强流离子注入机晶片电荷积累及控制

分析了离子注入机中晶片电荷积累的物理机理，介绍了强流离子注入机中控制晶片电荷积累的方法，并讨论了强流离子注入机设计应注意的问题。     

国外离子注入机发展动态

本文概述了微电子器件对离子注入机的需求，介绍了国外离子注入机发展现状和发展趋势。     

离子注入机的EMC技术研究

本文在理论联系实际的基础上就离子注入机的电磁兼容性(EMC)问题进行了初步的研究。分析了离子注入机中的噪声干扰状况;提出了离子注入机中几个实际的噪声干扰模型;比较系统地介绍了离子注入机中常用的EMC技术及其实施措施。     

当代离子注入机—设计周密的智能型离子注入机

当代的离子注入机已不是从前那种难以驾驭的机器了;它们可以是加工过程中操作人员的工程伙伴。Piter Burggraaf,Senior Editor如果离子注入机能思维,它就应考虑到生产、工艺过程控制和自动维护的功能:它将集启动、设定和装载于一身——从操作人员那里接过这些重担。这种“会思维”的离子注入机可以控制离子加工过程中与增加产额有关的许多参数,如束扫描,圆片旋转和倾斜,圆片带     

0.8—0.5μM时代的离子注入技术

作为在半导体圆片中掺入杂质的离子注入,开始时是用于MOS晶体管的V_(th)控制等低浓度掺杂,是一种已获得广泛应用的技术。目前,由于离子注入机性能的提高和工艺的改进,离子注入也能用于MOS LSI的源极、漏极和双极型LSI的发射极等高浓度掺杂,几乎所有的掺杂工艺都可用离子注入技术代替。     

LC—2A型离子注入设备的某些改进

本文叙述了弗里曼(Freeman)离子源体联接在LC-2A型中能离子注入机上的应用;表明了弗里曼离子源体与LC-2A型中能离子注入机光路系统相吻合后,可以茯得较大束流;这样,满足了我所半导体集成电路研制工艺中高剂量离子注入掺杂要求;文章还讨论了LC-2A型离子注入机束流增大后引起的诸如离子流的污染、磁分析器扁管防“穿通”、以及样品热聚积效应问题。     

离子注入实时监测

生产操作人员常采用光量监测法来控制离子注入工艺。当硅片的离子注入涉及到多台离子注入机为不同直径的硅片作离子注入,离子种类、剂量和能量范围很宽的时候,生产控制就成为提高效率和产量的决定性因素。要减少离子注入引起的失效以增加芯片的产量,工艺控制就得把离子注入引起的变化与其它电路制造步骤引起的变化区分开。Siliconix公司的生产操作人员现常用光量监测法来控制离子注入工艺,以实现有效的实时控制。     

LC—13型强流氧离子注入机

强流氧离子注入机是用于研制开发ＳＩＭＯＸ材料所需的关键设备。该项目的研制具有一定的难度，在国内尚属首例。本文描述了ＬＣ－１３型强流氧离子注入机主要性能指标及技术难点。     

256MDRAM时代的离子注入机

２５６ＭＤＲＡＭ时代的离子注入机村上隆志，高桥武人，川崎洋司随着ＤＲＡＭ器件高密度的发展，对离子注入机提出了更高的要求，离子注入技术为适应这种需求也迅速发展起来。ＤＲＡＭ各个时期的设计尺寸、圆片尺寸、离子注入技术的发展过程如图１所示。近几年来，中束流...     

大束流离子注入机能量污染的研究

能够精确控制离子注入的能量从而控制掺杂的深度是离子注入机的重要特征。本文讨论了大束流离子注入机能量污染，产生的原因及降低能量污染的方法。     

大束流离子注入机能量污染的研究

能够精确控制离子注入的能量从而控制掺杂的深度是离子注入机的重要特征。本文讨论了大束流离子注入机能量污染，产生的原因及降低能量污染的方法。     

国内离子注入机发展概况

本文简要介绍我国离子注入机的发展概况。     

离子注入剂量的均匀性检测和校正

介绍了离子注入机中注入剂量的均匀性检测和校正,着重阐述了均匀性的检测原理、均匀性计算公式、均匀性检测和校正流程及算法。     

LC-11型强流离子注入机剂量控制器

本文介绍了LG－11型强流离子注入机全机械扫描剂量控制器的工作原理，硬件结构和软件框图。     

高温溅射离子源及其在LC—3型高能离子注入机上的使用

高温溅射离子源已用于LC—3型离子注入机,可以成功地进行全元素注入。 本文描述了该离子源的结构和使用状况,根据我们的实践,改进了源的热炉。束流到达靶上的强度从零点几微安到几个微安。     

Two Steps B Ion-Implantation of Diamond Film Grown on an n-Type Si Substrate and Its p-n Junction Effects

Polycrystalline diamond thin films are deposited on an n-type Si substrates by hot filament chemical vapor deposition,and then are implanted with boron ions in a 200keV ion implanter.In order to achieve a better distribution of the implanted element,boron ions are implanted by two steps:implanting boron ions with the energy of 70keV first,and then with the energy of 100keV.The homogeneous distribution of the B ion is gained.The current-voltage characteristics of the samples are studied.It is found that the p-n heterojunction effect is achieved in these samples.     

在n型硅基底上二次注入硼离子金刚石膜的p-n结效应

在n型Si衬底上用热丝化学气相沉积方法制备了多晶金刚石膜,用200keV的离子注入机在金刚石膜中进行了二次硼离子注入,第一次注入能量为70keV,第二次注入能量为120keV,获得了硼离子的均匀分布,测试了样品的I-V特性,发现其具有明显的p-n异质结效应.     

NV10-80大束流注入机离子源电路原理分析及维修经验浅谈

本文较为详细地分析了Eaton NV10-80大束流离子流入机离子源电路工作原理，包括ARC电压，灯丝电流，气源压力调节及固体源坩埚温度控制的电路工作原理，同时，又针对常用离子源故障解决作了剖析。由于Eaton NV10-80大束流离子注入机国内半导体厂家使用较为广泛，其它型号的离子注入机也可借鉴，本文有较高的实际指导意义。