得到合格的 MCP;对于合格的 MCP,可以使其增益更高,从而能在低工作电压下使用,延长寿命减少噪声。     

全固态高灵敏紫外探测器技术的研究进展

全固态高灵敏度的半导体紫外探测器性能优越,在多个领域有着广泛的应用需求。文章简要综述了该类技术的研究进展,并对其发展趋势进行了展望。     

原子磁力仪系统高增益平衡光电探测器的设计

为了实现对原子磁力仪系统中微弱、发散、快速调制的光信号的精密检测,克服传统平衡探测器接光面积小、增益小、光电管间距不可调及与自由空间光信号探测不兼容等缺点,采用基于基尔霍夫定律的平衡差分放大法和基于平行轨道焊盘的精调方法,设计并制作了高增益平衡光电探测器,并介绍了其工作原理和结构组成。首先,针对光斑发散大和调制速率快的特点确定了具有10 mm×10 mm大接光面积的高速光电管;然后设计了双管中心间距从20~60 mm连续可调的平行轨道焊盘,增强其对各种光学系统的兼容性;最后,利用两级放大电路设计实现了高增益特性。实验结果表明,该探测器-3 dB带宽达到800 kHz,信号跨阻增益达0.91 MΩ,在70 kHz 时的信噪比为38.5 dB,能够满足原子磁力仪系统光信号检测的要求。     

背照式高量子效率AlGaN日盲紫外探测器设计

高量子效率、高UV/VIS抑制比、宽的光谱响应范围、快的响应速度是AlGaN紫外探测器设计追求的主要目标。为了获得适宜于紫外焦平面阵列的探测器结构,结合MOCVD外延材料生长的特点,采用模拟计算与实验相结合的方法,设计了背照式高量子效率AlGaN日盲探测器。详细介绍了背照式AlxGa1-xN-pin紫外探测器结构参数设计的依据和设计过程,并给出了设计结果,通过工艺实验,对设计结果进行了优化。应用设计结果进行了器件试制,经测试试制器件,其峰值响应波长为270 nm,光谱响应范围为250～282 nm,峰值量子效率达到了57%（0V）,实验表明取得了比较理想的设计结果。     

高量子效率和高增益多元混成光电探测器的研制

一种由光电阴极和多元雪崩二极管构成的混成光电探测器在几年前已研制出来．先前的研究表明,通过减少多元雪崩二极管入口处耗尽层中电荷损耗的波动,这种器件在高分辨率光子计数方面的潜能可望得到进一步增强．本文报导新研制的混成光电探测器,其封装的多元雪崩二极管具有更薄的耗尽层．实验证明,新的混成光电探测器具有高得多的能量分辨率,它能更清楚地计数至9个光电子．本文还讨论了如何提高混成光电探测器的光电阴极的灵敏度。     

高饱和电流光电探测器在低噪声系数和高增益RoF光链路中的应用

研究了光载无线通信(RoF)链路中掺Er3+光纤放大器(EDFA)对链路噪声系数(NF)和增益的影响,同时采用自制的具有高响应度、高饱和功率特性单载子传输光电探测器(UTC-PD)作为链路光电转换器件,在不以NF为代价的同时使得链路增益性能获得大幅提升。实验表明,对于由LD、马赫-曾德调制器(MZM)、EDFA、光滤波器(OBPF)和UTC-PD组成的RoF光链路,在LD输出功率为17dBm、UTC-PD的输出平均光电流为60mA时得到最低链路NF为30.3dB,相比不含EDFA的基本链路在LD输出光功率同为17dBm时的NF略小0.4dB;同时链路增益高达15.5dB,相比基本链路大幅提升了41.3dB。     

紫外及可见光探测器光谱响应测试系统的研制

设计与研制了紫外及可见光探测器光谱响应测试系统。系统包括:复合光源室;三光 栅单色仪和复合探测器室,由计算机配套专用软件对光源、单色仪和信号接收进行自动控制和处理。测试原理采用了参考探测器替代法测定待测探测器的光谱响应度,重点解决测量精度和稳定性的技术关键,通过反复测试证明,系统性能稳定并具有结构紧凑,全自动和操作方便等特点。     

SiC紫外光电探测器高反压下增益性能的研究

用宽禁带半导体n-4H-SiC和金属Au作肖特基接触,Ti、Ni、Ag合金作背底,形成欧姆接触,研制出Au/n-4H-SiC肖特基紫外探测器.文章测试并分析了器件在高压下的紫外光电响应的高增益特性,反压150 V下,增益可达到3.8×104.在高反压下(100 V以上),探测器的光谱响应曲线出现了锐上升和锐截止,在260～380 nm之间,有非常平稳的光谱响应;在高温533 K无偏压下,紫外响应特性仍然保持良好.     

新型紫外探测器及其应用

综述了我所研制的新型紫外探测器的工作原理、结构设计。介绍了这类具有极高灵敏度和超快时间响应探测器的主要技术性能及其在高技术武器装备和民用市场的潜在应用。     

半导体紫外探测器技术进展

介绍了几种新型半导体紫外探测器。列出了这类探测器的各项用途及优点，并对其结构，制作方法以及性能作出了简要说明。N化物半导体紫外探测器具有探测波长范围可调，可靠性好等优点，可以认为是半导体紫外探测器发展的主要方向。     

GaN p-i-n紫外探测器的研制

研制了一种GaN p-i-n型单元器件,详细地讨论了该器件的制备工艺,并对该器件进行了光电性能测试.测试结果表明,器件的正向开启电压在2 V左右,零偏动态电阻R0约为1010～1011 Ω,最大峰值响应率在365 nm处为0.18～0.21 A/W,器件的上升响应时间和下降时间分别为2.8和13.4 ns.     

日盲型AlGaN PIN紫外探测器的研制

采用MOCVD方法在双面抛光的(0001)蓝宝石衬底上生长了高铝组分AlGaN材料,研制出日盲型AlGaN PIN紫外探测器.详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺,并对该器件进行了光电性能测试.测试结果表明:器件的正向开启电压约为4.5 V,反向击穿电压大于20 V;常温下(300 K),该器件在3 V反向偏压下的暗电流约为50 pA,在零偏压下270 nm处峰值响应度达到0.12 A/W,长波截止波长小于285 nm.     

日盲型AlGaN pin串联紫外探测器

对采用MOCVD生长的AlGaN pin结构上制备的背照日盲型3×3AlGaN串联紫外探测器进行了光电性能的研究。室温下单元探测器的峰值响应在278nm为0.03A/W。串联器件的正向开启电压随器件个数增加而增大,串联特性使得其暗电流较小,光生电压随器件个数的增加呈线性变化,串联器件在氙灯照射下能达到近15V的光生电压。文中还对I-V测试采样中存在的零点漂移做了分析,试给出从实验结果计算反向饱和电流密度的方法。     

AlGaN基p-i-n型日盲紫外探测器材料的研制

采用金属有机气相外延(MOCVD)方法在(0001)面蓝宝石衬底上生长了AlN和高铝组分AlGaN材料。通过优化AlN和AlGaN材料的生长温度、生长压力和Ⅴ族元素/Ⅲ族元素物质的量比(nⅤ/Ⅲ)等工艺条件,得到了高质量的AlN和高铝组分AlGaN材料。AlN材料X射线双晶衍射ω(002)半宽为74 arcsec,透射光谱测试带边峰位于205 nm,带边陡峭;Al组分为45%的AlGaN材料X射线双晶衍射ω(002)半宽为223 arcsec,透射光谱测试带边峰位于272 nm,带边陡峭。采用此外延工艺方法生长了AlGaN基p-i-n型日盲紫外探测器材料并进行了器件工艺流片,研制出AlGaN基p-i-n型日盲紫外探测器,响应峰值波长为262 nm,在零偏压下的峰值响应度达到0.117 A/W。     

紫外探测器及其研究进展

最近,人们越来越关注紫外光的辐射与测量。本文主要介绍了紫外探测器的原理和研究现状。     

光电检测器及其在光纤通信系统中的应用

本文简述了适用于宽频带光纤通信系统中高灵敏度红外光导检测器的特性，包括适用波长范围从０．３μｍ到１０．６μｍ的红外非本征光电导体和本征光电导体材料，最后还介绍了一些正在开发研制的光电检测器和它们在可见光以及红外光通信系统中的应用。     

Ⅲ族氮化物紫外探测器及其研究进展

文中简单介绍了紫外波段光电探测的基本特点,包括各波段特点、大气吸收等,并粗略 介绍了紫外探测的部分应用。然后对Ⅲ族氮化物宽禁带紫外探测器材料体系的研究进展进行了回顾,重点介绍了包括P型材料的制备、金属半导体接触、材料的蚀刻等方面;最后,对国内外近期的紫外探测器特别是紫外焦平面器件的研究进展作了一些评述。     

热释电探测器及其应用

详细论述了热释电探测器的工作原理，推导出探测器电流响应率、电压响应率、等效噪声功率和探测率的解析表达式，得出了电压响应率、电流响应率与斩波频率的关系。给出热释电材料的选择原则，介绍了热释电探测器的目前应用领域及未来可能的应用领域。