聚乙烯/蒙脱土纳米复合材料光缆护套的研究

报道了一种新型光缆护套料——聚乙烯／蒙脱土（PE／MMT）纳米复合材料。在双螺杆挤出机上采用熔融插层法制备了PE／MMT纳米复合材料。用X射线衍射（XRD）测试了MMT片层间距的变化,测试结果表明形成了插层型的纳米复合材料。用差热分析（DTA）测试了复合材料的熔融温度,当MMT含量为3％时,熔融温度比纯PE增加了4．5℃。力学性能测试也表明,复合材料的抗拉强度和断裂伸长率等性能与传统的PE相比有明显提高。分析了不同反应温度和螺杆转速对制备的复合材料性能的影响。最终找出了制备PE／MMT纳米复合材料的最佳反应条件。     

脉冲激光刻蚀聚乙烯的蓝光发射

采用波长为1 064 nm的激光束在不同激光功率下刻蚀聚乙烯(PE,polyethylene)透明薄膜表面,与刻蚀前的PE相比较,在紫外灯照射下,刻蚀后的PE发出明显的蓝光.采用扫描电镜(SEM)荧光光谱和Raman光谱等方法对激光刻蚀前后样品的表面形貌、表面结构和组成进行分析.结果表明,激光刻蚀使PE表面形成C＝C双键,导致刻蚀后的PE发出明显的蓝光,激光强度的大小对PE表面物理性质和化学结构有重要的影响.     

发电厂氧化镁湿法脱硫的自动控制

介绍了太钢自备电厂7#、8#锅炉氧化镁法脱硫工艺自动控制系统的硬件配置、控制方式及功能特点,该系统的稳定可靠运行,为烟气脱硫的高效达标排放发挥了重要作用。     

纳米级β-Ni(OH)2电极材料的制备

采用均相沉淀法使ＮｉＣｌ_2溶液与沉淀剂ＮａＯＨ反应,制备出纳米级Ｎｉ（ＯＨ）_2超微粉末。用ＸＲＤ检测,证实其为电极用β－Ｎｉ（ＯＨ）_2,用ＴＥＭ对样品进行形貌分析,结果表明,所得产物为不规则的颗粒状的纳米晶,粒径为 ２０～４０ ｎｍ。研究还初步探讨了沉淀剂浓度、反应温度、配合剂用量等实验参数对纳米粉组成和结构的影响。并应用正交实验法,对工艺条件进行了优化。将制备出的纳米级Ｎｉ（ＯＨ）_２按一定比例掺入普通的球型微米级Ｎｉ（ＯＨ）_２中,充放电测试结果表明,比容量可增加约１０％。     

以聚乙烯亚胺作为电子注入层的聚合物发光器件特性研究

在传统结构与倒置结构的有机发光二极管(LED)的聚合物发光层和阴极之间加入聚乙烯亚胺(PEIE)层能够显著地提高器件的发光效率。通过采用不同厚度的PEIE层的器件发光特性研究表明:PEIE层作为电子注入层(EIL)/空穴阻挡层(HBL)来平衡器件中的电子和空穴浓度,这主要来源于PEIE作为界面偶极层,能有效地降低阴极与发光层之间的电子注入势垒。     

α-Ni(OH)2/石墨烯纳米复合材料的制备及其电容性能研究

近年来,石墨烯复合材料作为理想基底用于电极材料的生长,在电化学的许多领域都得到了广泛的应用。以石墨烯和六水合硝酸镍为原料,用NaBH_4作为还原剂,在90℃低温条件下制备合成了具有纳米尺寸的α-Ni(OH)_2/石墨烯复合材料。研究了石墨烯与α-Ni(OH)_2的质量比不同时复合材料的电化学性能。结果表明:当质量比为5∶5时,复合材料显示了最佳的电化学性能:在0～0.47 V的电位窗口,0.2 A/g的电流密度下,比容量高达1280 F/g;2 A/g的电流密度下循环充放电测试2000次后,比容量仍然保持88%。因此,该复合材料作为一种理想的复合电极材料,可被应用到能量转化/储存系统中。     

GaN衬底上纳米点阵列的制备及其应用研究

研究了纳米掩膜在材料外延生长及器件制备中的应用.通过电化学腐蚀和电子束蒸发方法在GaN表面生成Ni和SiO<,2>纳米点阵列,经过等离子体刻蚀在Ni/GaN模板上形成GaN纳米锥形结构;利用氢化物气相外延(HVPE)方法,在SiO<,2>/GaN模板上制备厚膜GaN材料.X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)谱测试表明...     

一种激光诱导灼蚀制备纳米硅的新方法

采用高强度激光灼蚀沉积(PLD)的方式,在流动N2做为保护气体的情况下,成功制备出Si纳米结构,并利用扫描电镜(SEM)、光致发光(PL)进行表征。结果表明,该方法制备的纳米Si尺寸在几nm到几10nm之间,同时它具有较强的发光,发光强度比同等测量条件下的多孔Si(PS)样品高10倍以上,而且方法比较简单。     

β-Ni(OH)2和NiO单晶纳米结构的水热合成与TEM表征

用水热法合成了β-Ni(OH)2单晶纳米薄片,并用透射电子显微镜观察其显微结构.发现这些纳米薄片呈六边形,横向尺寸45 nm～140 nm,厚度20 nm～50 nm.六边形纳米片的上下表面是(001),六个侧面可确定为(100),((1)10)或(0(1)0),紧邻侧面夹角120°.六角结构的β-Ni(OH)2呈六边形时系统能量最低.β-Ni(OH)2纳米薄片经500 ℃热分解即转化为NiO单晶纳米卷、纳米槽和纳米片.NiO纳米结构的外缘尺寸为25 nm～120 nm,纳米卷内空尺寸10 nm～24 nm,纳米槽凹坑尺寸10 nm～20 nm.β-Ni(OH)2纳米薄片中可能存在缺陷、微孔或结晶较差的区域,这些区域的热分解速率快,有利于形成NiO纳米卷.     

化学气相沉积可控制备超薄二维MoS_2纳米片

采用化学气相沉积(CVD)技术,以硫粉和MoO_3为反应剂、氩气为载气,在SiO_2/Si衬底上制备超薄二维MoS_2纳米片。采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)、喇曼光谱和光致发光光谱测试分析技术,研究硫粉送入距离对超薄MoS_2纳米片的形貌、结构和光学性质的影响规律。结果表明:硫粉送入距离为17～25 cm时,距离MoO_31 cm的SiO_2/Si衬底上形成平行于衬底生长的二维MoS_2纳米片;硫粉送入距离为25～29 cm时,MoO_3正上方的SiO_2/Si衬底上形成竖直排列的二维MoS_2纳米片。通过调控硫粉送入距离和衬底的位置可以控制MoS_2的形成过程,实现水平排列和垂直排列二维MoS_2纳米片的可控生长。     

低烟无卤阻燃护套料抗开裂性能试验初探

针对目前低烟无卤阻燃电缆外护套的开裂问题,研究了护套材料及外护套抗开裂性能的试验方法,对护套材料及其挤制护套常温机械性能试验和耐温性能试验结果进行分析探讨,为更好地筛选出抗开裂性能较好的低烟无卤阻燃护套料,提出了更为苛刻的试验方法建议,以期对低烟无卤阻燃电缆护套料,抗开裂性能的研究及筛选工作有所参考和借鉴。     

无公害阻燃光缆的制备工艺及特性

本文详细介绍了无公害阻燃光缆的结构设计和制造工艺，并对光缆的性能，特别是燃烧特性进行了研究。结果表明该光缆除了保留普通光缆的传输特性外，在燃烧过程更具有发烟量少、无毒性、不传播火焰且能保持通信畅通等特点，是局域网和专用网等特殊场所防火用的新型无公害阻燃光缆。     

EMC所用环保阻燃剂介绍及优缺点比较

随着人们健康环保意识的增强,寻求环保化、低毒化、高效化、多功能化的阻燃剂已成为阻燃剂行业的必然趋势。对于环保模塑料来讲,必须有相对应的符合法令要求的产品。用环保阻燃剂替代原先使用的溴锑阻燃剂加入到基础配方中制备了环保塑封料,文章简单介绍了目前市场上主要的有机及无机阻燃剂的种类,并重点讲述了在环氧塑封料中引用各环保阻燃剂...     

阻燃光缆工程应用的探讨

阻燃光缆作为当前通信工程中的一种新型光缆,其燃烧时的低发烟量和较小的光缆直径,符合入户光缆的未来发展方向,且在工程应用上也日趋增多。根据应用环境的不同,对当前两种阻燃光缆进行了介绍,重点探讨了阻燃光缆在工程建设中的敷设方式和上架方式。     

线缆聚合物熔体强度及其对挤塑的影响

阐述了聚合物熔体强度对线缆挤塑的影响,指出影响聚合物熔体强度的主要因素,比较了支化型低密度聚乙烯和线型高密度聚乙烯熔体强度的特性.采用熔体张力流动法测试了物理发泡绝缘射频(RF)同轴电缆聚乙烯绝缘料的熔体强度,详细分析了如何利用聚合物熔体强度来提高发泡质量,其中包括对绝缘料、挤塑设备和工艺参数的选择.最后指出较低的熔体强度将导致阻燃聚烯烃、尼龙和高密度聚乙烯等线缆聚合物挤塑产品的缺陷,并提出了工艺改进的建议.     

光信号测控系统远程控制技术

光通信系统的远程测控技术是实现光互连的基础.建立了光谱测试仪远程测控系统模型.基于GPIB总线通信,在Windows2000操作系统下,以NI的虚拟仪器编程语言LabWindows/CVI 7.0为系统软件开发平台,成功实现对光通信系统的远程控制.从而为远程光子实验室的建立、光互连的实现做技术上的准备.     

Si基片上掺Ge SiO_2的火焰水解法制备

用火焰水解法在单晶Si片上沉积了掺Ge的SiO2 (GeO2 SiO2 )粉末 ,随后在高温炉中将此粉末烧结成玻璃 .用光学显微镜观察了样品表面形貌 ,研究了不同的烧结工艺对样品形貌的影响 .用X射线光电子能谱检测了样品的元素组成 ,并用棱镜耦合法测量了样品的折射率和厚度 .结果表明 ,用适宜的工艺条件制备出的掺Ge的SiO2 具有表面平整光滑 ,折射率和厚度可调等优点 ,适合用作Si基SiO2 波导器件的芯层 .     

HDPE-POF的选材与制作

光纤通信已经成为现代通信网络的主要方式.与传统通信方式相比,塑料光纤(POF)具有很多无可比拟的优点,因而,在很多领域都得到了广泛的应用.但是POF本身也有很多缺陷,为此研发了新的原材料以及新的光纤结构,使POF得到更广阔的发展空间.同时,还对制备光纤的一些实验设备进行了改进和更新,以利于研究的顺利进行.     

长途光缆骨干传输网光纤选型建议

目前我国各运营商都在建设自己的光长途骨干传输平台，光纤类型的选择已成为光缆建设的焦点。本文首先介绍了G.652和G.655光纤的特点，对波分复用技术应用于不同光纤的性能进行了比较，介绍了光传输网技术的发展对未来光纤的要求以及新出现的一些光纤，然后提出了在目前情况下长途光缆的光纤选型建议。