改进工艺提高薄膜附着力

薄膜制作技术在混合集成电路中扮演十分重要的角色。附着力的强弱是影响薄膜电路质量最关键的因素。通过实验 ,查明了膜系结构、金属相间扩散、溅射金属化气氛、清洗等方面导致薄膜起层的原因 ,并选择出最佳工艺条件。     

光电器件薄膜附着力评价方法的研究进展

薄膜与衬底的结合性能一直备受关注.在各种情况下,薄膜的性能都依赖于其与衬底的附着力大小.为了提高附着强度,需要深刻理解附着力的机理和开发合适的附着力测试技术.从基准附着力、热力学附着能和实际附着力三个不同角度提供了附着力评价途径.作为广泛使用的附着力粘接测试技术,拉脱法和压带剥落法等方法在大量样品测试方面具有独特优势,...     

薄膜电阻器瓷基体的分析研究

本文对国内外薄膜电阻器瓷基体进行了全面的测量分析,其中有宏观和微观的测量。例如:瓷基体表面粗糙度的测量和等级评定,瓷基体表面开口气孔率、吸水率、体密度的测量,在微观分析方面有:瓷基体表面形貌观察与分析,瓷基体的物相分析与测量等。 通过这些分析测量,找出它们之间的联系,并和国外同类型产品相比较,找到了差距。据此指明了今后努力的方向及提高产品质量的措施等。     

AIN基板表面处理对薄膜附着力的影响

用扫描电镜和X射线能谱分析仪研究高温氧化及薄膜工艺过程中主要溶液对氮化铝陶瓷（AIN）基板的影响。结果表明：高温氧化使表面氧含量增加，在1000℃氧化2h，表面已形成致密的氧化层。碱性溶液清洗和去离子水煮会使表面产生多孔的疏松化合物。采用高温氧化、酸性清洗、溅射前加强离子轰击等措施，磁控溅射TiCu，其薄膜膜层附着力不低于15MPa。     

AlN基板表面处理对薄膜附着力的影响

用扫描电镜和X射线能谱分析仪研究高温氧化及薄膜工艺过程中主要溶液对氮化铝陶瓷(AlN)基板的影响。结果表明:高温氧化使表面氧含量增加,在1000℃氧化2h,表面已形成致密的氧化层。碱性溶液清洗和去离子水煮会使表面产生多孔的疏松化合物。采用高温氧化、酸性清洗、溅射前加强离子轰击等措施,磁控溅射TiCu,其薄膜膜层附着力不低于15MPa。     

薄膜介质材料特性参数的测试技术

在分析采用接触式电极测量薄膜介质材料特性参数所存在问题的基础上，介绍了一种非接触式电极的测量原理和方法，并提出水银探针电极的测试技术。     

铬过渡层对银膜光学性质及附着力的影响

研究了在玻璃基底上采用不同厚度的铬膜作过渡层,对银膜的光学性质及其附着力的影响。光谱测量结果表明,随着铬膜层厚度的增加,银膜的反射率先增大后减小。与直接镀在玻璃基底上的银膜的反射率相比,铬膜层厚度为8~14nm时,银膜的反射率较低;铬膜层厚度为17~21nm时,银膜的反射率得到提高,其中铬膜厚度为17nm时,银膜的反射率最高;继续增加铬膜层的厚度,银膜的反射率又降低,说明采用一定厚度的铬膜作过渡层可以提高银膜的反射率。X射线衍射(XRD)结构分析表明,一定厚度的铬膜改善了银膜的结晶程度,使薄膜的晶粒度增大,晶界散射及缺陷减少,从而使应变减小。剥落实验证明薄膜与玻璃基底之间的附着力也得到了提高。     

多晶硅薄膜热膨胀系数的电测试结构

提出了一种新型多晶硅薄膜热膨胀系数的电测试结构,给出了热机电耦合模型和测试方法,并利用Coventor软件和ANSYS软件进行模拟和验证.分析表明模拟结果和理论结果基本一致,从而验证了该模型.该方法能够实现多晶硅薄膜热膨胀系数的在线提取,测量方便,独立性较高,以电学量形式输出,对于薄膜热膨胀系数的在线检测有一定参考价值.     

高密度通孔薄膜电路工艺技术研究

通过对薄膜电路制作工艺的系统研究,提出了一种新型的制作高密度通孔薄膜电路工艺方法,克服了高密度通孔薄膜电路对溅射用金靶、喷雾式涂胶和反应离子刻蚀等工艺技术和设备的依赖,降低了高密度通孔薄膜电路研制成本.该新型工艺方法已成功应用于延时电路、变频电路和低噪声放大器等微波组件中高密度通孔薄膜电路基板的研制.     

薄膜波导光隔离器和光电子单片集成技术

叙述了Ｂｉ，Ａｌ：ＹＩＧ薄膜的液相外延生长，研究了这种薄膜材料的光吸收系数、法拉第旋转角、磁光优值及生长感生磁各向异性与Ｂｉ含量的关系。在此基础上，连续外延生长了作单模磁光波导的双层Ｂｉ，Ａｌ：ＹＩＣ薄膜。光纤偏振器的使用使薄膜波导光隔离器向实用化迈进了一步，恒磁薄膜作偏磁场为器件集成化作出了贡献。采用ＭＯＣＶＤ技术，在ＧＧＧ（钆镓石榴石）基片上同时外延生长Ⅲ－Ⅴ族半导体薄膜和钇铁石榴石（ＹＩＧ）薄膜，把光隔离器和磁光光源直接集成在一起，是一种非常有前景的光电子集成组件。     

氧化锌薄膜生长与ZnO基薄膜晶体管制备

通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长ZnO薄膜.XRD测试显示出(002)晶面的强衍射峰,表明生长的ZnO 薄膜是主度的c轴取向.基于 ZnO 薄膜基础,我们制备了 ZnO 基薄膜晶体管.     

薄膜微型电源

介绍了新型的薄膜微型电源的工作原理、结构及制造工艺。     

Poly-Si Thin Film Grown by Excimer Laser Crystallization and Its Ellipsometric Analysis

A novel approach of two-step laser crystallization for the growth of poly-Si thin film on glass substrate is investigated. Using this approach, we fabricated poly-Si thin film transistors with electron mobility of 103 cm2/V·s and on/off current ratio of 1×10~7.They are better than those of the poly-Si TFTs fabricated by conventional single-step excimer laser crystallization. We also analyzed the structure of the laser crystallized poly-Si thin film by spectroscopic ellipsometry, and proposed the models to simulate the poly-Si thin film and calculated the ellipsometric spectra. The calculated results are in good agreement with the measured results.     

钨氮化物薄膜与GaAs接触热力学稳定性

从反应热力学计算的角度，对ＷＮｘ／ＧａＡｓ界面可能存在的界面反应，进行了估计和讨论，结果表明，ＷＮｘ薄膜在ＧａＡｓ衬底上是稳定的，这种热力学稳定性是薄膜和衬底界面接触电学性能稳定性的基本保证，实验现象与此结果相一致。     

在柔性基上真空蒸镀ITO膜

研究了柔性基（聚酰亚胺）上真空蒸镀ＩＴＯ薄膜的实验装置和工艺参数，给出了最佳工艺参数和实验结果。     

有机薄膜太阳能电池的研究进展

近年来,由于硅系太阳能电池的高纯硅原料价格昂贵,将低成本的有机半导体材料用于太阳能电池的研究越来越引起学术界的高度重视.而且有机半导体材料具有轻质量、柔韧易加工性、可低成本大面积制备等突出优点,使之具有很强的竞争力.介绍了有机薄膜太阳能电池及材料的工作原理,综述几种重要有机半导体的真空沉积镀膜法以及电池结构的研究进展.     

射频磁控溅射法制备薄膜电池电极及计算机模拟研究

本文介绍了薄膜锂离子电池电极的射频磁控溅射制备方法．研究了在特定实验条件下薄膜的生长过程及计算机模拟方法。