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共有20条相似文献,以下是第1-20项 搜索用时 171 毫秒

1.  适用于200mm太阳能电池片的闭管扩散/氧化系统设计  
   钟华  盛金龙《电子工业专用设备》,2007年第36卷第5期
   介绍了适用于太阳能电池生产线闭管磷扩散设备,着重阐述了该设备的结构组成、工艺原理及控制。    

2.  开管镓扩散技术改善快速晶闸管通态特性  被引次数:3
   裴素华 赵善麒《固体电子学研究与进展》,1997年第17卷第3期
   对提高快速晶闸管发射区ne与基区Pb杂质浓度比值Ne/Nb,降低器件通态压降进行了理论分析;叙述了开管Ga扩散技术的特点,并与闭管Ga扩散和B-A1双质P到扩散方式进行了比较。实验证明,用开管Ga扩散工艺制造快速晶闸管,可明显改善器件的通态伏安特性。    

3.  Zn在InP中低温扩散的研究  
   张桂成 徐少华 水海龙《电子与信息学报》,1983年第5卷第2期
   本文用Zn_3P_2源在闭管条件下研究了Zn在InP中的低温(520—700℃)扩散。比较了用“等温”扩散和“双温区”扩散技术扩散后,样品的电学参数。结果表明:“双温区”扩散法可得到表面光亮,无损伤的高浓度表面层。该法已用于InGaAsP/InP双异质结发光管的制备工艺中,并制得了光功率≥1mW,串联电阻2—3Ω的发光管。还讨论了Zn在InP中扩散时的行为,解释了低温(550℃)扩散过程中,等温扩散时出现的异常现象。    

4.  第三代闭管软着陆扩散系统  
   青岛赛瑞达电子装备股份有限公司《电子工业专用设备》,2014年第3期
   闭管软着陆扩散系统采用闭管扩散的方式。碳化硅浆把石英舟放入石英管后再退出石英管,保证整个工艺过程完全不受外界环境干扰。系统整机清洁降低了石英制品清洗的频次。控制终端采用专业工控机配备进口温控仪表、质量流量计及完善的报警功能。    

5.  Zn在AlGaAs和GaAs中的开管扩散  
   G.AIIen Vawter  James L.Mery  王朝京《半导体光电》,1984年第3期
   zn在AlGaAs和GaAs中开管箱法扩散这一新方法已经发展起来。在700℃时,Zn在GaAs和Al_xGa_(1-x)(0.1≤X≤0.5)中的扩散深度和质量与常规的闭管扩散工艺相比较,显然新工艺对于精确控制扩散深度和允许的浅扩散而提供了条件。用Van der Pauw方法测量了电阻率和表面载流子浓度。扩散质量受到选择的金属溶剂的影响。研究了金属溶剂的某些变化。这一技术在单片光集成器件中对欧姆接触有所改造。    

6.  软着陆洁净闭管扩散炉研制  被引次数:1
   刘良玉  彭志坚《电子工业专用设备》,2010年第39卷第2期
   介绍了一种用于晶体硅光伏电池片工艺的软着陆洁净闭管扩散炉,着重介绍了设备结构组成及性能,并给出了工艺结果说明设备性能达到国内领先水平。    

7.  软着陆闭管扩散炉几个关键控制单元的设计与应用  
   郝晓明  李补忠  桂晓波  肖东辉《电子工业专用设备》,2014年第10期
   为了适应太阳能电池生产的新工艺需求,提出一种新型的软着陆闭管扩散炉系统,为扩散炉系统向智能型、精密型的方向发展进行有益的探索,并阐述了软着陆闭管扩散炉系统的结构组成和工艺原理以及技术指标,重点对扩散炉系统中送料装置软着陆单元、炉门自动封闭单元以及炉管压力平衡单元的电气控制部分进行了详细的分析,其中运用了上下位机与PLC结合的控制方式对送料装置软着陆、炉门自动封闭进行了设计,运用PID控制方式对炉膛内压力进行控制,使其达到平衡。    

8.  SiO2/Si系开管扩镓工艺对器件性能的改善  
   刘秀喜 林玉松《半导体杂志》,1990年第15卷第1期
   本文采用SiO2/Si系开管扩镓工艺,消除了合金点和腐蚀抗,扩散均匀性,重复性和一致性较好,该工艺用于生产高反压晶体管和晶闸管,能显著的改善器件性能,扩散质量和电气性能均优于现行的硼铝涂层及闭管镓(或铝镓)扩散工艺,根据在裸系Si和SiO2/Si系中镓的扩散行为,对镓扩散质量进行了分析。    

9.  AIGaAs和GaAs的开管Zn扩散  
   常业清《红外与激光工程》,1986年第2期
   提出了一种用限定室进行AlGaAs和GaAs开管Zn扩散的新方法。在700℃下,把Zn在GaAs和Al_xGa_(1-x)As (0.1≤x≤0.5)的扩散深度和质量与闭管扩散结果作了比较。发现这种新工艺能很好的控制扩散深度,并可作浅结扩散。比电阻率及表面载流子浓度用范德堡(Van der Pauw)法测量。扩散质量受所选用的溶剂金属的影响。讨论了几种溶剂金属的一些变化。可用这种工艺改进单片集成光学器件的欧姆接触。    

10.  InP/In_xGa_(1-x)As异质结构中Zn元素的扩散机制  
   李永富  唐恒敬  李淘  朱耀明  汪洋  殷豪  李天信  缪国庆  李雪  龚海梅《红外与激光工程》,2009年第38卷第6期
   采用闭管扩散方式实现了Zn元素在晶格匹配InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As及晶格失配InP/In_(0.82)Ga_(0.18)AS两种异质结构材料中的P型掺杂,利用二次离子质谱(SIMS)以及扫描电容显微技术(SCM)对Zn在两种材料中的扩散机制进行了研究.SIMS测试表明:Zn元素在晶格失配材料中的扩散速度远大于在晶格匹配材料中的扩散速度,而SCM测试表明:两种材料中的实际PN结深度与SIMS测得的Zn扩散深度之间存在一定的差值,这是由于扩散进入材料中的Zn元素并没有被完全激活,而晶格失配材料中Zn的激活效率相对更低,使得晶格失配材料中Zn元素扩散深度与PN结深度的差值更大.SCM法是一种新颖快捷的半导体结深测试法,对于半导体器件工艺研究具有重要的指导意义.    

11.  液态源大箱法硼扩散  
   王文祥《半导体技术》,1977年第4期
   一、引言 液态源硼扩散是应用比较普遍的一种扩散方法,典型的作法是采用气体携带法,用N_2把扩散源蒸汽携带到要扩散的样品附近,以实现扩散。此法的优点是适合于大批生产。在平面工艺发展的初期,固态源箱法扩散,在扩散工艺中,曾处于支配地位。它的优点是均匀性、重复性较好;不足之处是由于受扩散箱容积的限制,每次扩散片数不多。液态源气体携带法和固态源箱法各有千秋。我们把二者结合起来,取其所长,形成了一种液态源硼扩散的新方法——大箱法扩散。就是把整个石英管看成是扩散箱,先采用液态源气体携带法,使石英管充分饱和;然后在不通源,只通入保护N_2的情况下,放入样品进行扩散。石英管每饱和一次,可以连续使用4~5小时以上。且具有重复性好,操作简便的优点。在硅平面管生产中,几年来,我们采用这一方法作硼扩散,已取得良好的效果。    

12.  伪随机扩散体吸声性能的研究  
   盛胜我《声学技术》,1996年第15卷第1期
   伪随机扩散体的基本结构是用隔板把空间分隔成一系列的闭管,这些闭管具有相同宽度但深度不同,其深度按数论中的伪随机序列(如二次剩余序列)而确定。从理论与实验两方面都已证实,由这种结构表面产生的散射与角度无关,因此具有最佳的扩散效果。同时,实验也发现这种结构在低频范围内还具有优良的吸声性能。许多研究者企图从理论上解释这种吸声现象,但都未取得满意的结果。对于伪随机扩散体吸声性能的机理,本文提出了分析的理论。理论假定相邻闭管管口间的声压差决定于相应的振速差,引入“耦合声阻抗率”的概念来反映闭管间声耦合的强…    

13.  生物芯片压电微流体泵扩散管液体流量效率分析  被引次数:1
   张保柱 张永立 吴建康《机械科学与技术》,2004年第23卷第7期
   微型扩散管是生物芯片压电微流体泵最重要的部件。它的流量效率是微流体泵关键技术之一。本文对矩形截面的微型扩散管流动进行无量纲分析 ,并采用CFD软件FLUENT对微型扩散管液体三维流动进行大量的数值实验。计算表明 ,微扩散管流量与扩散管结构几何参数 ,压强差 ,液体性质密切相关 ,并得到扩散管流量效率随无量纲参数 (雷诺数、长宽比、厚宽比和扩散角 )的变化规律和最佳流量效率的设计参数范围    

14.  采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管  
   刘国辉  田石《半导体技术》,2013年第1期
   介绍了采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管的设计要点和关键工艺。根据器件的特性要求,优化设计了基区结构参数和门极-阴极图形,采用了高级交叉指状辅助门极结构,合理确定了短路发射极的尺寸及分布形式。采用固态源闭管式扩散工艺,镓铝双质掺杂一次连续完成,扩散参数具有良好的均匀性和重复性,获得了较理想的杂质浓度分布,并采用12 MeV电子辐照技术控制少子寿命。研究了镓铝双质掺杂对快速晶闸管参数的影响,分析和讨论了器件特性得到改善的原理。研究结果表明,采用该掺杂技术制造的快速晶闸管,电气参数的一致性明显提高,综合性能明显改善,具有良好的阻断特性、门极特性和动态特性。    

15.  开管Zn扩散  
   杨正淮《半导体光电》,1988年第3期
   本文概述了扩散工艺在半导体光发射器件制作中的作用,进而说明器件批量生产更适宜采用开管扩散工艺手段。最后列举了开管Zn扩散应用于红外发光管制作的成功实验。    

16.  扩散管采集技术的若干进展  
   徐晖  张必成《分析仪器》,2000年第4期
   介绍了近年来扩散管技术的进展,重点介绍了蜂窝状扩散管和湿式扩散管及其在大气采样中的应用,并对各种类型扩散管的特点进行了比较。    

17.  国产铸锭炉性能达世界先进水平  
   《有色设备》,2011年第2期
   日前,中国电子科技集团公司(简称中国电科)48所承担的电子信息产业发展基金“多晶硅铸锭炉开发及产业化”项目及“大口径闭管高温扩散/氧化设备”项目通过验收,标志着我国太阳能光伏产业关键设备国产化实现重大突破。中国电科48所在研制过程中,攻克了多晶硅定向凝固工艺技术、高洁净炉膛技术、晶体硅生长系统的热场技术、精密传动技术等一系列技术难题,开发出的铸锭炉具有完全自主知识产权,而且设备性能达到世界领先水平.    

18.  半导体技术  
   《中国无线电电子学文摘》,2003年第1期
   TN301 2003010668开管扩神改善器件电参数性能的机理分析/孙瑛(山东师范大学)11半导体学报一2 002,23(7)一746一751叙述了5102/Si系开管扩嫁工艺和稼掺杂原理研究了稼掺杂与器件电参数的关系,并分析了改善器件性能的机理.实验证明,采用51 02/Si系开管扩稼工艺,扩稼硅片表面状况、均匀性和重复性良好,稼杂质浓度分布理想,并能明显改善器件电参数性能,提高电参数一致性,增加成品率等,优于闭管扩嫁、裸Si系开管扩稼和硼扩散.图4参5‘木)显减弱.测试温度的变化对Si纳米量子点光致发光特性的影响,则源自于光生载流子通过5102/Si纳米量子点界面…    

19.  半导体技术  
   《中国无线电电子学文摘》,2003年第1期
   TN301 2003010668开管扩神改善器件电参数性能的机理分析/孙瑛(山东师范大学)11半导体学报一2 002,23(7)一746一751叙述了5102/Si系开管扩嫁工艺和稼掺杂原理研究了稼掺杂与器件电参数的关系,并分析了改善器件性能的机理.实验证明,采用51 02/Si系开管扩稼工艺,扩稼硅片表面状况、均匀性和重复性良好,稼杂质浓度分布理想,并能明显改善器件电参数性能,提高电参数一致性,增加成品率等,优于闭管扩嫁、裸Si系开管扩稼和硼扩散.图4参5‘木)显减弱.测试温度的变化对Si纳米量子点光致发光特性的影响,则源自于光生载流子通过5102/Si纳米量子点界面…    

20.  高效低成本的制氢新方法  
   《中氮肥》,1995年第6期
   高效低成本的制氢新方法美国加加利福尼亚大学的ROI。lidMilllt正在开发一种新的制氢工艺。这种采用陶瓷转化炉管的工艺可使制氢装置投资降低10?..。该工艺与传统的甲烷蒸汽转化类似,不同之处在于当氢生成时,它扩散通过多孔氧化铝转化炉管,进入反应器...    

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