毫米波悬臂梁串联反射型接触式RF-MEMS开关的研究

介绍了毫米波悬臂梁接触式反射型RF-MEMS串联开关芯片的设计、制造和测试.采用三维电磁场仿真软件Ansoft HFSS进行仿真和优化设计,开关芯片尺寸为:0.8mm×0.95mm×0.4mm,芯片测试结果为:在50GHz频率插入损耗为1.1dB,隔离度测试值约为23dB,设计和测试的结果吻合较好.这种RF-MEMS开关可在毫米波系统中广泛应用.     

一种采用新型复合沟道GaN HEMTs低噪声分布式放大器

设计研制了一种新型的低噪声分布式放大器，采用了栅长为1μm的低噪声复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT (CC-HEMT). 给出了低噪声分布式放大器的仿真和测试结果. 测试结果显示低噪声分布式放大器在2~10GHz频率范围内，输入和输出端口驻波比均小于2.0，相关增益大于7.0dB，带内增益波纹小于1dB . 在2~6GHz频率范围内，噪声系数小于5dB；在2~10GHz频率范围内，噪声系数小于6.5dB; 测试结果与仿真结果较吻合.     

带有电流告警的平衡式低噪声放大器的设计仿真与实现

给出了一种带有电流告警的集成低噪声放大器的设计方案和测试结果,采用集总元件和微带线混合匹配的网络,利用ADS软件完成设计和仿真.放大器在1 710～1780 MHz频率范围内,增益为16.5±0.5 dB,噪声系数小于1 dB,回波损耗大于20 dB.测试结果满足给定指标的要求,证明了该设计方案的可行性.     

一种采用新型复合沟道GaN HEMTs低噪声分布式放大器

设计研制了一种新型的低噪声分布式放大器,采用了栅长为1μm的低噪声复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT(CC-HEMT).给出了低噪声分布式放大器的仿真和测试结果.测试结果显示低噪声分布式放大器在2～10GHz频率范围内,输入和输出端口驻波比均小于2.0,相关增益大于7.0dB.带内增益波纹小于1d8.在2～6GHz频率范围内,噪声系数小于5dB;在2～10GHz频率范围内,噪声系数小于6.5dB;测试结果与仿真结果较吻合.     

一种2.45GHz圆极化二元微带天线阵列

本文设计了一种2.45GHz二元圆极化微带天线阵列,天线单元采用开槽的圆形贴片形式.测试结果表明:在工作频段内,其仿真和测试结果吻合,回波损耗为-23.01dB,相对带宽为9.8%(VSWR 2),方向图良好,增益大于12dB.     

S波段低噪声放大器设计

首先分析了低噪声放大电路的稳定性,功率增益及噪声系数的影响因素及改进方法;然后设计了一个中心频率为2.45 GHz,工作带宽为100MHz的S波段低噪声放大器.仿真结果表明,该放大器的噪声系数小于1 dB,功率增益大于28 dB,增益平坦度小于1 dB,输入/输出驻波比小于2:1.通过传统的电路板制作工艺实际制作了放大器电路,测试结果和仿真结果较一致.     

一种识别雷达用半集总参数LTCC双工器

介绍了一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)工艺研制而成的小型化半集总高隔离度双工器.该双工器由L波段集总参数低通滤波器和X波段阶跃阻抗( SIR)分布参数带通滤波器组成.通过电磁仿真软件的仿真优化,实际加工滤波器的测试结果与软件仿真结果吻合.其中低通滤波器1dB截止频率为1.46GHz,带通滤波器中心频率为8.3GHz,1dB带宽为0.6GHz,通带内插损小于3.5dB,X波段端口对L波段端口隔离度大于60dB.该小型化LTCC双工器已成功应用于某毫米波战场识别系统的T/R组件中.     

双轴同轴型微波介质滤波器的仿真与设计

在介绍双轴同轴型谐振微波介质滤波器结构及工作原理基础上,利用理论公式计算与HFSS10.0三维有限元仿真的混合设计方法,设计了满足性能要求(插入损耗为–3dB以上;–3dB带宽为18MHz以上)的微波介质滤波器。滤波器试样实际测试结果表明,该设计方法正确可行,测试结果与仿真结果有很好的一致性,最终设计出的滤波器插入损耗为–2.83dB,–3dB带宽为35MHz。     

三波长泵浦实现平坦C L-band光纤拉曼放大

本文介绍了采用三波长泵浦实现C+L- band的拉曼放大器的设计与实现.论文首先给出了理论计算与仿真结果,并在此结果的指导下完成了拉曼放大系统实验系统.测试结果表明,本论文研制的拉曼放大系统可以实现在1 536～1 607 nm,共71 nm带宽范围内的平坦放大,其平均增益为10.5 dB,增益平坦度小于±0.5 dB纹波不超过1 dB.研制的拉曼放大系统的最大有效噪声系数小于一2.96 dB,平均为一3.2 dB.研制的拉曼放大系统同时具有优良的偏振无关特性,测试得出的最大偏振相关增益小于0.4 dB.     

340 GHz返波振荡器输能窗的设计与实验

为340 GHz 返波振荡器设计了输能窗,并对其进行了设计分析及仿真模拟计算.计算结果表明,该窗在327 GHz-347 GHz 频段内的反射系数优于30 dB.对窗片进行金属化,焊接输能窗,封接出气密性良好的输能窗,对输能窗进行测试.测试结果表明,该窗在333 GHz-367 GHz频段内反射系数优于10 dB,其中,在336 GHz-344 GHz 频段内优于15 dB,传输损耗7 dB 左右.对模拟结果与实测结果的偏差进行了分析,为进一步优化输能窗奠定基础.     

Optimum Design for a Low Noise Amplifier in S-Band

An optimum design of a low noise amplifier (LNA) in S-band working at 2-4 GHz is described. Choosing FHC40LG high electronic mobility transistor (HEMT), the noise figure of the designed amplifier simulated by Microwave Office is no more than 1.5 dB, meanwhile the gain is no less than 20 dB in the given bandwidth. The simulated results agree with the performance of the transistor itself well in consideration of its own minimum noise figure (0.3 dB) and associated gain (15.5 dB). Simultaneously, the stability factor of the designed amplifier is no less than 1 in the given bandwidth.     

Optimum Design for a Low Noise Amplifier in S-Band

An optimum design of a low noise amplifier （LNA） in S-band working at 2-4 GHz is described. Choosing FHC40LG high electronic mobility transistor （HEMT）, the noise figure of the designed amplifier simulated by Microwave Office is no more than 1.5 dB, meanwhile the gain is no less than 20 dB in the given bandwidth. The simulated results agree with the performance of the transistor itself well in consideration of its own minimum noise figure （0.3 dB） and associated gain （15.5 dB）. Simultaneously, the stability factor of the designed amplifier is no less than 1 in the given bandwidth.     

5.6GHz CMOS低噪声放大器设计

分析了一种射频COMS共源-共栅低噪声放大器的设计电路,采用TSMC 90nm低功耗工艺实现。仿真结果表明:在5.6GHz工作频率,电压增益约为18.5dB;噪声系数为1.78dB;增益1dB压缩点为-21.72dBm;输入参考三阶交调点为-11.75dBm。在1.2V直流电压下测得的功耗约为25mW。     

GPS接收机低噪声放大器设计

选用噪声系数较低的Agilent E-PHEMT ATF-54143晶体管,采用集总元件网络匹配方法,设计实现了一种GPS接收机前端低噪声放大器。通过运用Agilent公司的微波软件ADS进行设计、仿真和优化,在PTFE基板上制作实现了该放大器。实测结果显示,在1 520～1 600 MHz工作频带内,噪声系数<05 dB,小信号增益>16 dB,输入驻波比<2,输出驻波比<15。     

0.18m CMOS工艺3.1～5.2GHz低噪声放大器

基于共源级联放大器的小信号模型,详细分析了宽带放大器的输入阻抗特性和噪声特性。利用MOS晶体管的寄生容性反馈机理,采用TSMC公司标准0.18μmCMOS工艺设计实现了单片集成宽带低噪声放大器,芯片尺寸为0.6mm×1.5mm。测试结果表明,在3.1～5.2GHz频段内,S11<-15dB,S21>12dB,S22<-12dB,噪声系数NF<3.1dB。电源电压为1.8V,功耗为14mW。     

一种采用噪声抵消及多重功耗优化技术的UWB-LNA

采用噪声抵消及多重功耗优化技术,提出了一种超宽带低噪声低功耗放大器。它主要包括采用RL网络的共栅输入级、电流复用型噪声抵消级、放大输出级以及偏置电路四个部分。验证结果表明,该放大器,在2-6GHz频带内,增益(S21)可以在14dB以上;输入回波损耗(S11)小于-10dB;输出回波损耗(S22)小于-25dB;噪声系数(NF)小于3.2dB;在3.8V的工作电压下,功耗仅为14mW。     

2.4GHz可变增益CMOS低噪声放大器设计

设计了一款工作在2.4GHz的可变增益CMOS低噪声放大器,电路采用HJKJ0.18μm CMOS工艺实现。测试结果表明,最高增益为11.5dB,此时电路的噪声系数小于3dB,增益变化范围为0～11.5dB。在1.8V电压下,电路工作电流为3mA。     

A 0.18μm CMOS low noise amplifier using a current reuse technique for 3.1-10.6 GHz UWB receivers

A new,low complexity,ultra-wideband 3.1-10.6 GHz low noise amplifier(LNA),designed in a chartered 0.18μm RFCMOS technology,is presented.The ultra-wideband LNA consists of only two simple amplifiers with an inter-stage inductor connected.The first stage utilizing a resistive current reuse and dual inductive degeneration technique is used to attain a wideband input matching and low noise figure.A common source amplifier with an inductive peaking technique as the second stage achieves high flat gain and wide -3 dB bandwidth of the overall amplifier simultaneously.The implemented ultra-wideband LNA presents a maximum power gain of 15.6 dB,and a high reverse isolation of—45 dB,and good input/output return losses are better than -10 dB in the frequency range of 3.1-10.6 GHz.An excellent noise figure(NF) of 2.8-4.7 dB was obtained in the required band with a power dissipation of 14.1 mW under a supply voltage of 1.5 V.An input-referred third-order intercept point(IIP3) is -7.1 dBm at 6 GHz.The chip area,including testing pads,is only 0.8×0.9 mm2.     

S 频段pHEMT 双通道低噪声放大器芯片的设计

采用GaAs 0.13μmp HEMT MMIC流片工艺设计和制作了一种S频段双通道低噪声放大器芯片,芯片内部集成了两个低噪声放大器通道、一级单刀双掷(SPDT)开关和一个晶体管-晶体管逻辑(TTL)电平转换电路。低噪声放大器电路采用一级共源共栅场效应管(Cascode FET)结构实现,使其具有比单管更高的增益,简化了芯片拓扑,降低了芯片设计难度。经流片测试,在1.9~2.1GHz的工作频带内,芯片噪声系数优于1.4dB,增益大于22.5dB,输入驻波优于1.8,输出驻波优于1.4,输出1dB压缩点(P1dB)为10dBm。大量芯片样本在片测试统计数据表明该低噪声放大器成品率大于90%,性能指标优于目前同类商业芯片指标。     

C波段低噪声放大器设计的要点

介绍了用微波工作室软件对C波段低噪声放大器的设计及调试.设计制作的C波段低噪声场效应管放大器,采用全微带匹配网络,利用NEC公司生产的场效应管N32584C,两级级联,用微波工作室软件进行设计、仿真和优化,实现在4.4～5.1GHz范围内增益30dB左右,噪声系数小于0.8dB.用Prote199SE画印制板,该放大器制作在聚四氟乙烯基板上.