CaF2掺杂对ZnNb2O6陶瓷烧结行为及介电性能的影响

用传统固相法合成了CaF2掺杂ZnNb2O6微波介质陶瓷,通过XRD、SEM以及HP4291阻抗分析仪等测试手段对其烧结行为、晶体结构及微波介电性能进行了系统研究。结果表明,CaF2掺杂能有效地降低ZnNb2O6陶瓷的烧结温度,提高介电常数,但品质因数Q值有所下降。1100°C烧结w(CaF2)=0.5%(质量比)掺杂的ZnNb2O6陶瓷具有较好的介电性能:εr=31.6,Q×f=68THz,τf=-47×10-6°C-1。     

烧结助剂对BiNbO4陶瓷烧结特性及介电性能的影响

研究了ZnO-B2O3、ZnO-B2O3-SiO2、B2O3对BiNbO4陶瓷烧结特性及介电性能的影响。结果表明:ZnO-B2O3、ZnO-B2O3-SiO2、B2O3液相存在于晶粒和晶界上,不同程度地促进烧结,大幅度降低BiNbO4的相变温度;ZnO-B2O3-SiO2、B2O3的加入,对BiNbO4的介电常数、Q值影响较大;而添加1%质量分数的ZnO-B2O3,致密化温度降低到900,达到96%的理论密度,在920保温4h,材料的r为41,Q·f为13500GHz。     

Ca~(2+)、Y~(3+)共掺杂CeO2对其发射率性能影响

本文通过共沉淀法,以草酸为沉淀剂,Ca~(2+)、Y~(3+)共掺杂CeO_2来降低其高温下红外发射率,并且Ce_(0.8)Y_(0.15)Ca_(0.05)O_(2-δ)粉体发射率最低,最小值为0.271。再用两种不同沉淀剂KOH及NH_4HCO_3分别合成Ce_(0.8)Y_(0.15)Ca_(0.05)O_(2-δ)粉体,所得结果可知,KOH为沉淀剂所合成的Ce_(0.8)Y_(0.15)Ca_(0.05)O_(2-δ)粉体发射率最低,最低值为0.223。通过γ射线辐照处理Ce_(0.8)Y_(0.15)Ca_(0.05)O_(2-δ)粉体,可使其最低发射率由0.271降至0.187。     

Y~(3+)掺杂ZnO压敏陶瓷的微结构和电性能研究

采用两步烧结法制备了Y3+掺杂的(以Y(NO3)3·6H2O形式加入)ZnO压敏陶瓷,通过XRD、SEM和EDX系统研究了Y3+掺杂量对ZnO压敏陶瓷微结构和电性能的影响。结果表明:随着Y3+掺杂量的增加,电位梯度VT和非线性系数α提高,晶粒尺寸减小,施主浓度Nd和晶界态密度Ns降低,势垒宽度ω增大。当掺杂的x[Y(NO3)3·6H2O]为1.2%、烧结温度为1100℃时,ZnO压敏陶瓷电性能最好,其VT为675V/mm,α为63.9,漏电流IL为2.40μA。     

不同起始原料对BMT微波介质材料烧结及微波介电性能的影响

本工作利用ＢＥＴ，ＳＥＭ，ＴＥＭ等分析测试手段研究了不同起始原料对ＢＭＴ微波介质陶瓷烧结性能及微波介电性能的影响，发现用自制的Ｔａ２Ｏ５·ｘＨ２Ｏ为起始原料合成的ＢＭＴ粉料比用一般Ｔａ２Ｏ５为起始原料合成的ＢＭＴ烧结温度低１００℃左右，而且在同一条件下烧成的样品的体密度和微介电性能也有很大的提高，特别是高得多的Ｑ值。     

掺杂对宽带激光烧结BaTiO3陶瓷组织与性能的影响

为了获得组织与性能优良的BaTiO3陶瓷,采用宽带激光烧结技术制备了掺杂碱金属离子(Ca2+)和稀土元素离子(Y3+)的BaTiO3陶瓷.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、热重-差热分析(TGDTA)、TR-8401振簧式静电计对BaTiO3陶瓷进行了组织与性能表征.实验结果表明,Ca2+的掺杂抑制了陶瓷晶粒长大,改善了BaTiO3的温度稳定性,防止六方相的生成,提高BaTiO3的居里点;Y3+的掺杂使BaTiO3陶瓷组织致密,降低了BaTiO3陶瓷的室温电阻率并使BaTiO3半导体化.     

SiO_2掺杂低温烧结PMMNS压电陶瓷的结构和性能

采用固相二步合成法制备SiO2掺杂Pb(Mg1/3Nb2/3)0.05(Mn1/3Nb2/3)0.04(Mn1/3Sb2/3)0.01Zr0.45Ti0.45O3(PMMNS)压电陶瓷,探讨了不同SiO2掺杂量对陶瓷样品的相结构和机电性能的影响。结果表明:在烧结温度为980℃时,可以得到纯钙钛矿结构PMMNS陶瓷。SiO2的加入,明显降低了PMMNS陶瓷的烧结温度。当SiO2的掺杂量为质量分数0.10%时,所得性能最佳:kp=0.51,d33=323pC/N,Qm=1475,tanδ=0.0038和εr=1762。     

锶受主掺杂对TiO2压敏陶瓷电性能的影响

采用典型的电子陶瓷工艺,制备了不同SrCO3含量掺杂的TiO2压敏陶瓷。通过对试样的压敏特性、电容特性的测试,研究了不同SrCO3含量对TiO2压敏陶瓷电性能的影响。结果表明,随着掺入SrCO3含量的变化,TiO2压敏陶瓷的电性能呈现一定的变化规律。当x(SrCO3)为0.5%时,试样表现出最好的压敏特性:V1mA为7.2 V/mm,α为3.6,εr为8.3×104,tanδ为0.53。     

热压烧结对Co－Mn－Ni－O热敏材料电性能的影响

研究了不同热压压力、热压方式对Ｃｏ－Ｍｎ－Ｎｉ－Ｏ热敏材料电性能的影响。热压烧结能够提高材料的电阻率及Ｂ值。Ｘ射线衍射分析表明，热压烧结材料有ＭｎＣｏ２Ｏ４、ＮｉＭｎ２Ｏ４和ＣｏＮｉＯ２三相组成。从扫描电镜照片可见，热压烧结材料晶粒细小、均匀、气孔率少，是提高其电性能的主要原因。调整热压压力可以有效地控制材料的电学参数     

热压烧结对Co－Mn－Ni－O热敏材料电性能的影响

研究了不同热压压力、热压方式对Ｃｏ－Ｍｎ－Ｎｉ－Ｏ热敏材料电性能的影响。热压烧结能够提高材料的电阻率及Ｂ值。Ｘ射线衍射分析表明，热压烧结材料有ＭｎＣｏ２Ｏ４、ＮｉＭｎ２Ｏ４和ＣｏＮｉＯ２三相组成。从扫描电镜照片可见，热压烧结材料晶粒细小、均匀、气孔率少，是提高其电性能的主要原因。调整热压压力可以有效地控制材料的电学参数     

益气活血复方对兔颈总动脉球囊损伤后VCAM-1表达的影响

目的观察益气活血复方（YQHXFF）对兔颈动脉内皮损伤后血管内膜增生及血管细胞黏附分子-1（VCAM-1）表达的影响。方法将雄性新西兰白兔28只,随机分为3组,空白组给予普通饲料8周;模型组和益气活血复方组给予高脂喂养6周后,用球囊拉伤法建立兔颈总动脉内皮损伤模型,第8周末处死动物,免疫组化法检测损伤处颈总动脉组织中VCAM-1表达,HE染色观察颈动脉组织病理形态学改变。结果与模型组对比,益气活血复方可明显抑制损伤后的动脉内膜增殖反应,下调损伤局部VCAM-1的表达水平（P〈0．05）。结论益气活血复方可抑制球囊损伤后动脉内膜增殖反应,其机制可能与下调VCAM-1表达有关。     

CuO掺杂Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3陶瓷的结构与性能

采用传统陶瓷制备工艺,以容差因子为依据进行CuO掺杂,制备了可在较低温度烧结成瓷的Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3(BSTO)基陶瓷.结果表明,w(CuO)=0.5%～4.0%的BSTO基陶瓷可在1 200 ℃烧结成瓷,且不会引入杂相.介电性能测试表明,在室温低频下,随CuO掺杂量的增加,BSTO陶瓷的介电常数增加,而介电损耗降低;在微波频段下,BSTO基陶瓷的介电常数和介电损耗均随CuO掺杂量的增加而增大.可调性测试表明,在1 kV/mm的直流偏压下,各BSTO基陶瓷掺杂样的可调性均大于10%,其中,试样w(CuO)=1%的可调性达到13.2%.     

(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3-(Ba_(0.85)Ca_(0.15))TiO_3无铅压电陶瓷的结构与性能

采用流延叠层成型工艺制备了(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.1Ti0.9)O3-5%(Ba0.85Ca0.15)TiO3(BCZT-5%BCT)无铅压电陶瓷,研究了BCZT-5%BCT陶瓷的微观组织结构对电性能的影响规律,研究表明,BCZT-5%BCT陶瓷的晶粒尺寸对其压电、介电与铁电性能影响显著,在1 500℃下烧结时,BCZT-5%BCT陶瓷的晶粒尺寸随烧结保温时间的增加呈现先增大后减小的趋势,烧结保温时间为8h的样品中晶粒尺寸最大,此时BCZT-5%BCT陶瓷的压电与铁电性能最优,即压电常数(d33)约为218pC/N,剩余极化强度2Pr约为30.48μC/cm2,介电常数(εr)约为1 617,介电损耗(tanδ)约为0.037,居里温度(TC)约为90.6℃。     

铁电薄膜底电极La0.5Sr0.5CoO3的结构及电性能研究

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Si衬底上沉积一层La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)薄膜底电极,并在不同的退火温度下表征薄膜的各种性质.X线衍射表明在550～750℃退火温度下制备的LSCO薄膜呈(110)取向的钙钛矿结构;谢乐公式估算薄膜的晶粒尺寸为25～50 nm.扫描电子显微镜(SEM)观察结果显示:薄膜表面平整,结构致密.运用四探针法测量薄膜的体电阻,结果表明,750℃退火温度后渗氧处理可获得电阻率较低的La0.5Sr0.5 CoO3薄膜.     

Y2O3含量对热压烧结AIN-玻璃碳复相材料性能的影响

采用热压烧结工艺,以氮化铝和玻璃碳为原料、Y2O3作烧结助剂,在氮气氛下烧结制备AIN一玻璃碳复相材料。研究了烧结助剂含量对复相材料的烧结性能、相组成、显微结构、力学性能以及热导率的影响。结果表明：随着Y2O3含量的增加,试样的体积密度逐渐增大,气孔率稍微减小。Y2O3与A1N表面的Al2O3反应生成Y3A13O12,且生成的Y3Al5O12进一步与Y2O3反应生成YAl03。随着Y2O3含量的增加,玻璃碳与氮化铝晶粒之间的结合强度增大,材料的抗弯强度逐渐降低,断裂韧性逐渐减小。当Y2O3含量为3％（质量比）时,试样的抗弯强度最高为459.7MPa,断裂韧性最大为4.38;当Y2O3的含量为7％时,试样的热导率达到最大为103.7W·m。·K-1。     

Sr0.3Ba0.7Bi3.7La0.3Ti4O15铁电陶瓷的烧结及介电性能

采用两步烧结工艺制备Sr0.3Ba0.7Bi3.7La0.3Ti4O15铁电陶瓷,研究了烧结工艺对陶瓷的晶相和介电性能的影响。结果表明:适当提高最高温度、保温温度和保温时间可改善陶瓷的介电性能。当最高温度为1180～1200℃,在1050～1080℃保温5～15h时,其εr为238～262,tanδ小于10–2,σ为1.0×10–11～10–12S·m–1。该烧结工艺可减少铋的挥发,降低氧空位浓度,因而减弱了陶瓷的高温低频耗散现象。随着保温时间的增加,高温电导得到有效抑制,在1050℃保温15h样品的σ降低了一个数量级,在280℃时为5.2×10–9S·m–1。     

助剂对ZnO-SiO2陶瓷烧结和性能的影响

研究了Bi2O3-SiO2烧结助剂预合成对ZnO-0.6SiO2陶瓷烧结和微波介电性能的影响。750℃预烧后的Bi2O3-SiO2烧结助剂能形成液相,有效地将ZnO-0.6SiO2陶瓷的烧结温度从1 380℃降至990℃。随助剂添加量的增加,ZnO-0.6SiO2陶瓷的介电常数(rε)略有提高,品质因数(Q×f)随之下降,频率温度系数(τf)无明显变化。添加3%~10%(质量分数)预合成的Bi2O3-SiO2助剂后,ZnO-0.6SiO2陶瓷在990℃保温2 h,获得微波介电性能为:rε=6.19~6.59,Q×f=37 500~41 800 GHz(测试频率f=11 GHz),τf=(-52.9~-50.1)×10-6/℃。     

烧成和极化条件对PZT—BF—BCN系压电陶瓷电性能的影响

本文探讨了PZT—BF—BCN四元系统压电陶瓷在不同烧成条件下电性能的变化及其显微结构特点,详细研究了极化电场、极化温度和极化时间对该系统电性能的影响,找到了该系统较佳的烧成和极化条件。     

Ag/La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3薄膜电阻开关特性的研究

采用脉冲激光沉积技术在SrTiO3(001)单晶衬底上制备出钙钛矿结构La0.67Sr0.33MnO3薄膜,利用X射线衍射仪与原子力显微镜表征其晶体结构与微观形貌,并对Ag/La0.67Sr0.33MnO3/SrTiO3结构的室温电脉冲诱发可逆变阻效应进行了分析讨论。该效应表现出良好的非挥发多值存储特性,有望应用于新型存储器、传感器、可变电阻等电子元器件的研制。