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相似文献
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1.
气敏器件用SnO_2薄膜材料   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用溶胶-凝胶法以SnCl2·H2O和ZrOCl2·8H2O为原料,制备出性能优良的纳米SnO2薄膜材料。用X射线衍射仪分析了晶相,TEM分析了微观结构。研究了掺杂、处理温度等对其性能的影响。在此基础上制作了SnO2薄膜气敏器件,并检测了其气敏特性。  相似文献   

2.
以SnCl4·5H2O,FeCl3·6H2O及无水乙醇为主要原料,采用溶胶凝胶法制备了SnO2∶Fe2O3混合薄膜,测量并研究了其在可见光区附近的丙酮气敏反射光谱。  相似文献   

3.
不同CO吸附类型对超细SnO_2气敏元件的作用   总被引:1,自引:0,他引:1  
本工作采用超细SnO2为基体,CO为检测气体,检测了烧结型SnO2元件在不同温度下的气敏效应.同时利用流动饱和法测试了粉体不同温度下对CO的可逆及不可逆吸附量.一方面通过新材料的使用,降低了元件的工作温度;另一方面,通过吸附测试与气敏效应的关联,认为:超细粉体低温时表面可逆CO量的存在,是其能够降低工作温度的主要原因.粉体表面的不可逆CO量直接影响着元件的响应输出(灵敏度).材料本身的吸附总量和气敏特性有着良好的对应关系.SnO2元件气敏效应的发挥是粉体表面可逆与不可逆吸附共同作用的结果.  相似文献   

4.
制备条件对SnO_2/Si性质的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了沉积温度、SnCl4溶液的浓度、掺Pd等对SnO2/Si光电压的影响,测量了SnO2/Si的光电压谱,得出最佳的制备条件,进行了有关计算和分析。  相似文献   

5.
化学沉淀法制备SnO2纳米级粉体   总被引:1,自引:0,他引:1  
用液相沉淀法,在分析纯的SnCl4·5H2O水溶液中滴加分析纯NH3含量25% ̄28%的NH4OH水溶液,得到粒度为几个纳米至二十几个内米的SnO2超细粉末;系统研究了SnCl4的浓度、滴加NH4OH水溶液的速度、干燥方法、煅烧温度及粉末中氯离子的含量对最终粉末颗粒度的影响规律,并探讨了影响机理。  相似文献   

6.
SnO_2-Sb薄膜材料的制备及气敏性能   总被引:3,自引:0,他引:3  
利用等离子体化学气相沉积法制备了SnO2-Sb导电薄膜,测试了SnO2-Sb的气敏效应。结果表明,该薄膜对NO2气体有较好的气敏特性。当测试温度升高,其气敏响应时间相差无几,但恢复时间变短,同时气敏灵敏度相对提高,当温度达到200℃以上时,灵敏度基本恒定。同时还可看出,不同阻值的薄膜其气敏灵敏度相差不大。  相似文献   

7.
杨崇志  戴国瑞 《电子学报》1996,24(2):112-114
SnO2气敏电阻在含CO空气中的振荡机理,给出了气敏电阻在含CO空气中的热学方程式,获得了振荡周期τ的近似表达式,气敏电阻起振的必要条件及振荡周期τ与CO气体浓度N、工作电压V的关系。  相似文献   

8.
sol-gel法制备微波介质陶瓷材料   总被引:10,自引:1,他引:9  
以Zr(NO3)4·5H2O、Ti(OC4H9)4、SnCl4·5H2O为原料,用溶胶-凝胶法制备了Zr-Ti-Sn系微波介质超微粉料。实验表明:温度、湿度、溶液浓度、pH值等是影响形成溶胶、凝胶的主要因素。采用合适的工艺参数能制备出高Q值的微波介质陶瓷微粉。  相似文献   

9.
利用2kWCO2激光器对不同合Si量的AI-Si合金进行了搭接扫描熔凝处理,通过SEM和TEM对激光熔凝处理后Al-Si合金的组织结构进行了观察,通过测定在不同介质条件下的阳极极化曲线,讨论了激光熔凝处理对AI-si合金耐蚀性的影响。结果表明,激光处理可改善Al-Si合金在10%H2SO4和10%HNO3溶液中的耐蚀性,而对Al-Si合金在10%HCl和5%NaCl溶液中的耐蚀性没有明显的促进作用。  相似文献   

10.
采用静电喷雾高温分解工艺制备SnO2气敏膜,并与Si3N4-SiO2集成多层介质膜,用催化金属Pt作栅电极,制成新型的MSIS结构气敏电容。通过检测平带电压的变化,研究对H2和O2的气敏特性,分析其气敏机理并提出了检测的物理模型.  相似文献   

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