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文章对高温超导薄膜红外探测器进行了基本理论分析,给出了器件设计思想,并报导了用高TcGdBa2Cu3O7-x薄膜制备的单元红外探测器,2×2阵列红外探测器的实验结果。在液氮温度下得到的最好结果是噪声等效功率NEP(500,10,1)=3.8×10-12WHz-1/2,探测率D*=1.7×1010cmHz1/2W-1,响应度Rv=3312VW-1。器件经过十多次的冷热循环,并在室温下保存一年以上。所得测量结果基本不变。 相似文献
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主要介绍用本实验室研制的YBa_2Cu_3O_(7-δ)高温超导薄膜制成几何形状不同的Bolometer实验芯片,采用低温恒温装置,进行了原理性实验,结果表明,几种超导Bolometer在液N_2温区都有明显的红外辐照响应,在给定的测试条件下,其灵敏度对蛇形、大桥、微桥芯片分别为6V/W、284V/W、1.1×10~4V/W。采用电调制和机械光调制,对不同结构测试系统,响应时间分别为2s和0.2(?)。 相似文献
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基于超导探测器具有量子响应的实验论据,用量子理论导出高温超导薄膜探测器的,表明超导探测器的正比于超导薄膜长厚比的平方根,而与宽度无关。因此,采用超导薄膜(减小厚度),同时将薄膜光刻成弯曲线条或蛇形,增加其长度,将获得高D*值的超导探测器。这是具有量子响应的超导探测器的重要结论。它为超导红外探测器的研制、设计提供了重要的理论依据。 相似文献
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用高TcGdBa2Cu3O7-δ薄膜设计并研制了单元及2×2阵列型红外探测器。其中2×2阵列型器件的四个单元探测器的Tc值及R-T特性相差≤3%。使用500K黑体及He-Ne激光作为辐照源。单元及阵列器件最好的结果为噪声等效功率NEP(500,10,1)分别为3.6×10-12和4.1×10-12W/Hz1/2,归一化探测率分别为1.6×1010和1.2×1010cmHz1/2/W;响应率分别为8.2×104和7.2×104V/W。 相似文献
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本文对红外探测器进行理论分析的基础上,设计并研制了液氮温度下的GdBa2Cu3O7薄膜红外探测器,系统地测试了器件的特征参数。 相似文献
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高温超导红外探测器的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
采用高温超导薄膜YBaCuO和GdBaCuO研制超导红外探测器。将超导膜通过光刻湿法腐蚀成形后,用剥离技术制备金电极并合金化,热压焊接4根引线,超导芯片安装在抽空窗口为KRS-5的红外探测器杜瓦瓶中。77K超导红外探测器的测试性能为:NEP_(min)=1.6×1~(-9)W/Hz~(1/2),D_(bbmax)~*=4.15×10~7cmHz~(1/2)/W,R_(max)(500K)=136V/W,τ_(min)=8.8ms,λ_p=13.6μm。对超导器件的稳定性考察得出:微桥寿命最短,长桥次之,蛇形较长。一支蛇形器件经过数十次的冷热循环和电测试,寿命已超过5个月。 相似文献
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高温超导红外探测器的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
用在两种衬底(SrTiO_3和LaAlO_3)上生长的YBa_2Cu_3O_(7-x)。薄膜制成高灵敏的热敏型高温超导红外探测器。经500K标准黑体的测量,在10Hz调制频率时,以SrTiO_3为衬底的器件,D~*(500,10,1)达8.2×10~8cm·Hz~(1/2)/W,NEP(500,10,1)达1.6×10~(10)W/Hz~(1/2);以LaAlO_3为衬底的器件,NEP(500,10,1)达10~(-11)W/Hz~(1/2)。还测量并分析了D~*和NEP随频率的变化和噪声频谱。 相似文献
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本文报导了利用激光技术,在较低的温度下(600℃以下)成功地制成了T_(c0)>87K的Y—Ba—Cu—O超导薄膜;在77K时通过其电流密度J_c>10~4A/cm~2;讨论了高温所制薄膜与“低温”所制薄膜的性能的差别及激光与超导靶材作用而产生粒子喷射的过程。 相似文献
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本文较系统地介绍了高温超导薄膜的制备方法与生长机理,讨论了生长工艺与薄膜超导性能之间的关系,并对高温超导薄膜的异质外延、多层膜结构及超晶格制备等一些最新进展作了介绍。 相似文献