网络隐写信息传递系统的高效攻击检测

提出了一种基于多路复用波束域约束指向形成的网络隐写信息传递系统的高效攻击检测算法,设计了网络隐写信息传递系统模型,提取信号的本征频率、群延迟和包络等信号特征,对链路层中的加密数据进行块内频率检测,为提高检测概率,对提取得到的多路复用波束域约束指向输出结果进行频分复用分解。根据最小均方误差准则,得到在网络隐写信息传递系统中攻击信号的波束域约束指向形成,实现正交频谱分离,抑制了干扰噪声,实现对攻击信号的高效检测。仿真结果表明,该算法检测出攻击信号波峰明显,抗噪能力强,检测概率高,在网络安全设计和信号检测等领域均具有一定的应用价值。     

针对JPEG格式的数字隐写与隐写分析

数字隐写和隐写分析是信息隐藏技术的重要分支。JPEG图像是隐写术最常见的载体,因而研究以JPEG图像为载体的隐写和隐写分析具有重要意义。剖析了JPEG文件结构,提出了基于JPEG格式的隐写方案;并针对该方案提出了相应的隐写分析方案;然后通过大量统计,建立了两个数据库,并最终构建了一个准实时隐藏信息提取系统。该系统从5万幅互联网上的JPEG图像提出了信息,并有效攻击了11种互联网上的隐写软件。     

一种基于差分进化的鲁棒音频隐写算法

音频隐写是将秘密信息隐藏到音频载体中,已成为信息隐藏领域的一个研究热点。已有研究大多聚焦最小化隐写失真,却以牺牲隐写容量为代价,且往往被一些常规信号攻击后难以正确提取秘密信息。为此,基于扩频技术,首先,分析了隐写参数（分段隐写强度和分段隐写容量）与不可感知性和鲁棒性的关系,并构建了一种以分段隐写强度、分段隐写容量为自变量,以不可感知性和隐写容量为优化目标,以信噪比为约束条件的音频隐写多目标优化模型;然后,提出了一种基于差分进化的鲁棒音频隐写算法,设计了相应的编码、适应度函数、交叉和变异算子。对比实验结果表明,所提隐写算法能够在保证不可感知性和抗隐写分析能力的前提下达到更好的鲁棒性,可以有效抵御一些常规信号处理攻击。     

对随机LSB隐写术的选择密钥提取攻击

提出一种针对随机LSB隐写术的选择密钥提取攻击方法.对一类伪随机置换隐写术建立有向圈模型,证明了有向圈模型中存在大量等价密钥和相邻密钥,并给出计算等价密钥量的方法.利用等价密钥和相邻密钥的性质,结合突变点检测法,提出一种基于选择密钥的提取攻击算法,其计算复杂度低于Fridrich方法.理论分析和实验结果均表明,即使对消息嵌入率估计存在较大误差,该算法仍具有较强稳健性.     

大容量自适应隐写对抗的博弈研究

攻击方拥有自适应规范边信息条件下,如何提高大容量自适应隐写的安全性成为亟待解决的问题.本文对大容量自适应隐写方和攻击方进行博弈建模,分析了博弈均衡存在的条件,通过理论证明给出均衡局势下隐写对抗双方的混合策略和期望支付,最后利用仿真实验验证了理论分析的正确性.研究表明,攻击方的策略与嵌入的信息量无关,期望支付随着嵌入信息量的增加而增加;隐写方选择在载体中某位置进行较多嵌入的概率随着该位置的复杂度增加而增加且不为零.该结论对设计安全的大容量自适应隐写具有一定的指导意义.     

基于混沌的带密钥散列函数安全分析

利用统计分析、生日攻击等方法,针对一类基于混沌系统的带密钥散列函数进行了分析,给出了针对这些算法的伪造攻击和等价密钥恢复攻击。同时,研究了上述攻击奏效的原因,并由此总结了基于混沌技术设计带密钥散列函数时应该注意的问题。最后,提出了一个改进方案,该方案可以抵抗伪造攻击和等价密钥攻击,并且增加的计算负担可以忽略不计。     

数字图像隐写容量的博弈分析

提出了一种基于数字图像的新的隐写信道模型.在该模型中,考虑隐写分析器的作用和载体与隐秘体的相似性,引入错误概率和检测率作为失真约束条件.运用博弈论,把隐写过程看成编解码方与攻击方的博弈,给出了隐写博弈的双方在不同失真约束条件下的隐写容量,并对容量结果进行了分析.     

适用于数字移动通信系统的用户认证方案

基于Schnorr签名，提出了一种适用于数字移动通信系统的用户身份认证方案。该方案能实现双方相互认证，抵抗各种攻击（包括网内攻击）。在用户端引入预计算，减少了用户端的计算量，满足了移动通信的实时要求。并对该方案的安全性及计算复杂性进行了分析，得出了该方案是一个安全性高，计算复杂性低，符合数字移动通信系统要求的结论。     

基于腔QED任意两个Bell态纠缠交换的量子隐写协议

根据腔量子电动力学(QED,quantum electrodynamics)原子的演化规律提出腔QED内新颖的量子隐写协议,其隐藏容量高达4bit。协议通过腔QED中任意两个Bell态纠缠交换,建立一个隐藏信道传送秘密信息。协议不需将多粒子量子纠缠态作为量子资源,也不涉及关于多粒子量子纠缠态的纠缠交换和量子测量。分析表明,本文协议能够抵抗截获-重发攻击、测量-重发攻击和纠缠-测量攻击,具有良好的安全性。     

针对IDEA算法实现方式的时间攻击

传统上认为,密码系统的安全性主要依赖于系统使用的密码算法的安全性,对系统的攻击是基于敌手只能通过系统的输入输出信道获取信息的假设。实际上,密码系统的旁路信息（如时间信息等）也可以被利用来实现攻击。时间攻击就是这一类攻击方法,它通过分析密码系统的运算环节在执行加密过程中的时间信息来恢复密钥。针对IDEA密码算法的实现特点提出一种时间攻击方法,从理论上分析该方法的有效性,并给出抵抗这种攻击的对策。     

密钥控制的多S盒Rijndael算法

根据AESS盒的设计思想构造出了一批密码性能良好的S盒,并从方差的角度对它们的雪崩概率进行了分析。在此基础上,对Rijndael算法中的字节代换步骤SubBytes进行改进,从而提出了一种基于密钥控制的多S盒的Rijndael算法。实验结果表明,改进后的算法对差分攻击的抵抗能力有所提高,雪崩效应更趋合理。     

GSM系统认证算法的设计与安全性分析

本文按照GSM系统认证算法的标准而构造的杂凑函数符合平衡性、高非线性度及严格雪崩特性的设计准则从而能有效地抵抗线性攻击和差分攻击。针对HansDobbertin对MD4 的有效攻击 ,我们提出右移位数不确定性的设计准则     

The use of contrast enhancement layers to improve the effective contrast of positive photoresist

The analytic solution of Babu and Baruch to the dynamic bleaching problem is used to evaluate the merit of contrast enhancement layers in photolithography. A CEL performance criterion is defined as the effective gain in resist system contrast. This gain is evaluated as a function of the CEL and resist parameters. The performance gain is maximized if the product of CEL sensitivity and resist "dose to clear" exceeds one. Universal curves are also given for the evaluation of the CEL transmission function. It is found that nonbleachable absorption in the CEL degrades the performance if its magnitude exceeds a few percent of the bleachable component.     

电路板印刷中阻焊油墨的选用和常见故障的处理

阻焊油墨在印制电路板（PCB）制作上有重要的作用,要正确选择阻焊油墨,掌握印刷技术,以保证PCB制作的质量。文章主要介绍阻焊油墨印制中要注意的问题和常见故障的解决方法。     

光载微波信号抗大气干扰的研究

为了研究射频强度调制激光信号光源的参量,特别是调制深度对调制波的抗干扰能力产生的影响,采用干涉法对射频强度调制激光信号在通过大气湍流干扰后其相位的变化进行了理论分析和实验验证。搭建了Mach-Zehnder干涉仪,参加干涉的两束光分别为未经调制的单频光和调制后的双频光。以干涉条纹对比度作为信号相位起伏的衡量标准,比较不同大气湍流干扰条件下,干涉条纹的对比度随调制深度的变化。大气湍流由空间光调制器模拟产生,分别在26.32%,42.04%,67.59%和85.04% 4种调制深度下,比较有无大气湍流时干涉条纹的对比度的变化。结果表明,调制信号的调制度越深,其抗大气湍流干扰的能力越强。该结论对双频激光雷达光源的选择具有一定的参考意义。     

Stochastic simulation studies of molecular resists

The influence of resist molecular weight as well as its architecture becomes important in lithographic scales aiming at sub-45 nm resolution. The effects of processing and resist molecular geometry on line-edge roughness (LER) should be well understood in order to meet the ITRS lithographic specifications. In this work, two-dimensional simulations and comparisons of the LER between films of molecular resists and resist films made of oligomers with the same molecular diameter, showed that in all cases molecular resists have lower LER. Explanations of this behavior are proposed based on molecular architecture and the free volume distribution in the resist film. It was also found that the size of free volume regions is less in molecular resist than in the corresponding oligomers.     

利用紫外光刻技术进行SU8胶的研究

SU 8光刻胶优异的性能在MEMS技术的发展重得到了广泛的应用 ,已经成为MEMS研究中必不可少的方法之一。SU 8光刻胶能够进行厚度达毫米的结构研究工作 ,另一方面SU 8结构具有很好的侧面垂直结构 ,通过控制工艺参数 ,能够获得满意的SU 8胶结构。SU 8光刻胶已应用于LIGA技术的标准化掩模制造工艺和一些器件的研究工作。在SU8胶研究过程中 ,克服了许多技术难题 ,使得这一技术能够应用到实际的需要中。     

高效调制技术在航空卫星宽带通信传输系统中的应用研究

现代航空卫星宽带通信中,随着各种技术的快速发展,乘客用户对视频会议、图像和语音高效传输及网络宽带多媒体应用等服务的需求愈加强烈,如何在机载带宽资源有限的情况下满足这些需求成为各服务提供商研究的重点。其中,改进或研究更高效的调制解调技术对于提高数据传输效率具有重要意义。针对高阶幅度相位联合键控调制方式(APSK)进行研究,分析了这种技术的基本调制解调原理并推导了其理论误码率公式,然后分别在加性高斯白噪声(AWGN)和实际机载航空环境的瑞利信道下进行性能仿真。仿真结果表明,这种新技术相比QAM有一定的性能改善,而且通过在航空环境下与自适应均衡技术的结合应用可以很好地抵抗多径衰落。     

SU-8胶与基底结合特性的实验研究

SU-8胶是一种负性、环氧树脂型、近紫外线光刻胶。它适于制作超厚、高深宽比的MEMS微结构。为电铸造出金属微结构，通常需要采用金属基底。但SU-8胶对金属基底的结合力通常不好，因而限制了其深宽比的提高。从SU-8胶与基底的浸润性、基底表面粗糙度以及基底对近光紫外光的折射特性入手，对SU-8胶与基底的结合力进行分析，首次指出：在近紫外光的折射率高的基底与SU-8胶有很好的结合性。经实验得出经过氧化处理的TI片的SU-8胶的结合性强。这有利于为MEMS提供低成本，高深宽比的金属微结构。     

Fullerene Resist Materials for the 32 nm Node and Beyond

Current resist materials cannot simultaneously meet the sensitivity, resolution and line width roughness (LWR) requirements set out by the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) for the 32nm node and beyond. Here we present a fullerene‐based, chemically amplified resist system, which demonstrates the potential to fulfill these requirements for next generation lithography. A chemically amplified fullerene resist was prepared, consisting of the derivative MF07‐01, an epoxide crosslinker, and a photoacid generator, such as triarylsulfonium hexafluoroantimonate. The sensitivity of this resist was shown to be between 5 and 10 µC cm^?2 at 20 keV for various combinations of post‐application bake and post‐exposure bake conditions. Using 30 keV electron beam exposure, sparse patterns with 15 nm resolution were demonstrated, whilst for dense patterns a half‐pitch of 25 nm could be achieved. The LWR for the densely patterned features is ～4 nm. The etch durability of the fullerene CA system was shown to be comparable to that of SAL601, a common novolac‐based commercial resist, at almost four times that of silicon.