晶体光阀显示

本文论述了国外晶体光阀的研制和发展情况,主要包括DKDP光阀,BGO光阀和PLZT光阀.另外还简单地介绍了用作全息存贮的PROM和铁电光折射器件,并在第二部分叙述了作为晶体光阀物理基础的普克尔斯效应.我国晶体的研制和生产都有一定基础.如何将各种新晶体引入信息存贮显示领域是个很值得重视的问题     

调制激光用的DKDP电光晶体

随着最近光电子管的发展,电光效应的应用受到人们的重视,这次堀场制作所在日本首次研制成功了激光调制用的电光晶体(DKDP单晶)。这种DKDP单晶是把KDP晶体中的氢置换成它的同位素氘而成的,它能增强电光效应（最大重氢置换率是 99.7%)。     

一种简单和高灵敏度测量晶体电光系数的方法——比较法

在正交偏光干涉实验装置中,用DKDP晶体的电光效应补偿其它晶体电光效应所引起的光程变化,测量晶体电光系数相对于DKDP晶体γ63的数值,提出了一种简单和高灵敏度测量晶体电光系数的方法。     

高平均功率热补偿电光开关

慨述了高平均功率激光器电光开关中产生的热光退偏和波前畸变，介绍了采用KTP和DKDP晶体热补偿电光开关的原理和技术。     

锥形折射调制的研究

本文以电光效应和双轴晶体的锥形折射理论为基础,分析研究了锥形折射调制的特点:计算了加电场后一些晶体在常温下的圆锥孔径角以及KDP、DKDP晶体由相变温度附近的圆锥孔径角;对于观察这种锥形折射调制的实验条件进行了论证和分析,结果表明相变温度附近的KDP,DKDP晶体由于电光系数较常温时显著增加,从而引     

比较法测量晶体的电光系数

我们用一台旋光仪,以DKDP晶体纵向电光效应所引起的光程变化补偿其它晶体的电光效应所引起的光程变化,提供了一种简单、迅速和高灵敏度地测量晶体半波电压和电光系数的方法.采用此方法测量了典型的电光晶体ADP和KDP的横向与纵向半波电压和相应的电光系数γ_(63),以及LiNbO_3;晶体的横向半波电压与相应的电光系数γ_(22).实验结果与其他方法的测量值及文献报道的值基本一致.     

PLZT陶瓷的电光特性及其存贮显示器件

七十年代以来国外对PLZT透明陶瓷材料及其应用做了大量工作,文献数量也相当多,使电子陶瓷进入了电光时代.本文介绍了PLZT陶瓷的基本电光性能和用作存贮显示器件的各种工作模式.着重分析了双析射模和散射模铁电-光导象存贮和显示器件;利用铁电-反铁电可逆相转变的器件;光铁电效应器件以及大屏幕显示等.列出了最新报导的晶体光阀和液晶光阀的特性以供比较.最后,提出了些相应的看法.     

薄片DKDP晶体前后表面损伤识别技术研究

在全内反射边缘照明的基础上,利用DKDP晶体的双折射特性,解决了区分DKDP晶体自身前后表面损伤的问题。紫外光入射到11 mm厚的DKDP晶体会分解为o光和e光,并在出射面产生254.738 m（理论值）的偏离量。这个偏离量导致DKDP晶体后表面损伤在CCD上成双像（一个是o光成像,另一个是e光成像）,可以用偏振片对双像进行调制;DKDP晶体前表面损伤在CCD上只有单像,不受偏振调制影响。通过偏振调制,可以避免重复提取同一个损伤信息,提高损伤识别精度。实验证明:该方法可以区分厚度为11 mm的DKDP晶体前后表面损伤。     

高重复频率的双晶体光调制器Q开关

美帝西屋公司新产品部出售一种在高重复频率时提供精确电子控制Q开关的双晶体光调制器。此种光调制器是一种普克耳斯盒用作Q开关、光调制器或光闸。它的特征是低驱动电压和髙频率响应。调制器的工作性能、不受温度的影响,因为所用两个电光晶体装在对温度变化不灵敏的晶体盒里。     

自身电光效应补偿法测量DKDP晶体感应主轴方向的应力双折射

本文用DKDP晶体自身电光效应补偿的原理,测量了其感应主轴方向的应力双折射。     

电子束管内残余气压的测定

一、引言电子束管在排气、封离后的管内残余气体是影响管子寿命的一个决定性因素。这种残余气体的来源主要是由于排气不良、封接部分慢性漏气以及真空材料在使用时放气,等等。因此研究残余气体的成分和压强以及在使用过程中它们的变化具有极为重要的意义。它有助于确定最佳的排气规范和阴极分解激活规范,鉴定电真空工艺和卫生的有效程度,研究消气剂的吸气量及其持续作用,合理选择管内零件的材料等。     

KDP和DKDP电光晶体沿表层缺陷研究

对激光技术广泛使用的磷酸二氢钾(KDP)和磷酸二氘钾(DKDP)电光晶体另件加工的基本要求是获得的抛光表面缺陷要最少。根据对晶体损伤提出的热电子机理得出,为了提高表面的抗光强度首先要改善加工,即在保持表面光学质量条件下尽可能完全消除由于机械加工而引起的损伤裂纹层。根据文献[2]数据,KDP晶体经极粗的机械加工(切割)后,其〔001〕面方向损伤层深度不大于145微米。关于DKDP晶体的类似数据文献中未见到。作者研究了KDP和DKDP晶体用不同粒度金刚砂粉研磨后的凸凹和裂纹层,并讨论     

温度场、应力场对光学电压传感器影响的分析

以锗酸铋(BGO)晶体为传感材料,分析了由温度、SF6气体产生的温度场、应力场对晶体光学性质的影响,得到了温度场、应力场对光学电压传感器性能影响的规律,即由温度场产生的热光效应和在均匀状态下的SF6气体压应力对传感器性能没有影响。但由温度变化在晶体内产生的热应力引起的双折射相位延迟,却叠加在电光效应相位延迟上,且随温度变化,对传感器的稳定性产生影响。最后给出了传感器受温度影响的试验结果。     

质子轰击GaP外部电光采样

采用质子轰击n-GaP晶体作为外部电光采样材料,用倍频移相扫描电光采样技术和反射式光路结构,对ITO共面波导上的微波信号进行了测量.结果表明,用质子轰击的方法可以使n-GaP样品的电阻增大四个量级,接近于半绝缘材料,能有效地减小GaP晶体内部自由电荷对电场的屏蔽效应.在2.30GHz微波信号时,质子轰击GaP外部电光采样测量获得了40mV(/Hz)的电压灵敏度.     

液晶复合材料的电光特性

基于液晶复合材料中液晶微粒的电控光散射原理,对这种新材料的光散射和电光响应进行了初步理论和实验研究,研究表明它们具有适于大面积显示,光阀等应用的新型性能。     

质子轰击GaP外部电光采样

采用质子轰击 n- Ga P晶体作为外部电光采样材料 ,用倍频移相扫描电光采样技术和反射式光路结构 ,对 ITO共面波导上的微波信号进行了测量 .结果表明 ,用质子轰击的方法可以使n- Ga P样品的电阻增大四个量级 ,接近于半绝缘材料 ,能有效地减小 Ga P晶体内部自由电荷对电场的屏蔽效应 .在 2 .30 GHz微波信号时 ,质子轰击 Ga P外部电光采样测量获得了 40 m V/Hz的电压灵敏度 .     

KTP电光开关

利用KTP晶体的有效电光系数γc1,制成电光开关,实验研究了它的热光效应,通过温控实现了晶体的静态双折射补偿,并将它成功地运用于调Q脉冲的削波整形     

可调制的三极管光激射器

贝尔电话实验室创制了一种新型的气体 光激射器,它与三极管一样,可以靠改变管的栅极电压进行调制。被氧化物热阴极放出的接近相同能量的电子束激发后,三极管光激射器发生振荡。它没有普通气体 光激射器的辉光放电现象。     

线性电光效应引起晶体介电张量变化的简单表示

晶体的光折变效应已被广泛应用于全息存贮、四波混频及相位共轭光学中,这些研究不仅对单轴晶体,而且已涉及到双轴晶体,它们的基本原理均基于晶体中全息光栅的衍射原理,而光衍射效率的大小又与晶体线性电光效应引起的光频介电常数的变化有关。文献[2]曾考虑到晶体中电场的方向,给出了部分点群晶体介电张量的变化形式,本文导出线性电光效应作用下所有晶体介电张量变化的普遍表达式,给出主要光折变晶体所属点群的介电张量的变化矩阵。     

液晶光阀管大屏幕电视的研究

我们使场致胆甾相-向列相相转变液晶和电子束光阀管相匹配,获得了能满足电视信号要求的液晶光阀管快速图象。图象的分辨率可达300线以上,亮度对比度达15:1。