功率VDMOS器件设计及研制

分析了VDMOS器件击穿电压、导通电阻、阈值电压和开关特性等主要性能指标的影响因素,并借助半导体模拟仿真软件Sentaurus对VDMOS器件进行建模,调整器件各个结构参数,提出采用P体区间厚氧化层方法提高器件的动态特性,获得满足设计目标要求的器件电性能参数,最终形成器件设计版图,并依此在现有生产线上进行工艺流片,根据流片结果进一步优化调整设计参数,最终获得一款击穿电压400 V、导通电阻0.45?、阈值电压2.5 V、开关特性较好的功率VDMOS器件。     

3300V逆导型IGBT器件仿真

基于现有仿真平台,设计一款3 300V/50A逆导型绝缘栅双极晶体管器件(逆导型IGBT或RC-IGBT),元胞采用场截止型平面栅结构,元胞设计中采用载流子增强技术(EP),元胞注入采用自对准工艺,背面P型集电极采用透明集电极技术,降低IGBT工作模式下的饱和压降。采用二维数值仿真研究了器件结构及结构参数对器件性能的影响,通过结构参数拉偏,折衷优化IGBT与内集成二极管的性能参数,仿真得到的3 300V/50A逆导型IGBT器件饱和压降为3.4V,二极管导通压降为2.3V,阈值电压为5.6V,击穿电压为4 480V,与相同电压等级的分立IGBT器件和二极管性能相当。     

1700V/100A平面型NPT-IGBT静态特性研究

基于现有工艺平台设计一款1 700V/100A非穿通型绝缘栅双极晶体管器件(Non punch through insulator gate bipolar transistor,简称NPT-IGBT),元胞采用平面型结构,元胞注入采用自对准工艺,背发射极采用透明集电极技术,对其静态特性进行工艺仿真。仿真结果显示,调整P阱注入剂量及P阱推结时间可以改变器件的阈值电压,调整P阱及背面P+集电极注入剂量可以改变器件的饱和电压。将此设计进行流片验证,结果显示击穿电压在2 100V以上,饱和压降在2.5~2.7V之间,阈值电压在3.9~5.9V之间,实测值和仿真值相差不大,在误差接受范围之内。     

射频功率Trench MOSFET研制

在国内首次研制出了一种采用条状元胞结构、特殊的栅槽刻蚀条件、特殊的栅介质生长前处理工艺及多晶硅栅的射频功率Trench MOSFET器件。该器件漏源击穿电压大于62V、漏极电流大于3.0A、跨导大于0.8S、阈值电压2~3V、导通电阻比同样条件的VDMOS降低了19%~43%,在175MHz、VDS=12V下输出功率PO为7W、漏极效率ηD为44%、功率增益GP为10dB。     

30 V沟槽MOSFET优化设计

借助半导体专业模拟软件Tsuprem-4 和Medici,模拟得到一组最佳的30 V 沟槽MOSFET结构和工艺参数;给出了特性模拟曲线.在此基础上,详细讨论了沟槽的宽度和深度变化对沟槽 MOSFET的阈值电压、击穿电压、漏电流及导通电阻等特性的影响.最后,根据模拟得到的最佳参数进行了流片实验.结果表明,所设计器件的击穿电压大于35 V,Vgs为10 V下的导通电阻为21 mΩ* mm2.     

300 V IGBT的设计

为了设计一款300 V IGBT,从理论分析了IGBT各工艺参数与器件主要性能之间的关系.并利用Tsuprem4和Medici软件,重点研究了器件工艺参数对器件击穿电压、阈值电压的影响,同时分析了IGBT器件的开关特性及其影响因素,最终得到了兼容CMOS工艺的300 V IGBT的最佳结构、工艺参数.通过计算机模拟得知,该器件的关态和开态的击穿电压都达到了要求,阈值电压为2V,而且兼容目前国内的CMOS工艺,可以很好地应用于各种高压功率集成电路.     

p沟VDMOS的设计及抗辐照特性研究

借助半导体仿真工具Silvaco中所提供的工艺摸拟器(Athena)和器件摸拟器(Atlas),及L-Edit版图设计工具,设计了一款击穿电压高于-90 V、阈值电压为-4 V的p沟VDMOS器件。经实际流片测试,器件的导通电阻小于200 m!,跨导为5 S,栅-源泄漏电流和零栅电压时的漏-源泄漏电流均在纳安量级水平,二极管正向压降约为-1 V。采用2-D器件仿真方法以及相关物理模型对所设计的p沟VDMOS器件的单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅击穿(SEGR)效应进行了分析和研究,并通过对所获得的器件样片采用钴-60"射线源进行辐照实验,研究了在一定剂量率、不同总剂量水平条件下辐照对所研制的p沟VDMOS器件相关电学参数的影响情况。     

高压VDMOS的设计

本文通过VDMOS的电参数来确定其结构参数。通过击穿电压来确定外延层的厚度和电阻率。通过阈值电压来确定栅氧的厚度。由饱和电流的表达式可知元胞的最大通态电流。导通电阻和击穿电压是两个相互矛盾的参数,增加击穿电压和降低导通电阻对器件尺寸的要求是矛盾的。     

新型双异质结双平面掺杂功率PHEMT

设计并制作了双异质结双平面掺杂的Al0.24Ga0.76As/In0.22Ga0.78As/Al0.24Ga0.76As功率PHEMT器件,采用双选择腐蚀栅槽结构,有效提高了PHEMT器件的输出电流和击穿电压.对于1μm栅长的器件,最大输出电流为500mA/mm,跨导为275mS/mm,阈值电压为-1.4V,最大栅漏反向击穿电压达到了33V.研究结果表明,在栅源间距一定时,栅漏间距对于器件的输出电流、跨导和击穿电压有很大关系,是设计功率PHEMT的关键之一.     

RF LDMOS功率器件研制

基于ISE TCAD模拟软件对RF LDMOS器件的工艺流程和器件结构进行了优化设计,采用带栅极金属总线的版图结构降低栅电阻,同时简化了LDMOS器件的封装设计.通过实际流片和测试分析,重点讨论了漂移区注入剂量和漂移区长度对LDMOS器件的转移特性、击穿特性、截止频率及最大振荡频率的影响.测试结果表明该器件的阈值电压为1.8 V,击穿电压可达70 V,截止频率和最大振荡频率分别为9 GHz和12.6 GHz,并可提供0.7 W/mm的输出功率密度.     

CDPD——未来个人通信的重要基石

计算机技术和无线通信技术的发展以及数据通信的市场需求推动了以ＣＤＰＤ为代表的无线数据通信技术的迅速发展。ＣＤＰＤ是以数字分组数据技术为基础，以蜂窝移动通信为组网方式来配置的。它采用ＴＣＰ／ＩＰ为基础的Ｉｎｔｅｒｎｅｔ协议，可视为Ｉｎｔｅｒｎｅｔ的延伸。优异的性能、强大的功能以及开放的系统平台使ＣＤＰＤ可适用多种业务，它将在“金卡”工程，现代化管理、电子商务和信息服务等领域大屏身手。     

一种新型阴极Z阴极的结构和设计

阐述了Z阴极的结构和设计.     

视频故事结构的描述与浏览

提出了对视频故事结构的描述与浏览方法。通过改进的视频分段算法寻找视频镜头边界,实现对连续视频流的有意义切分。提出了基于内容相关性与相似性的优化匹配算法,实现了从一维视频流到二维视频故事结构的描述。通过把视频故事结构表达为故事板和时序结构图,实现了对视频内容的概要性浏览。     

网络经济下开源运动的抉择探析

从寡头垄断市场结构角度来分析开源运动现象存在的内在实质原因，并对开源后的寡头领先企业和跟随企业对市场规模的影响和企业的决策行为选择进行深入分析，并对在这种环境下的各自的优势和劣势进行了对比分析，指出了对中国企业的借鉴作用。     

TD—LTE时代业务规划新思路

与2G和3G网络相比,TD—LTE具有全面数据化和宽带化的特征,随着TD—LTE商用时间越来越近,移动面临着用户结构、业务结构和收入结构的变化。在此背景下,业务规划也随着业务结构的变化需要调整新的规划思路。本文通过TD—LTE背景下遇到的业务结构调整等新问题进行分析和探讨,同时抛砖引玉的提出业务规划中的变化和应对措施。     

高层长途通信枢纽楼应积极地选用钢结构承重体系(二)

近20年来，通过大量冲，我国高层建筑钢结构技术巳发展到一个较高水平，科开生产、设计制造等巳逐步形成完整体系，高层建筑用H型钢的生产正在发展，钢管混凝土使用增多，尤其是符合我国国情的钢-混结构体系，在我国巳获得越来越广泛的应用，本将巳建成的几栋长途电信枢纽楼与国内类似的钢结构高层建筑进行了对比，建议长途电信枢纽楼应优先采用钢结构承重体系。     

基于遗传算法的天线结构优化

遗传算法具有算法简单、不要求函数连续、导数存在,并能收剑到全局最优解特点,采用遗传算法对环梁式空桁天线结构进行优化,设计变量为取离散值的各杆截面积,优化目标;追求最佳吻合抛物面法向位移均方根偏差最小。设计实例表明,使用遗传算法对复杂的结构优化问题能获得较好的优化结果,该算法具有很强的适应性。     

利用CORDIC算法计算平方根及其FPGA实现

平方根运算作为信号处理的一种基本数据运算,在工程项目中应用广泛,但是在FPGA中直接进行平方根运算较为复杂,需要研究其高效实现方法。当利用CORDIC算法进行双曲线方程求解时,可以高效地完成平方根运算。这里首先介绍了CORDIC算法的原理,迭代结构的实现流程,及其在平方根计算中的应用。设计了两种适合于FPGA实现的CORDIC算法平方根运算的结构,并行结构和位串行结构,比较了两种结构的优缺点,并给出仿真结果。     

管理信息系统开发平台的构建及实现

通过对B／S结构管理信息系统的特点分析，结合作者多个管理信息系统的开发经验。探讨了怎样才能快速高效的开发管理信息系统，那就是构建一个良好的开发平台，并给出了具体的架构的实现方案。     

舰载雷达/电子战一体化系统构架和技术发展研究

舰载雷达/电子战一体化系统是舰艇的重要组成部分,对对空/对海方面作战具有重要的战略影响。文中首先对美国海军的舰载电子装备进行了介绍;然后,分析了我军舰载雷达/电子战一体化系统的作战对象、作战使命,对我军舰载雷达/电子战一体化系统构架进行了探讨,对未来技术发展进行了展望。