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分析和解决了开关电源TPS54350在小负载应用电路下的失效问题.通过对失效器件进行外观镜检、I-V曲线测试、X线检查,对典型应用电路的分析和异常测试波形分析找到了器件失效的根本原因.TPS54350典型应用电路在下电时存在反灌电流,且外接欠压保护电阻,由此引起的输入电压波动对输出使能ENA端间接干扰,从而使器件误启动,造成输出端电流反灌入器件,导致器件内部电路出现闩锁失效.采用TPS54550替换TPS54350(ENA端抗干扰能力更强),并去除UVLO端欠压保护电阻,解决失效问题,稳定地实现12 V转5 V,电流约为100 mA的小负载应用. 相似文献
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恩云飞 《电子产品可靠性与环境试验》1996,(4):45-49
光辐射检测技术是一种新的失效分析技术,它能确定器件失效部位,区分失效机理,还可以进行光谱分析。这项技术可用来研究器件的PN结退化,寄生晶体管效应,热电子退化、、I/O保护电路中的ESD技术,介质层漏电和击穿退化等,具有灵敏度高,非接触,非破坏的特点。本文对光辐射检测技术及其在器件失效分析方面的应用情况作了一个全面的介绍。 相似文献
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(上接2009年第3期79页)
3.5.11浪涌抑制器件的组合应用
有时候靠一个浪涌抑制器件(SPD)很难满足所有的需求,为了优化SPD的浪涌抑制性能,同时减小生产成本,可以将多个SPD组合使用。图3AT是一个能够承受高功率的气体放电管(GDT)和一个箝位动作迅速的金属氧化物压敏电阻(MOV)的组合应用情况。GDT被触发后可以吸收大部分浪涌能量,当产生过压时,串联电感可以使GDT触发,而MOV可以保护负载不受GDT触发电压的影响。 相似文献
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分析和解决了开关电源TPS54350在小负载应用电路下的失效问题。通过对失效器件进行外观镜检、I-V曲线测试、X线检查,对典型应用电路的分析和异常测试波形分析找到了器件失效的根本原因。TPS54350典型应用电路在下电时存在反灌电流,且外接欠压保护电阻,由此引起的输入电压波动对输出使能ENA端间接干扰,从而使器件误启动,造成输出端电流反灌入器件,导致器件内部电路出现闩锁失效。采用TPS54550替换TPS54350(ENA端抗干扰能力更强),并去除UVLO端欠压保护电阻,解决失效问题,稳定地实现12V转5V,电流约为100mA的小负载应用。 相似文献
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ZnO压敏电阻冲击电流寿命分布的试验研究 总被引:4,自引:4,他引:0
对氧化锌压敏电阻(MOV)样品进行了最大放电电流下的冲击电流寿命试验,得出了每只样品在失效前所能承受的冲击次数;通过对大量样品冲击电流寿命的统计分析,证明了MOV在冲击电流作用下的失效率服从威布尔(weibull)分布,从而为确定MOV的失效前平均寿命和保证寿命提供了依据。 相似文献
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常用电路保护器件的主要失效模式为短路,瞬变电压抑制器(TVS)亦不例外.TVS一旦发生短路失效,释放出的高能量常常会将保护的电子设备损坏,这是TVS生产厂家和使用方都想极力减少或避免的情况.通过对TVS筛选和使用短路失效样品进行解剖观察获得其失效部位的微观形貌特征.结合器件结构、材料、制造工艺、工作原理、筛选或使用时所受的应力等,采用理论分析和试验证明等方法分析导致TVS器件短路失效的原因.分析结果表明引发TVS短路失效的内在质量因素包括粘结界面空洞、台面缺陷、表面强耗尽层或强积累层、芯片裂纹和杂质扩散不均匀等,使用因素包括过电应力、高温和长时间使用耗损等. 相似文献
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通过器件级仿真来评估ESD保护器件的鲁棒性的方法,对ESD电路的关键设计参数进行了研究.通过器件仿真软件MEDICI对栅极到源极接触孔的距离,栅极到漏极接触孔的距离以及栅极的宽度和长度对ESD性能的影响进行了研究,并分析了它们的失效机理.从而得出经验公式,可以在流片前估算出器件的ESD失效电压.通过在设计阶段预测器件的ESD性能可以缩短设计周期,节约成本. 相似文献