常规与纳米金刚石薄膜介电性能的比较

用热丝CVD方法制备了常规和纳米金刚石薄膜。测量了其电阻率、介电常数和损耗角正切值。实验结果表明,常规金刚石薄膜的电导率、损耗角正切值均小于纳米金刚石薄膜,介电性能比较理想。两种薄膜的介电 常数基本相同,损耗角正切值在10^5Hz处都有弛豫极大值,表明在该频率范围内,主要为弛豫损耗机制。电导率和损耗的大小可能与晶界处缺陷和非金刚石相的多少有关。     

固体钽电容器损耗变化的原因及工艺改进

作者在研制非密封超小型固体钽电解电容器中,发现试制的50V/2.2μF样品在常温储存一段时间后,损耗明显上升,损耗角正切值变化极大,已影响产品的使用。经过一系列试验和分析,找出了损耗角正切值变大的内在原因。改进生产工艺后,试制出的50V/2.2μF样品的损耗角正切值不变,电性能稳定。     

掺杂Li_2O-K_2O-Al_2O_3石英陶瓷的性能研究

采用固相烧结法烧结掺杂Li2O-K2O-Al2O3石英陶瓷,用XRD、SEM、微波网络分析仪等手段分析不同烧结温度下样品的表面特性、介电性能及力学性能。结果表明,掺杂Li2O-K2O-Al2O3石英陶瓷在烧结过程中产生了大量玻璃相,陶瓷微结构致密,介电性能良好(低频1 MHz测试下介电常数εr=5.45⁵.87,损耗角正切tanδ=0.004 15.87,损耗角正切tanδ=0.004 1⁰.005 4;高频14GHz测试下εr=4.370.005 4;高频14GHz测试下εr=4.37⁴.58,损耗角正切为0.003 84.58,损耗角正切为0.003 8⁰.005 3),在1 350℃烧结陶瓷介电性能最优。相比不掺杂石英陶瓷抗弯强度有显著提高,在145MPa以上,最高可达163MPa。有作为天线罩材料的潜力。     

低损耗、低介电常数的介质测量——短路波导法

介质材料的相对复介电常数可以用ε_r=ε(1-jtgδ)表示,式中ε为相对介电常数,tgδ为损耗角正切.我们在日常科研和生产中经常用到某些陶瓷、塑料或玻璃钢等介质材料,它们的相对介电常数小于10,损耗角正切小于0.1,可以称之为低介电常数、低损耗介质     

高频低阻抗铝电解电容器

高频低阻抗铝电解电容器主要用于彩色电视机及各种电子仪器的开关电源电路的输出电容。其主要特点为具有低等效串联电阻,因而有很小的损耗角,从而达到低阻抗,在100Hz～100kHz的频率范围内可通过高频大纹波电流。本文从理论上分析了达到低阻抗的途径,其结论为降低电容器的损耗角正切值。并提出了降低损耗角正切值的技术关键和设计措施。     

电缆介质损耗角正切的测量

利用DELTA-2000测试仪对电缆试样进行介质损耗角正切(tanδ)的测量试验,发现电缆试样的tanδ开始为负值,但随着测量电压的升高,tanδ逐渐增大,之后tanδ变成正值,直到试样发生表面击穿.对试验结果进行分析,得到电缆试样的tanδ值为负值的主要原因是外界电磁场对电桥的干扰和标准电容损耗较大,并提出了相应的技术处理措施.     

CD272X型100V－27000 μF铝电解电容器的研制

为研制适用于程控交换机等通信设备的大型铝电解电容器ＣＤ２７２Ｘ型１００Ｖ－２７０００μＦ，外形尺寸为φ６５ｍｍ×１２０ｍｍ产品，分析了影响铝电解电容器损耗角正切的各因素。通过研制工作电解液、改进产品结构和选择合适的电解纸，降低了产品的损耗角正切值，提高了该产品的电性能。     

CD272X型100V－27000 μF铝电解电容器的研制

为研制适用于程控交换机等通信设备的大型铝电解电容器ＣＤ２７２Ｘ型１００Ｖ－２７０００μＦ，外形尺寸为φ６５ｍｍ×１２０ｍｍ产品，分析了影响铝电解电容器损耗角正切的各因素。通过研制工作电解液、改进产品结构和选择合适的电解纸，降低了产品的损耗角正切值，提高了该产品的电性能。     

CDIN 120V-100000μF超大型铝电解电容器

为研制适用于军用及其他特别设备的超大型铝电解电容器CDIN 120V-100000μF φ100 mm×250 mm产品,分析了影响铝电解电容器损耗角正切的各种因素。通过研制工作电解液,研究铆装工艺和老练工艺,设计特殊芯包结构和芯包固定方式,使得该型号产品的损耗角正切较小,成品率很高,且产品性能完全满足其技术标准。     

毫米波损耗角正切的测量

本文介绍微波材料毫米波复介电常数和损耗角正切的简易测量方法 ,重新推导有关公式 ,给出测试步骤、计算步骤 ,并给出测试实例。     

毫米波损耗角正切的测量

本文介绍微波材料毫米波复介电常数和损耗角正切的简易测量方法，重新推导有关公式，给出测试步骤、计算步骤，并给出测试实例。     

纵孔聚乙烯电缆绝缘结构的设计与计算

本文对纵孔聚乙烯绝缘同轴电缆的绝缘结构进行了具体分析,提出了绝缘截面尺寸的设计原则,同时对绝缘的等效介电常数与等效介质损耗角正切提出了相应的计算式,可供设计使用。     

测量复数介电常数的简单的设备

基本的同轴谐振器是这介质测试设备的心脏,复数介电常数和损耗角正切可以根据测量调谐的位移和电路的Q 值来计算.     

微波炉电容器安规测试中的若干问题

本文通过对微波炉电容器的电容量和损耗角正切、爬电距离和间隙、耐电压、耐久性试验和环境试验等分析,简述了微波炉电容器的测试原理及设备要求.对理解安规试验方法具有一定的帮助作用.     

用H01型圆柱谐振腔测量介质材料介电常数的原理及方法

讨论H01型圆柱谐振腔的测试原理;详细介绍了用圆柱谐振腔测量介质材料相对介电常数及损耗角正切的方法.     

凹面磨坑机样品台的改造

在利用电子显微镜进行陶瓷,半导体等材料(包括横断面)的研究工作中,使用凹面磨坑机配合离子减薄仪,制备电镜样品,可以大大缩短制样时间,而且能得到高质量的电镜样品。一般电镜试样制备时,首先将块状样品用金刚石锯或机械方法切成厚度为200～300μm的薄片,然后,将薄片用胶或腊粘在玻璃片或金属托盘上,用氧化铝或金刚石磨料在平玻璃板上磨到100μm左右,将这样的试样用超声波钻切成Φ3mm的圆形薄片,放入离子减薄仪中减薄,上述的样品一般需减薄20～25小时以上。如果将上述磨好的试样,在放入离子减薄仪之前,用凹面磨坑机,在100μm厚的试样上,磨出凹坑,其坑的底部剩余厚度为20～30μ,如图1所示,对于硬试样,坑底     

“电子元件”相关标准（八）

GB／T5594．3—1985电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 平均线膨胀系数测试方法,GBfr5594．4—1985电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 介质损耗角正切值的测试方法,GBfr5594．5—1985电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 体积电阻率测试方法     

镍电极多层瓷介电容器烧结工艺的研究

通过对比试验,详细讨论了烧结工艺中烧结温度、氢气浓度、加湿器水温和再氧化空气流量对贱金属电极多层瓷介电容器(BME-MLCC)性能的影响。使用扫描电子显微镜(SEM)对烧结后瓷体形貌进行表征,并对制成的样品进行电性能分析。结果表明:烧结温度是影响样品介电常数和介质层致密性的重要因素。随着烧结温度的升高(1255～1285℃),样品介电常数先增大后减小,介质层更加致密。氢气浓度对样品绝缘电阻有较大影响,随着氢气浓度的增大(体积分数0.5%～1.5%),样品绝缘电阻先增大后减小。加湿器水温升高(35～45℃),样品绝缘电阻随之增大,损耗角正切降低。再氧化空气流量增大(5～15 mL/min),样品绝缘电阻增大,损耗角正切先减小后增大。     

木材介电常数的测量

对我国东北常用的落叶松、红松和白松三个树种的介电常数进行了测量,得出了木材的介电常数因树种及纹理方向的不同而不同的结论,以及不同树种、不同纹理方向的损耗角正切值;画出了介电常数随含水率变化的曲线并对曲线做了些定性的分析。     

小型铝电解电容器的工艺改进

针对小型铝电解电容器在自动化生产中存在的静电容量时有时无，损耗角正切值和直流漏电流增大等问题，进行了具体分析，提出了降低阳极箔比容，减小引线宽度等改进措施，收到了较为满意的效果。