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在一定的温度以下 ,某些半导体材料的光电导效应在激发光源撤去以后会持久地保持下去 ,当温度升高超过这个温度 (称为淬变温度 )以后 ,这种持续的光电导现象会消除 ,称为稳恒光电导现象 .而且这种光电导效应具有很强的局域性 .采用电学测量方法 ,通过测量激光照射前后电导率随温度的变化研究了掺 Ge的 Zn Se的稳恒光电导效应 ,结果发现淬变温度高达 2 1 0 K的稳恒光电导效应 .并通过研究光电阻随光照位置变化的趋势研究了这种光电导的局域性特性 ,结果发现在淬变温度以上局域性随稳恒光电导消失而消失 相似文献
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已经提出了几种可以提高载流子离化率比的超晶格雪崩光电管:量子阱雪崩光电管、台阶型雪崩光电管和掺杂量子阱雪崩光电管。这几种器件都主要是利用异质界面带隙突变导致的电子离化几率相对于空穴离化几率的显著增大,从而可以获得低的雪崩噪声和高的增益—带宽乘积。本文概述了这几种器件的结构、工作原理以及结构参量对器件性能的影响。 相似文献
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低温下观察了弱耦合δ掺杂GaAs超晶格的辐射复合发光.实验结果表明:除观察到基态的复合发光外,还观察到激发态的复合发光.基于有效质量近似理论,计算了能带结构和发光光谱,理论结果与实验结果符合得很好. 相似文献
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《Microelectronics Journal》2004,35(1):59-61
We characterized the electronic properties of ordered and intentionally disordered GaAs-AlxGa1−xAs superlattices, with and without dimer-type correlations in the disorder, by means of spectroscopic ellipsometry in the near band-edge region. The spectra have been compared to the calculate electronic structure. The optical transitions in the various superlattices show specific features related to their different electronic structure. 相似文献
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B. L. Vanmil A. J. Ptak L. Bai Lijun Wang M. Chirila N. C. Giles T. H. Myers Larry Wang 《Journal of Electronic Materials》2002,31(7):770-775
Epitaxial ZnSe layers were grown by molecular beam epitaxy (MBE) to study Cr incorporation with the long-term goal of demonstrating
an alternate route for achieving transition-metal-doped lasers. Concentrations between 1015 atoms cm−3 and 4×1020 atoms cm−3 were achieved. Secondary ion-mass spectroscopy (SIMS) concentration profiles strongly suggest that surface segregation and
accumulation of Cr occurs during growth. Photoluminescence (PL) measurements indicate Cr is incorporated in the optically
active Cr2+ state up to levels of ∼1019 cm−3. Electron paramagnetic resonance (EPR) studies suggest that the Cr atoms exhibit collective magnetic behavior even at these
levels. X-ray diffraction (XRD) and reflection high-energy electron diffraction (RHEED) indicate high structural quality is
maintained for Cr incorporation for levels up to ∼1019 atoms cm−3. 相似文献
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报导了掺氮ZnSe外延层的光致发光,研究了与氮受主有关的发光峰随温度和激发强度的变化关系.10K下施主-受主对发光峰随激发强度的增加向高能方向移动,且峰强呈现饱和趋势.在10~300K温度范围光致发光谱表明,随着温度增加,由于激子在受主束缚激子态和施主束缚激子态之间转移,施主束缚激子发光峰强度相对受主束缚激子发光峰强度增加 相似文献
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用光助低压MOCVD进行ZnSe及ZnSe:N外延层生长,由发光光谱表明,在光助下生长的本征ZnSe外延膜具有高质量:ZnSe:N外延层中与N有关的深中心发射得到有效抑止,其p-ZnSe受主载流子深度达3×10^17cm^-3。在制备n-ZnSe/ZnCdSe-ZnSeQW/p-ZnSe结构中,在室温下观测到该二极管电脉冲下的蓝色电致发光(EL)。 相似文献
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FabricationofOrganic/PolymericSuperlaticeStructureandItsUseforElectroluminescentDevice①②CHENBaijun,HOUJingying,HUANGJingsong,... 相似文献
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