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<正> NEC 电子器件公司开发出了 NAND 型快闪 EEPROM 和具有读出互换性的256Mb 掩模 ROM[μPD23C256112]。快闪 EEPROM 内置的小型存储器卡片,在音乐媒体和出版媒体中的用途将增加。所以对于该存储器互换 ROM 的需要越来越高。除了用于便携式信息设备和游戏软件、电子辞典的数据存储等固有用途之外,还用于音乐和图象的存储信息媒体。除了写入工作外,功能和电特性与 NAND 型快闪 EEPROM 相同。由于在端子布局上具有互换性,使快 相似文献
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<正> PIC16F873型单片机是PIC中级单片机中很有特色的一款,其指令字节为14比特。它具有PIC系列单片机的全部优点,而且片内还带有128×8的EEPROM(也叫E~2PROM)数据存储器,其程序存储器也与众不同,采用快闪存储器。快闪存储器可以实现在电路板上快速擦除和写入,最适合于制作仿真板。借助于专为PIC16F873制作的仿真板,读者在学习程序编写和调试的过程中,可以方便地烧写程序和修改程序。读者在掌握了PIC16F873之后,如果想进一步学习PIC系列其它型号的单片机,将会收到触类旁通的功效。 相似文献
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《半导体技术》2001,26(1):20
爱特梅尔(ATMEL)公司(那斯达克ATML)2000年10月17日宣布了美国国际贸易委员会(ITC)编号为337-TA-395的调查结果及最终裁定以及有限驱逐令。美国国际贸易委员会发现:在可擦可编程只读存储器(EPROM),电可擦可编程只读存储器(EEPROM),快闪存储器(Flash)以及快闪存储器微处理器等半导体器件以及产品领域中,爱特梅尔公司的编号为4,451,903美国专利是有效的,可执行的。
另外,美国国际贸易委员会宣布了有限驱逐令以禁止“侵权的可擦可编程只读存储器,电可擦可编程只读存储器,快闪存储器以及快闪存储器微处理器等半导体器件以及包含这些器件的电子产品进入美国市场”。ITC进一决定,“根据关税法337(j)条款的规定,在等待总统通知委员会关于驱逐令的最终决定的60天期限内,侵权器件以及包含这些器件的电子产品只有缴纳每件0.78美元后才能够进入美国市场”。 相似文献
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英特尔已经在市场销售采用0.13μm工艺技术制造出来的32兆位以及64兆位快闪存储器—“英特尔3VO1t Advanced+Boot Block快闪存储器”的样品。这一产品比较0.18μm工艺技术的产品其芯片尺寸缩小大约50%,特别适用于小型化而且低功耗诸如手机及其它相关电子产品。 手机需要大容量的快闪存储器,以实现互联网接续 相似文献
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日立制作所已制出了内置大容量快闪存储器的F-ZAT微型机“H8/3052F(512位)/3064F(256k位)/3022F(256k位)”的新产品。该产品的制作过程是采用了035μmAl3层布线CMOS工艺,内置了512k位、256k位的单电源快闪存储器和8k位的RAM。另外,在LSI内部还内置了升压电路,实现了以单电源的快闪存储器擦除、写入工作。内置大容量快闪存储器的16位微型机@辛 相似文献
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《电子与电脑》2005,(5):17
世界串行非易失性存储器的领导者意法半导体今天推出两款工作电压为1.8V的512-kbit EEPROM存储器,这两款器件都采用TSSOP8封装,用于I2C(智能接口控制器)和SPI(串行外设接口)总线应用。M95512和M24512是ST采用先进的1.65V电压0.18μmEEPROM工艺制造的最新产品,这项先进的技术使S T能够在一个又小又薄的封装(4.5mmx3.1mm)内组装一个密度高达512kbits的大容量EEPROM存储器。新的TSSOP8封装产品的问世,配合1.85V的工作电压,使许多设备制造商能够缩小电路板面积,推出类似的重量更轻的高端产品。这些EEPROM存储器将用于动态变… 相似文献