共查询到20条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
凹槽栅MOSFET凹槽拐角的作用与影响研究 总被引:5,自引:0,他引:5
短沟道效应是小尺寸MOSFET中很重要的物理效应之一,凹槽栅MOSFET对短沟道效应有很强的抑制能力,通过对凹槽栅MOSFET结构,特性的研究,发现凹槽拐角对凹槽栅MOSFET的阈值电压及特性有着显著的影响,凹槽拐角处的阈值电压决定着整个凹槽栅MOSFET的阈值电压,凹槽拐角的曲率半径凹槽MOSFET一个重要的结构参数,通过对凹槽拐角的曲率半径,源漏结深及沟道掺杂浓度进行优化设计,可使凹槽栅MOS 相似文献
2.
刘崇新 《微电子学与计算机》1994,11(3):53-56
在高频域,MOSFET的分布参数对全集成MOSFET-C滤波器的特性有很大影响,本文应用SPICE(Ⅱ)通用模拟电路程序,采用非理想运算放大器单极点电路模型,考虑到MOSFET的寄生电容,对一个六阶切比雪夫低通滤波器全MOSFET-C平衡结构应用传输线模型进行了仿真分析。 相似文献
3.
4.
GaAs MESFET和HEMT的中子辐射效应研究 总被引:2,自引:1,他引:1
本文介绍了GaAs MESFET和HEMT的中子辐射效应。依据中子辐射损伤机理,分析了器件参数与中子辐射剂量Φ的依从关系,其中,器件参数包括物理参数ND、NS、VS,μ和电参数IDS、gm、Vp、G等。 相似文献
5.
本文论述了使用4H-SiC衬底及外延层制作MESFET的方法,测得了栅长为0.7μm、栅宽为332、m的MESFET的直流、S参数和输出功率特性。 相似文献
6.
本文将噪声源引入MESFET小信号等放电路模型,推导了由MESFET内部参数计算其参数的计算公式及由噪声源引起的各端口噪声电流表达式和噪声参数的计算公式,编制了相应的计算程序和绘图程序,经验证得到了令人满意的结果,说明MESFET小信号噪声等效电路模型对研究和应用MESFET是有效的和新颖的。 相似文献
7.
8.
根据单电子系统半经典模型,采用蒙特卡罗法单电子模拟程序对电容耦合的类CMOS单电子逻辑单元在不同参数条件下转移特性进行数值模拟,这种模拟器的物理内涵是通过建立n沟单电子晶体管(SET)开关单元、q沟SET开关单元以及互补型SET开关单元的电容电压荷方程,然后根据隧道前后系统自由能的变化来确定系统的隧穿率,建立电流-电压方程来决定开关特性而得到的。 相似文献
9.
通过对绝缘栅双极晶体管(IGBT)直流参数温度特性的测试分析并与VDMOSFET进行比较,从中得出IGBT能够承受更大的电流密度,其导通压降在高温下较之VDMOSFET有较大的优势。 相似文献
10.
pH—ISFET器件及其电路的SPICE模拟方法 总被引:1,自引:0,他引:1
本文提出了用SPICE软件模拟pH-ISFET器件及其电路的方法。通过SPICE内部的MOSFET参数和引入一些信号源来实现对pH-ISFET传感器及其电路的pH灵敏度关系,瞬态响应以及温度特性的模拟,所得结果与实验观测结果基本相符。 相似文献
11.
12.
根据材料性能和物理结构参数近似计算 Ga As MESF ET等效电路模型参数 ,并给出等效电路参数随物理参数的变化曲线。 相似文献
13.
14.
15.
本文首先分析GaAs MESFET在自升温效应下的升温幅度,然后结合器件电学参数随温度变化的特点,对器件的大信号等效电路模型进行了自升温效应下的修正。修正后的模型更准确地反映了器件的工作特性,应用于GaAs MESFET功率MMIC CAD中能进一步提高电路的设计精度。 相似文献
16.
Olivera R. Proni Vera V. Markovi 《AEUE-International Journal of Electronics and Communications》2002,56(1)
A new procedure for signal and noise modeling of dual-gate MESFET is described in this paper. The small-signal model is based on two cascoded single-gate MESFET intrinsic equivalent circuits embedded in a network representing device parasitics. The wave interpretation of noise is used for defining the noise parameters of each single gate MESFET. Applying this approach, a CAD oriented procedure for extracting the dual-gate MESFETmodel parameters as well as the noise wave temperatures is developed. Modeled scattering and noise parameter characteristics are comparedto the measured ones and quite a good agreement is observed. 相似文献
17.
根据FET沟道区电场分布的特点,用电子速场特性的分段近似提出了一种新的GaAs MESFET直流解析模型。本文提出的模型可用以计算高夹断电压和低夹断电压GaAs MESFET的直流特性,比完全速度饱和模型及平方律模型更为精确。 相似文献
18.
19.
介绍了以 MESFET构成的微波放大器的 2种稳定化方法 ;在栅漏间或栅源间插入 RCL串联支路。分析了在这两种方法中 ,稳定化因子 K以及电路增益与 RCL参数的关系。 相似文献