LT1468低噪声低失真运算放大器及其应用

LT1468是Analogue Linear Technology公司最新设计的单个可折叠式共基共射型运算放大器.利用LT1468可以克服其它类型放大器带宽窄、转换速率低和建立时间长等缺陷.LT1468运算放大器可应用于16位系统,且能有效抑制滤波器和仪器本身精度所带来的失真.     

1.8Vpp 250MS/s低谐波失真流水线ADC

采用40nm CMOS工艺设计了一款在250MS/s采样率下具有1.8Vpp满摆幅和低谐波失真性能的流水线ADC（Analog-to-Digital Converter）.针对传统源跟随器结构的输入缓冲器在大摆幅下驱动大采样电容时线性度恶化的问题,采用了改进型电流注入技术和漏端电压自举技术.ADC中实现采样和电荷转移功能的开关采用薄栅器件设计,其工作电压由片上LDO（Low Dropout Regulator）提供,在降低开关寄生和电荷注入的同时保障了器件的可靠性.测试结果表明,对于10.1MHz单音输入,该ADC在-1dBFS下的信噪失真比、无杂散动态范围和总谐波失真分别为68.3dB、76.4dBc、-75.1dBc,在-1.57dBFS下的信噪失真比、无杂散动态范围和总谐波失真分别达68.3dB、80.1dBc、-78.6dBc.     

快速,低失真电压反馈式运算放大器

概述:AD9631/9632的大信号带宽为175/180MHz,失真特别小,AD8036/8037具有可变电压箝位输出。 AD9631、AD9632、AD8036和AD8037电压反馈式运放由AD公司XFCB(超高速互补双极性)工艺制造,以低价格提供了非常突出的性能。AD9631和AD8036在单位增益时稳定(G≥±1),而AD9632和AD8037胜任电压增益幅值≥+2V/V或-1V/V的应用场合。两个系列的性能完全     

低失真CMOS连续时间Butterworth滤波器电路的设计

介绍了一种CMOS工艺下实现的连续时间滤滤器。该滤波器运用了R-MOSFET-C技术来改善线性度,达到低失真。利用滤波器系统本身的环路增益,并将环内的非线元件替换,由元件本身的非线性所产生的失真大大减小。     

低失真有源混频器AD831的工作原理及应用

AD831是美国AD公司生产的单片低失真混频器,它采用双差分模拟乘法器混频电路,文中介绍了AD831的工作原理,内部电路,引脚排列及功能说明,最后给出AD831在频踪式雷达本振中的应用电路。     

模拟

TI40与80MSPS16位数据转换器;Linear1．8GHz／1．3GHz、低失真、双路ADC驱动器。     

具有温控保护的低谐波失真AB类音频功放

设计了一款应用于电视机、PC音响等系统的AB类四通道音频功率放大器.实现最低谐波失真为0.148%.同时提出了一种新型BE结负温反馈温度监控保护电路.在电路中设置温度传感器,当芯片温度高于150℃或局部温度高于180℃时,关断功率输出级2.8ms.使用先进3μm高压双极型工艺进行版图设计并成功流片.对芯片实测显示,此功放可提供1～50W的功率输出,输出效率达到35%,总谐波失真小于1%.     

McCauley双53．34cm（21in）重低频音箱

McCauley公司最新推出2款音箱：M421超低频音箱和SA154全频音箱，这2款音箱延续了McCauley的经典设计：低失真大声压输出，真实声音再现，专利ProCoat^TM涂料等。     

A 0.8 V low power low phase-noise PLL

A low power and low phase noise phase-locked loop(PLL) design for low voltage(0.8 V) applications is presented.The voltage controlled oscillator(VCO) operates from a 0.5 V voltage supply,while the other blocks operate from a 0.8 V supply.A differential NMOS-only topology is adopted for the oscillator,a modified precharge topology is applied in the phase-frequency detector(PFD),and a new feedback structure is utilized in the charge pump(CP) for ultra-low voltage applications.The divider adopts the extende...     

一种0.8V低功耗低相位噪声锁相环的设计

本文提出了一种低电压应用的低功耗、低相位噪声锁相环（PLL）。其中压控振荡器（VCO）的工作电压为0.5V,其他模块的工作电压为0.8V。为了适应极低电压下的应用,文中振荡器采用了纯NMOS差分拓扑结构,鉴频鉴相器（PFD）采用改进的预充电结构,而电荷泵（CP）采用新型负反馈结构。预分频电路采用扩展的单相时钟逻辑电路构成,它可以工作在较高的频率下,节省了芯片面积和功耗。此外还采用了去除尾电流源等设计方法来降低相位噪声。采用SMIC 0.13μm RF CMOS工艺,在0.8V电源电压下,测得在整个锁定范围内,最差相位噪声为-112.4dBc/Hz@1MHz,其输出频率范围为3.166~3.383GHz。改进的PFD和新型CP功耗仅为0.39mW,占据的芯片面积仅100μm×100μm。芯片总面积为0.63mm2,在0.8V电源电压下功耗仅为6.54mW 。     

一种集成低压低功耗电流复制电路设计

本文提出了一种集成低压低功耗电流复制电路。利用单级放大器和电压跟随器构成的负反馈回路实现对输入电压跟的跟随,利用等比例电阻实现电流的等比例复制,电路结构简单,仅由5个MOS管和2个等比例电阻构成。基于TSMC 0.18μm工艺完成电路设计,使Spectre完成电路仿真。结果表明,电路电源电压为1V时,电路静态功耗仅为1μW。在输入电流范围为0-50μA时,输出电流线性跟随输入电流,当输入电流大于3μA时,电流复制精度大于99%,电路带宽为31MHz。     

一种应用于无线传感器网络的低电压低功耗上混频器

This paper presents an up-conversion mixer for 2.4-2.4835 GHz wireless sensor networks （WSN） in 0.18 μm RF CMOS technology. It was based on a double-balanced Gilbert cell type, with two Gilbert cells having quadrature modulation applied. Current-reuse and cross positive feedback techniques were applied in the mixer to boost conversion gain; the current source stage was removed from the mixer to improve linearity. Measured results exhibited that under a 1 V power supply, the conversion gain was 5 dB, the input referred 1 dB compression point was -11 dBm and the IIP3 was -0.75 dBm, while it only consumed 1.4 mW.     

一种宽带低功耗低相位噪声的双模预分频器

本文设计了应用SCL、TPSC和CMOS静态三种类型的触发器配合工作的新型双模预分频器。与传统使用单一种类型触发器的双模预分频器相比,该双模预分频器更容易获得高速、宽带、低功耗和低相位噪声的性能。为了验证此设计的性能,采用了SMIC 0.18um CMOS 工艺流片实现。在电源电压为1.8V的条件下测试,此双模预分频器的工作频率范围从0.9 GHz 到 3.4 GHz ;当输入信号为 3.4 GHz时,其功耗为2.51mW,相位噪声为-134.78 dBc/Hz @ 1 MHz. 其核心面积为 is 57um*30um。鉴于其良好的性能,可以应用于许多射频系统的频率综合器中,特别在多标准无线通信系统中。     

一种低功耗K频段低噪声放大器

基于0.13μm锗硅(SiGe)双极型互补金属氧化物(Bipolar Complementary Metal Oxide Semi-conductor,BiCMOS)工艺,设计制作了一种高增益低功耗K频段低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA),通过优化晶体管尺寸及利用硅通孔设计高品质因数射极退化电感,降低了LNA噪声.实测结果表明,在1.6 V偏置条件下,该LNA在20 GHz的噪声系数等于1.94 dB,输入1 dB压缩点等于-29.6 dBm;18～21.3 GHz频率范围内,LNA增益大于23.3 dB,S11和S22均小于-10 dB.包含偏置电路功耗在内,芯片功耗仅21 mW,优于其他同等噪声系数的K频段SiGe BiCMOS LNA.该LNA可应用于卫星通信等K频段低功耗接收机系统.     

用于便携式健康监护设备的低功耗、低噪声模拟前端电路

本文介绍的用于处理人体生物电信号的模拟前端电路包括仪表放大器、滤波器和可变增益、带宽放大器。仪表放大器采用电容耦合输入来消除直流电极失调。基于电流反馈拓扑结构的IA通过在输入和反馈网络中采用电容分压器来降低功耗。并且,仪表放大器的输入差分对采用互补CMOS输入来提高输入跨导以减小等效输入热噪声。该电路采用Global Foundry 0.35微米 CMOS 工艺流片,电路消耗的总电流为3.96uA,电源电压为3.3V。测试得到的等效输入噪声是0.85uVrms(0.5-100Hz), 噪声能效因子值为6.48。     

A wideband low power low phase noise dual-modulus prescaler

This paper describes a novel divide-by-32/33 dual-modulus prescaler(DMP).Here,a new combination of DFF has been introduced in the DMP.By means of the cooperation and coordination among three types,DFF, SCL,TPSC,and CMOS static flip-flop,the DMP demonstrates high speed,wideband,and low power consumption with low phase noise.The chip has been fabricated in a 0.18-μm CMOS process of SMIC.The measured results show that the DMP’s operating frequency is from 0.9 to 3.4 GHz with a maximum power consumption of 2.51 mW under a 1.8 V power supply and the phase noise is -134.78 dBc/Hz at 1 MHz offset from the 3.4 GHz carrier.The core area of the die without PAD is 57×30μm~2.Due to its excellent performance,the DMP could be applied to a PLL-based frequency synthesizer for many RF systems,especially for multi-standard radio applications.     

一种基于恒定电流技术的具有低功耗和低失真的轨导轨输入输出放大器

本文提出了一种应用于音频信号处理的具有恒定的跨导Rail-to-Rail放大器,并且恒定跨导是通过一种恒定电流技术来实现。此技术是基于差分输入对工作在弱反型区。对于工作在弱反型区的MOSFET具有低失调和低功耗的优势。采用标准的0.35微米的CMOS工艺对电路进行流片,此芯片占有面积75×183 μm2。测试结果表明：在3.3V电源电压下,电路最大功耗为85.37mW;在2kHz时总谐波失真为1.2%。     

A low power and low distortion rail-to-rail input/output amplifier using constant current technique

A rail-to-rail amplifier with constant transconductance,intended for audio processing,is presented.The constant transconductance is obtained by a constant current technique based on the input differential pairs operating in the weak inversion region.MOSFETs working in the weak inversion region have the advantages of low power and low distortion.The proposed rail-to-rail amplifier,fabricated in a standard 0.35μm CMOS process,occupies a core die area of 75×183μm~2.Measured results show that the maximum power consumption is 85.37μW with a supply voltage of 3.3 V and the total harmonic distortion level is 1.2%at 2 kHz.