Gaδ掺杂ZnSe超晶格的稳恒光电导效应

通过直接测量激光照射前后电阻随温度的变化关系,研究了Ｇａδ掺杂ＺｎＳｅ超晶格的稳恒光电导效应．被研究的两块样品都显示了稳恒光电导效应,其中一块样品稳恒光电导的淬灭温度为１２０Ｋ,另一块样品的淬灭温度接近２９０Ｋ．描述了对这类超晶格稳恒光电导现象的测量结果,讨论了掺杂过程对光电导淬灭温度的影响．     

掺Ge ZnSe的稳恒光电导及其局域性效应

在一定的温度以下,某些半导体材料的光电导效应在激发光源撤去以后会持久地保持下去,当温度升高超过这个温度(称为淬变温度)以后,这种持续的光电导现象会消除,称为稳恒光电导现象.而且这种光电导效应具有很强的局域性.采用电学测量方法,通过测量激光照射前后电导率随温度的变化研究了掺Ge的ZnSe的稳恒光电导效应,结果发现淬变温度高达210K的稳恒光电导效应.并通过研究光电阻随光照位置变化的趋势研究了这种光电导的局域性特性,结果发现在淬变温度以上局域性随稳恒光电导消失而消失.     

掺GeZnSe的稳恒光电导及其局域性效应

在一定的温度以下 ,某些半导体材料的光电导效应在激发光源撤去以后会持久地保持下去 ,当温度升高超过这个温度 (称为淬变温度 )以后 ,这种持续的光电导现象会消除 ,称为稳恒光电导现象 .而且这种光电导效应具有很强的局域性 .采用电学测量方法 ,通过测量激光照射前后电导率随温度的变化研究了掺 Ge的 Zn Se的稳恒光电导效应 ,结果发现淬变温度高达 2 1 0 K的稳恒光电导效应 .并通过研究光电阻随光照位置变化的趋势研究了这种光电导的局域性特性 ,结果发现在淬变温度以上局域性随稳恒光电导消失而消失     

GaN外延材料中持续光电导的光淬灭

研究了非故意掺杂和掺Si的n型GaN外延材料持续光电导的光淬灭。实验发现非故意掺杂GaN的持续光电导淬灭程度远大于掺Si的n型GaN;撤去淬灭光后前者的持续光电导几乎没有变化,后者的却有明显减小;稍后再次加淬灭光前者的持续光电导无变化,而后者的有明显增加。我们认为两者持续光电导的形成都与空穴陷阱有关,用空穴陷阱模型解释了非故意掺杂GaN持续光电导的形成以及淬灭;认为掺Si的n型GaN的持续光电导是电子陷阱(杂质能级)和空穴陷阱共同作用的结果,并且在持续光电导发生的不同阶段其中一种陷阱的作用占主要地位。     

GaN外延材料中持续光电导的光淬灭

研究了非故意掺杂和掺Si的n型GaN外延材料持续光电导的光淬灭.实验发现,非故意掺杂GaN的持续光电导淬灭程度远大于掺Si的n型GaN;撤去淬灭光后前者的持续光电导几乎没有变化,后者却明显减小;稍后再次加淬灭光,前者的持续光电导仍无变化,而后者却明显增加.作者认为两者持续光电导的形成都与空穴陷阱有关,用空穴陷阱模型解释了非故意掺杂GaN持续光电导的形成以及淬灭过程;掺Si的n型GaN的持续光电导是电子陷阱(杂质能级)和空穴陷阱共同作用的结果,并且在持续光电导发生的不同阶段其中一种陷阱的作用占主要地位.     

调制掺杂非晶半导体超晶格中的瞬变电流(I)——稳恒电场中载流子的运动

本文讨论了在纵向偏置电压下非晶态半导体超晶格中载流子的运动情况.从具有稳恒偏置电场的层状CTRW模型出发,我们导出了单个载流子在不同时刻及不同位置上出现的几率的表达式,并得到由于载流子运动所引起的瞬变电流的公式,从而为进一步研究这种材料的光电导性质提供了一种计算手段.     

退火对非晶态碲镉汞薄膜稳定态光电导的影响

利用射频磁控溅射方法,在宝石衬底上制备了非晶态碲镉汞(a-HgCdTe)薄膜。对原生a-HgCdTe薄膜进行了不同退火时间和不同退火温度的热退火,在80～300K温度范围内,分别测量了原生和退火处理后的a-HgCdTe薄膜样品的稳定态光电导,研究了退火时间和退火温度对非晶态HgCdTe薄膜的稳定态光电导和激活能的影响。结果表明,原生和退火a-HgCdTe薄膜的稳定态光电导具有热激活特性;随着退火时间增加或退火温度升高,a-HgCdTe薄膜的晶化程度提高,导致光电导增大,光电导激活能降低。利用非晶-多晶转变机制讨论了实验结果。     

在(Cs)Na_2Ksb(S-20)多碱光电阴极中的作用

在s—20光电阴极生产过程中,进行化学分析和定性观察,表明了铯不仅引起体效应,而且引起表面效应。用x射线对Na_2K Sb和（Cs）Na,KSb进行的定量研究,证实了体效应·发现增加掺杂铯的量使得晶格常数从7.727±0.003A增加到7.745±0.004A。作者认为较大的晶格常数,使晶格中能有较多的超额锑,因此增加了p型掺杂,并使能带弯曲。     

氧缺陷的YBa2Cu3O7-x高温超导体光辐照研究

利用Janis CCS-350制冷机(最低可达10 K)提供低温环境, 从室温到200 K, 利用真空泵持续抽取真空, 使氧缺陷YBa2Cu3O7-x(YBCO)超导体中的氧重新分布。实验表明, 在缺氧环境下, 样品氧缺陷现象加剧, 超导临界温度降低, 直至到正常态, 利用原位光辐照氧缺陷YBCO样品产生持续光电导效应或光诱导超导电性效应, 可以部分地抵消氧缺陷对超导电性所引起的破坏, 而对YBCO,x<0.1时, 其转变温度Tc高于90 K的样品, 在缺氧环境下, 样品氧缺陷现象变化和光辐照效应不明显。讨论了YBCO超导体在能隙比一般半导体光电材料至少要窄约二个数量级, 又具有较高的光学吸收系数的情况下, 光子作用下高温超导体内各种元激发之间的相互作用过程, 对实际应用YBCO超导体光学性能, 理解机制设计仪器有现实意义。     

硼掺杂及未掺杂金刚石薄膜的电学和光电导特性

用热丝辅助化学气相沉积法合成了未掺杂及Ｂ掺杂金刚石薄膜，测量了退火前后的电流一电压和光电导特性．实验结果表明，Ｈ原子对未掺杂金刚石膜的电学和光电导特性有很大影响．对于掺杂样品，随着Ｂ含量的增高，Ｂ的作用更加明显，而Ｈ的作用降低．合成的金刚石膜中存在着各种缺陷态，其中包含陷阶型缺陷态，它影响着光电导饱和值的大小和弛豫时间的长短．经６００℃退火后，样品的结构、缺陷态的种类、数量都发生变化，并改变了金刚石膜的电学及光电导特性．