应用于X波段的0.2um V型栅槽AlGaN/GaN HEMT

研制出0.2um栅长 V型栅槽AlGaN/GaN HEMT。该0.2um栅槽是由0.6um 的光刻设计尺寸经过SiN各项同性淀积和各项异性刻蚀而形成。该0.2um栅长V型栅槽AlGaN/GaN HEMT最大截止频率为35GHz,最大震荡频率60GHz。在10GHz频率和20V漏偏压下,该器件最大输出功率达到4.44 W/mm ,功率附加效率49%。     

5-Gb/s 0.18-μm CMOS集成时钟提取功能的2:1复接器设计

摘要：采用SMIC 0.18um CMOS工艺设计并实现了一个5-Gb/s在片集成时钟提取功能的2:1复接器,且该时钟提取子电路具有自动相位对准功能.芯片面积为670um*780um.在1.8V电压下,总功耗为112 mW, 输入灵敏度在50 mV以下, 输出单端摆幅大于300 mV. 测试结果表明,该复接器能够在不需要任何外接元件、参考时钟或外部相位调整下可靠地工作在1.8 Gb/s至2.6 Gb/s之间的任何输入数据速率. 该芯片可被用在并行光互连系统中.     

MMI型1.31／1.55umGaAs波分复用／解复用器的研制

利用多模波导的自镜像原理,分析设计了一种能直接与单模光纤相耦合的具有最小循环比的1031/1.55um波长的GaAs/G aAlAs波分复用／解复用器。该器件的输入、输出单模波导和SIE多模波导采用离散谱折射率法进行了优化设计,最后获得了当输入、输出单模波导宽为3um、SIE多模波导宽度和最佳耦合长度分别为18um和5602.8um时,该器件的1.31um和1.55um两个波长的隔离度均在70dB以上,且传输损耗小于0.1 dB.     

一种带三级预放大的高速高精度CMOS比较器

比较器的设计对于A/D,D/A转换器的精度至关重要。为了满足12位高分辨率的A/D转换器的需要,设计了一种高精度CMOS比较器,采用三级差分比较和一级动态正反馈的Latch结构实现了高比较精度。论文对该比较器的电路结构,增益,带宽,输入失调消除原理和锁存时间常数进行了分析,并利用Hynix 0.5um CMOS工艺提供的器件模型进行了仿真,在20MHZ频率下,比较器的精度达到了400uV。测试结果显示,在16MHZ频率下,比较器的精度达到了600uV。在电源电压为5V时,功耗为78uw。芯片面积是210um *180um 。该比较器已经成功用于一种10MSPS 12位A/D转换器中。该器件还可以用于13位以下的其他A/D转换器电路。     

20 Gb/s 0.18 µm CMOS 1:2 分接器设计

基于CML逻辑及以电流密度为中心的设计方法,采用SMIC 0.18um CMOS工艺设计并实现了一个20Gb/s 1:2分接器. 为了电路的完整性及内部操作的可靠性,对速度具有一定制约作用的数据输入缓冲器及静态的锁存器被相应地采用. 同时,由于采用了静态的锁存器,该分接器能工作于很宽的数据速率. 测试结果表明,在1.8V电压下,本电路能可靠地工作在上至20Gb/s、下至5Gb/s（甚至更低）的输入数据速率.芯片面积为875um*640um. 功耗为144mW, 其中核心电路仅占28%左右.     

夹心式a—Si：H光阴极

为了提高a-Si:H光电发射的量子效率，设计了夹心式场增强结构。此结构是SnO2-n-pa-Si:H-AI:Cs:O，并在光阴极动态试验系统上进行了初步实验研究，它的光谱响应复盖整个可见光区，长玻限在0.82um，知值波长0.56um。光电发射灵敏度与所加偏压有关，在15V偏压下，积分灵敏度为30um/Lm，峰值量子效率为2.1%。     

干旱地区大气折射对光电工程的影响

通过对干旱地区某地探空资料的分析,拟合出不同季节条件下折射指数随高度变化的拟合公式,利用拟合公式计算了光电跟踪设备使用不同波长跟瞄空间目标时的蒙气差、大气色散和测距修正量。结果表明:(1) 在相同视仰角的条件下,冬季的蒙气差修正结果大于其余季节的结果,且大于标准大气的计算结果,而春、夏、秋季的蒙气差小于标准大气的计算结果;(2) 春季的0.55 um 与1.3 um、3.9 um 的大气色散较其余季节的结果为大,对于0.55 um 与1.3 um 及3.9 um 之间的大气色散在视仰角大于55条件下差别并不明显;(3) 不同季节、不同波长测距修正量的变化特点略有不同,其中夏、秋季节特点较为相似,3.9 um 测距修正量受季节影响较0.55 um 与1.3 um 更为明显。所得结果可为该地区光电工程应用提供参考。     

2.4um源漏间距的高性能AlGaN/GaN HEMTs

本文报道了具有2.4um源漏间距的AlGaN/GaN HEMTs。这是目前利用国内材料和工艺制作的最小源漏间距的AlGaN/GaN HEMTs。本文还详细比较了源漏间距2.4um和4um器件的电特性。相比之下,2.4um源漏间距AlGaN/GaN HEMTs的漏电流、跨导、增益、输出功率和效率明显提高,更具意义的是器件的最大震荡频率有较大提高。     

一种基于流水线结构的6.25Gbps CMOS 10B/8B解码器

8B/10B编码可以提供直流平衡的数据流和足够的0,1翻转以便于时钟恢复,因而目前广泛应用于各种领域。传统的10B/8B解码器设计中,直接根据逻辑表达式利用纯组合逻辑进行解码,这大大地限制了解码器的运行速率。本文提出了一种流水线结构的10B/8B解码器,它有更短的关键路径长度和更高的运行速率。根据这种流水线结构,采用TSMC 0.18um CMOS工艺进行电路设计并流片,版图面积为375um*375um。流片后的测试结果表明此解码器功能正确,速度可达到6.25Gbps,此时1.8V电源电压下,总功耗21.6mW,眼图中峰峰抖动177.8ps。     

一种12bit CMOS全差分SAR ADC

本文设计一种12bit CMOS全差分SAR ADC,分析了其电路原理和结构,阐述各部分电路对ADC性能的影响,提出新型DAC_SUB电阻串和时间自调节比较器结构,并推算VCM抖动对电路的影响。基于TSMC 0.18μm 1.8V/3.3V CMOS工艺,采用全差分阻容混合式结构,实现ADC设计。本设计ADC的核心版图尺寸为390um×780um,测试结果显示,在1MS/s采样率下,当输入信号频率为31.37kHz时,该ADC的ENOB达到10.76Bit,功耗约为2mW。