PDMS微流控芯片中的微通道加工技术

传统加工方法制作PDMS微流控芯片中的微通道存在诸多限制,特别是难以实现复杂三维微通道的加工。首先介绍了微通道的传统加工方法,接着简要介绍了不同3D打印技术的基本原理,最后重点阐述了3D打印技术在PDMS微流控芯片微通道加工中的应用。未来,微流控芯片中微通道的加工将会向着高通量、低成本、高精度、三维化、集成化、微型化的方向发展。3D打印、以纳米压印为主要代表的微纳制造技术与传统微通道成型技术的不断融合,为研究人员提供了更多的思路,必将成为微通道加工中的重要技术手段,推动微流控芯片在生物医学、检验检疫、分析化学等领域更广泛的应用。     

MMIC在T/R组件中的应用

采用单片微波集成电路(MMIC)芯片技术和多芯片组件(MCM)微组装工艺,设计了一款小尺寸双通道发射接收(T/R)组件.组件由环形器、限幅器芯片、低噪声放大器(LNA)芯片、幅相控制多功能芯片、驱动放大器芯片和功率放大器芯片(PA)等部分构成.基于GaAs的LNA MMIC芯片具有更低噪声系数,基于GaN的PA MMIC芯片具有更高的输出功率及功率附加效率.组件接收通道采用基于GaAs的LNA芯片,发射通道采用基于GaN的PA芯片,设计了针对发射通道驱动放大器与功率放大器的协同脉冲调制电路.研制的T/R组件在8～12 GHz的频带内:接收通道在工作电压+5 V连续波的条件下,小信号增益大于20 dB,噪声小于3 dB;发射通道在周期1 ms,脉宽10％的调制脉冲条件下,脉冲发射功率大于46 dBm.T/R组件外形尺寸为70 mm×46 mm×15 mm.     

芯片微通道换热研究综述及展望

随着电子芯片发展的高度集成化,散热问题日益凸显,芯片微通道散热器以其优越的散热性能而被广泛应用。文章从影响微通道散热器性能的主要因素,即流动工质、微通道结构、制作材料三个方面对最新研究成果进行综述。通过对各种研究结果的分析,发现一些常规槽道中被忽略的因素,如槽道宽高比、进出口效应、表面粗糙度、槽道孔隙率等会对芯片微通道散热器的换热性能产生较大的影响。同时指出了目前研究工作中存在的不足,展望了芯片冷却用微通道散热器的发展前景,并提出了新的研究思路。     

基于分形理论的三维系统封装微通道布局设计

为了更好地解决大功率三维系统封装(3D-SIP)芯片散热的问题,将分形理论和翅片型微通道相结合,应用于微米级的微通道布局中,形成新型的平行翅片型微通道、交错翅片型微通道、树状翅片型微通道3种布局.在ANSYS的FLOTRAN中建立了相应模型,得到了大功率芯片结温、芯片温差和3D-SIP的热阻,比较了3种微通道布局对大功率3D-SIP散热特性的影响.研究结果表明,相比其他两种微通道布局,树状翅片型微通道布局使3D-SIP的大功率芯片散热效果最好,为大功率3D-SIP的散热设计提供了很好的参考依据.     

新型触摸传感器芯片结合了滚动功能和高达6个独立按键

英国电荷转移电容式触摸芯片制造商Quantum Research Group,发布了10通道的QTouch传感器芯片QT1102。借助这个芯片,设计人员可以设计出滚动传感器,例如触摸滑动条或者转轮,该芯片同时还具有另外6个独立的按键通道。只需要简单的改变一个外部电容,就可对每个通道单独进行灵敏度调节。通过     

电子束重复曝光加工PCR微通道的工艺研究

对PCR微流控芯片通道中流体的流动特性进行了分析,发现流体在横截面为圆形的通道中流动时由摩擦引起的等效水头损失及表面张力均小于微矩形通道。以此为依据,将PCR芯片微通道优化设计成圆形通道。在JSM-5CF电子束曝光机上采用束斑尺寸80nm、能量20keV的电子束对1μm厚的聚甲基丙烯酸甲酯进行了单次曝光剂量40μC/cm2的8次重复增量扫描曝光实验,显影后得到的PCR芯片微圆通道轮廓清晰,边缘连续光滑。证明了电子束重复增量扫描曝光方式制作PCR微流控芯片微圆通道的可行性。     

一种新型的微流体测量芯片的设计

介绍了一种新型的集成反熔丝和光敏二极管的微流体测量芯片的设计。将反熔丝发光二极管及光敏接收二极管集成到微流体装置可以通过结合集成电路技术和微加工技术来实现。这种新型的微流体芯片包括一个光敏二极管探测器,硅微通道和一个纳米级的反熔丝发光二极管。还介绍了反熔丝发光二极管的结构及工作原理、芯片的结构和制作方法、芯片的应用及其应用仿真。该芯片结合外流路装置可以检测流体的流速、通道中流体的吸收率、通道中流体在某介质中的折射参数以及液体中的气泡、微粒等。     

D类音频功率输出级芯片AD1991及其应用

AD1991是两通道BTL或四通道SE D类音频功率输出级芯片。文中主要介绍了AD1991的特点、引脚功能和工作原理，给出了该芯片的几种不同通道模式的应用电路。     

卓联公司推出创新记录的语音回声消除(VEC)芯片

<正> 世界领先的通讯及医疗芯片供应商卓联半导体公司近日宣布推出在通道密度、性能和价格方面创造业界新纪录的系列语音回声消除(VEC)器件。 新推出的288通道ZL50212和256通道ZL50211器件是业界容量最大、功耗最低、成本最经济的VEC芯片。     

基于GaN HEMT的13～17 GHz收发多功能芯片

基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺设计制作了一款收发(T/R)多功能芯片(MFC),主要用于射频前端收发系统.该芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关用于选择接收通道或发射通道工作,芯片具有低噪声性能、高饱和输出功率和高功率附加效率等特点.芯片接收通道的LNA采用四级放大、单电源供电、电流复用结构,发射通道的功率放大器采用三级放大、末级四胞功率合成结构,选通SPDT开关采用两个并联器件完成.采用微波在片测试系统完成该芯片测试,测试结果表明,在13～ 17 GHz频段内,发射通道功率增益大于17.5 dB,输出功率大于12W,功率附加效率大于27％.接收通道小信号增益大于24 dB,噪声系数小于2.7 dB,1 dB压缩点输出功率大于9 dBm,输入/输出电压驻波比小于1.8∶1,芯片尺寸为3.70 mm×3.55 mm.