超宽带折合环天线的设计与研究

提出了一种新型超宽带折合环形天线的设计.该天线采用共面波导馈电,易于与其他微波电路集成在一起;通过引入五边形的折合环结构,该天线的工作带宽较常规的折合环天线提高了一倍以上;通过数值计算研究了某些尺寸参数对天线输入特性的影响,在计算的基础上通过大量的实验详细研究了天线的频域工作特性.计算与实验的结果表明,该天线具有超过4.75:1的工作带宽和全向辐射特性,因此是一种有实用意义的超宽带天线.     

基于开环谐振结构的超宽带天线设计

提出了一种新颖的小型共面波导馈电超宽带(UWB)天线.该天线是基于开环谐振器(SRRs)的结构变形而来,设计时共采用了三对成等差数列的开环谐振结构作为天线的辐射面,同时为了获得较好的超宽带频率特性,馈电微带线采用了渐变微带线共面波导馈电结构.通过数值仿真计算获得了优化后的天线几何尺寸,并且加工制作了一副天线,对天线的回波损耗特性、方向图以及增益都进行了测试.测试结果显示该天线具有良好的超宽带特性和较高的增益.     

用于超短脉冲辐射和接收的新型平面集成天线辐射元

研制出一种用于超宽带短脉冲辐射和接收的新型平面集成超宽带（UWB）天线辐射元，该天线辐射元采用共面波导到槽线的宽带过滤方式馈电，超短脉冲辐射和接收的实验结果显示了其高保真宽带及高增益、高效率的特性。     

一种具有三阻带特性的超宽带天线的设计与研究*

提出了一种紧凑型共面波导馈电的具有三阻带特性的超宽带天线。所设计天线的基本几何结构由共面波导(CPW)馈电线、菱形辐射贴片和矩形宽缝隙组成。通过在辐射贴片上刻蚀一个U型槽,以及在共面波导的接地面上增加两对L型的寄生旁枝结构来实现天线的三陷波特性。天线尺寸为32mm×32mm×0.508mm。仿真和实验结果表明,该天线在2.6~11.5GHz的频段内电压驻波比小于2,在3.15~3.80GHz、5.20~5.80GHz和8.2~8.7GHz三个频段内具有陷波特性,分别有效阻隔了Wi MAX系统、WLAN系统和ITU 8GHz频段信号对于超宽带(UWB)系统的干扰。在除三个阻带频段外的其余UWB工作频段范围内,具有良好的辐射方向特性和稳定的增益。仿真结果和实验结果表现出良好的一致性。     

具有双陷波功能的超宽带天线设计

提出了一种具有双陷波特性的共面波导馈电的超宽带天线。该天线的结构类似于一般的单极子天线,辐射体采用双环形结构,馈电部分由共面波导来实现,具有良好的宽带阻抗匹配特性。通过在辐射体和馈电部分分别嵌入不同形状的缝隙,使得天线在(3.2~3.6 GHz和5~6 GHz)出现频带阻断,并且天线在通带内呈现良好辐射的特性。     

一种小型平面超宽带天线的设计与研究

提出了一种新颖的小型平面超宽带(UWB)天线.该天线由微带槽天线的基本结构变形而来,为获得超宽带频率特性,设计时馈电微带线采用了渐变结构的叉形调谐支节,金属底板的开槽设计成对称多边形.首先通过数值计算来获得最佳的天线几何尺寸,并制作了实际的样品.对天线的反射特性、方向图以及增益都进行了测试,然后利用时域有限差分(FDTD)方法计算了天线收发脉冲信号的保真度.研究结果显示该天线具有良好的超宽带特性.     

小型双陷波共面波导馈电超宽带天线仿真分析

提出了一种结构简单具有双陷波特性的多用途共面波导馈电超宽带天线。在天线中嵌入了一种缝隙获得了双陷波特性。通过数值仿真对天线的阻抗特性、方向图和增益进行了研究。结果显示该天线在2.9～12GHz的频段内驻波比小于2.2,其中的3.55～3.67GHz及5.58～6.00GHz的范围内具有陷波特性。     

一种小型具有双阻带特性的超宽带天线设计

提出了一种具有双阻带特性的共面波导馈电超宽带天线。通过在辐射单元上开E型槽实现了3.75 GHz的第一个陷波结构,并在地板上开两条对称槽实现5.5 GHz的第二个陷波结构。文中提出的具有阻带特性超宽带天线的实测结果与仿真结果吻合较好。除了两个期望的阻带外其他超宽带频段内,该天线满足VSWR<2。同时给出了仿真辐射方向图和增益图。     

一种基于遗传算法的超宽带天线自动设计方法

提出了一种基于遗传算法的超宽带天线的自动设计方法,并利用此方法设计了一种紧凑型共面波导馈电超宽带天线。所设计的天线采用印刷电路板上的共面波导(CPW)进行馈电,利用遗传算法对天线的贴片形状轮廓进行自动化设计和优化,最后得到一种新颖的UWB 印刷缝隙天线。天线尺寸为32mm′32mm′0. 787mm。仿真结果和实验结果表现出良好的一致性。实验结果表明,该天线在2. 89 ~12. 6GHz 的频段内电压驻波比小于2,在整个UWB 工作频段范围内有稳定的增益和良好的辐射方向特性。     

共面波导-槽线馈电的引向天线

在对现有印刷形式的引向天线进行简单分析之后,文章提出了一种共面波导-槽线馈电的引向天线的设计方法。通过对共面波导-槽线馈电网络的馈电端口阻抗的仿真计算,解释了天线的带宽特性;在对有源振子和引向器的表面电流的仿真基础上,建立了该天线的三元对称振子阵列的辐射模型,该模型很好地解释了天线的定向辐射特性。仿真和实验结果表明,所设计的天线是一种性能良好的小型宽带定向天线。     

(Sr_(0.5)Ba_(0.5))_(1.9)Ca_(0.1)NaNb_(5–x)TaxO_(15)陶瓷的介电性能

通过Ta掺杂改性钨青铜陶瓷(Sr0.5Ba0.5)1.9Ca0.1NaNb5–xTaxO15(x=0～0.30),分析了Ta掺杂量对其烧结性能、微观结构及介电性能的影响。陶瓷的烧结温度随x的增大略有提高。当x<0.10时,陶瓷的tC和弛豫性变化不大;当x≥0.10时,tm(1kHz)明显降低,从270℃(x=0)降低至231℃(x=0.30)。且tm随频率增加向高温移动,弛豫性明显增强。认为Ta掺杂引起其性能变化是由于Ta—O键与Nb—O键键能的差异,导致陶瓷氧八面体中心离子位移量以及A位离子有序程度的变化所致。     

Theoretical studies of poly(para-phenylene vinylene) (PPV) and poly(para-phenylene) (PPP)

The electroluminescence from PPV and the blue light emission from PPP constitute exciting subjects of study. The band gap of these semiconducting polymers can be engineered in a wide range from red to ultraviolet by structural changes made on them. In the present work, we present a theoretical approach based on semiempirical and ab initio total energy and force calculations of PPV and PPP. We perform a conformational analysis in order to investigate the connection between their structural, optical and electronic properties. We use the large cell approach, in connection with the semiempirical quantum method Extended Hückel (BICON-CEDiT code) and the density functional theory (DFT) within the full-potential linearized augmented-plane-wave method (FPLAPW) as implemented in the computational code WIEN2k. Our results are compared to other calculations and to optical absorption measurements.     

纳米复合(Nd,Pr)FeTiBC永磁合金的结构与磁性能

采用熔体快淬法制备了纳米复合(Nd1-xPrx)9.4Fe75.6Ti4B10.5C0.5(x为0,0.2,0.4,0.6,0.8和1.0)合金薄带,研究了Pr对合金薄带结构与磁性能的影响规律。结果表明:Pr降低了合金薄带的晶化温度,使合金薄带晶粒变得粗大,不利于合金矫顽力的提高。Pr对合金薄带磁性能的影响不大,不同Nd和Pr比例的合金薄带在最佳热处理条件下,剩磁Br在0.86 T与0.90 T之间,内禀矫顽力Hcj在1 000 kA/m左右,最大磁能积(BH)max介于130 kJ/m3与136 kJ/m3之间。     

Miniband spectra of (AlAs)M(GaAs)N(111) superlattices

Semiconductors - Electron states in the conduction band of (111)-oriented (AlAs)M(GaAs)N superlattices (SLs) with M≥N and N&;lt;10 are considered. The properties of such SLs are mainly...     

Sr_(0.3)Ba_(0.7)Bi_(3.7)La_(0.3)Ti_4O_(15)铁电陶瓷的烧结及介电性能

采用两步烧结工艺制备Sr0.3Ba0.7Bi3.7La0.3Ti4O15铁电陶瓷,研究了烧结工艺对陶瓷的晶相和介电性能的影响。结果表明:适当提高最高温度、保温温度和保温时间可改善陶瓷的介电性能。当最高温度为1180～1200℃,在1050～1080℃保温5～15h时,其εr为238～262,tanδ小于10–2,σ为1.0×10–11～10–12S·m–1。该烧结工艺可减少铋的挥发,降低氧空位浓度,因而减弱了陶瓷的高温低频耗散现象。随着保温时间的增加,高温电导得到有效抑制,在1050℃保温15h样品的σ降低了一个数量级,在280℃时为5.2×10–9S·m–1。     

单层超晶格Ga_(0.47)In_(0.53)As/InP(110)及半导体合金Ga_(0.235)In_(0.765)P_(0.5)As_(0.5)的状态密度及介电常数(英文)

The DOS, JDOS and ε2(Ω) of monolayer superlattice Ga0.47ln0.53As/ InP(110) have been calculated by a tight-binding approach and compared with that of alloy Ga0.235ln0.765P0.5As0.5 which has the same stoi-chiometric composition as the monolayer superlattice. By using the techniques of the group theory we have obtained the expressions of momentum matrix elements between valence band states and conduction band states with four adjustable parameters. These parameters are determined by fitting the calculated values of ε2(Ω) with the experimental values for InP, GaAs and InAs. Our results show that the superlattice periodicity makes its DOS, JDOS and ε2(Ω) different from those of alloy in varying degree. Due to the folding of Brillouin zone, the JDOS of superlattice turns round in comparison with that of alloy. The momentum matrix elements have different effects for the superlattices and alloys.For the alloys, they can only change the amplitudes of peaks but not the positions of peaks; however, for the superlattices both amplitude and position can be changed.     

Electron-phonon interaction in short-period (GaAs) m (AlAs) n (001) superlattices

The deformation potentials of electron scattering at short-wavelength phonons for intervalley transitions in the conduction band of short-period (GaAs) _m (AlAs) _n (001) (m, n = 1, 2, 3) superlattices are determined by the electron density functional method. The dependences of the electron and phonon states and deformation potentials on the layer thickness in the superlattices are analyzed. The results of ab initio calculations are in good agreement with the data of empirical calculation of the deformation potentials integrated over phonons, but differ from data on the corresponding potentials for partial scattering channels because of approximations of the phenomenological model of interatomic binding.     

sol-gel法制备Ba_(3.99)Sm_(9.34)Ti_(18)O_(54)微波介质陶瓷

以柠檬酸为络合剂,通过sol-gel法制备了Ba3.99Sm9.34Ti18O54陶瓷前驱体;经1100℃预烧2h压片成型后,再在1300℃保温3h,即得到了烧结致密的陶瓷样品。与传统固相法相比,其烧结温度降低了50℃,且陶瓷晶粒细小,晶粒分布均匀,具有更加优良的微波介电性能:εr=79.56,Q·f=9636GHz(4.71GHz),τf=–1.23×10–6/℃。     

全球信息基础设施总体概念问题(上)

本文讨论了电信技术、网络形态和发展电信技术的指导思想,目的是从技术机理和工程应用方面说明GII网络形态的总体概念.     

复合量子阱Ge_(0.3)Si_(0.7)/(Ge_(0.3)Si_(0.7))_m-(Si)_m/Ge_(0.3)Si_(0.7)的电子能带结构

采用建立在经验赝历势基础上的推广k·P方法计算了复合量子阱Ge0.3Si0.7／（Ge0.3Si0.7）m-（Si）m／Ge0.3Si0.7的电子束缚能组及其活界面方向的色激关系,并与通常的单带模型下的包络函数方法的计算结果进行了比较。结果表明由于超晶格中子能带的形成,邻近能带间的互作用使通常单带模型下的包络函数方法不再能适用于复合量子阱的计算。计算结果也表明复合量子阱的电子束缚能级沿界面方向在kx＜0.1（2π/a）范围内基本上不随kx变化。