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实验测量了神光-III原型装置上脉冲强激光与金属靶相互作用产生的电脉冲辐射,电脉冲峰值梯度为3 kV/m,频谱范围大约在50 MHz?2 GHz,在160 MHz等处有明显的特征峰,信号持续时间大约60 ns。本文研究表明电偶极辐射是打靶过程产生电磁脉冲信号的来源之一,由理论模型计算得到频率为160 MHz的特征峰,并计算出探测点电场脉冲峰值梯度约为2 kV/m,辐射总功率约105 W,能量转换率约10-6,辐射功率近似正比于激光能量的4/3次方,可见激光能量越大,功率密度越高,电脉冲的辐射强度越大。大型激光装置上的激光与靶作用产生的电磁脉冲测量,对大型激光装置产生的电磁辐射的防护有重要指导作用,在等离子体诊断等领域也有潜在应用价值。 相似文献
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本文对利用超短激光脉冲触发半导体光导开关产生超短电磁脉冲的装置、器件、材料以及应用方面的研究状况进行了介绍。 相似文献
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陈宏 《电子信息对抗技术》2017,32(2)
研究了一种宽带电磁脉冲辐射振荡与辐射方法,基于该方法设计了一种紧凑型宽带电磁脉冲辐射装置.仿真分析与试验研究结果表明,该辐射装置在输入电压为300kV的条件下,可获得131kV的全向远场辐射因子,电压辐射效率大于40%. 相似文献
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傅恩生 《激光与光电子学进展》2003,40(2):10-13
为了发展未来的磁数据存储技术,产生局部的超快磁场是根本。迄今为止,将电流脉冲注入到微型线圈和微型带状线中,以及用高能电子束已经亚纳秒磁场状态的激发。巳提出通过全金属结构的自旋化电流局部注入做磁开关元件的有效方法,而且似乎巳获得验证,在混合型铁磁半导体结构中巳观测到自旋注入。这里介绍在这种混合结构中几种产生局部超快磁场的方案。其基本元件是用聚集约150fs激光脉冲光抽运的肖特基二极管,激光脉冲在半导体-金属结产生电流,转而在平面内产生磁场。这种方案结合了局部电流注入技术和在肖基势垒上产生快速电流。主要特点包括能在样品平面上沿任何方向快速产生局部场,能通过许多磁元件扫描该磁场,以及能以二极管偏压调谐磁场幅度。 相似文献
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采用单脉冲飞秒激光辐照单晶硅片和铜板,在材料表面产生烧蚀,并激发黑体辐射光谱。利用ICCD在纳秒尺度对激光诱导等离子体的辐射光谱进行测量,使用最小二乘法将采集光谱与普朗克曲线进行拟合,并用有限差分热扩散模型对温度变化曲线进行拟合,证明了黑体辐射法测量飞秒激光加工材料表面激光诱导等离子体温度的有效性。采用单脉冲激光(中心波长1030 nm,脉宽184 fs,1 mJ单脉冲能量)分别加工单晶硅片和铜板表面,测量了纳秒尺度时间分辨的激光诱导等离子体温度。对于单晶硅片和铜板,测量到以零时刻为中心的平均温度分别为231000 K和226000 K,衰减弛豫时间分别为4.41 ns和2.97 ns。 相似文献
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报道了用ns和fs超快脉冲激光器触发GaAs光电导开关的实验结果.用μJ量级的ns光脉冲触发3mm间隙的GaAs光电导开关,观察到线性和非线性工作模式,峰值电流达560A.当用重复率为76MHz的fs激光脉冲串触发同一器件时,电流脉冲上升时间小于200ps. 相似文献
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电磁炉在使用时产生的电磁辐射已经不知不觉深入大众家庭中,看似很环保方便,但其同时也带来了隐忧。电磁炉通过电磁辐射的形式发射能量,在烹调等方便使用的同时成为人们生活的隐形杀手。电磁炉的电磁辐射对人体是否存在危害,是一个值得关注的热点问题。该文通过利用频谱仪结合电磁兼容测量标准对电磁炉的辐射进行测量,客观地分析了电磁炉电磁辐射对人体健康产生的影响,并提出了降低辐射场源的方法和整改措施。 相似文献
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分析了电力线通信 PLC(Power Line Communication)电磁辐射机理,重点探讨电力线通信的电磁兼容问题,包括 PLC 系统与无线电设备的电磁兼容性,以及不同 PLC 系统之间的电磁兼容性,并给出减小 PLC 电磁辐射的对策。 相似文献
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本文首先分析了电磁场辐射原理,然后介绍了在一般条件下对电子线路板进行电磁辐射预实验的方法,最后将测试结果与标准实验室进行比较,从而证明对电子线路板进行预实验的有效性,为设计人员在设计初期及时解决问题提供了很好的参考. 相似文献
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电磁辐射污染被世界卫生组织列为继空气污染、水污染和噪声污染之后第四大污染,被称为"隐形杀手"。根据电磁辐射污染的成因,我们总结出了科学有效的防护措施。 相似文献
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本文用变分法和快速傅里叶变换,分析了在块状均匀与非均匀材料中传输的强超快脉冲的光谱分布,修正了Manassah的错误结果。 相似文献