新世纪光刻技术及光刻设备的发展趋势

本文主要阐述了光刻技术的发展极限及193nm,157nm光学光刻技术和电子束投影光刻（SCALPEL）、X－射线光刻（XRL）离子投影光刻（IPL）等技术的发展趋势。并详细介绍了国际著名品牌的光刻机以及即将推出的新一代光刻机。对国内光刻设备的发展现状作了简要概述。     

微细加工设备的微观设计

<正>同时,由于微电子技术工业化人生产的需要,从价值工程的观点出发,又出现了各种微细加工技术和设备之间的混合一匹配使用趋势,以便发挥各种技术的长处,最大限度地降低微电子产品的成本/性能比。所谓混合,指的是不同种技术或设备之间的相互配套使用,如电子束直接光刻与直接分步曝光机(DSW系统)和接触/接近式光刻机之间的混合使用。所谓匹配指同种设备或技术不同台号之间的配套使用。 微细加工设备是微电子技术发展的基础和重要手段,它的发展必然要受到上述发展     

193nm光刻技术延伸方法

介绍了提高193nm光刻分辨力的方法,如浸入式光刻技术、相位移技术等。并介绍了193nm浸入式光刻机的优点和前景。     

ASML公司光学光刻技术最新进展

荷兰ASML公司作为全球三大光刻机集成生产商之一，通过不断的技术创新，在全球光刻机市场上居于领先地位。在简单介绍光刻机基本工作原理和主要技术指标的基础上，详细分析了ASML公司在光学光刻技术方面的最新技术进展。     

下一代曝光(NGL)技术的现状和发展趋势

通过介绍光刻技术的演变和所面临的挑战 ,揭示下一代光刻技术的发展潜力和研究现状。通过比较几种具有较大潜力的NGL(浸没式ArF光刻机、极紫外光刻和电子束曝光 )的特点、开发现状和有待解决的关键技术 ,预言将来可能是以极紫外光刻、电子束曝光和某种常规光刻机结合的方式来实现工业、前沿科学技术需要的各种微米 /纳米级图形的制备。     

下一代曝光（NGL）技术的现状和发展趋势

通过介绍光刻技术的演变和所面临的挑战,揭示下一代光刻技术的发展潜力和研究现状。通过比较几种具有较大潜力的NGL(浸没式ArF光刻机、极紫外光刻和电子束曝光)的特点、开发现状和有待解决的关键技术,预言将来可能是以极紫外光刻、电子束曝光和某种常规光刻机结合的方式来实现工业、前沿科学技术需要的各种微米／纳米级图形的制备。     

下一代曝光(NGL)技术的现状和发展趋势

通过介绍光刻技术的演变和所面临的挑战,揭示下一代光刻技术的发展潜力和研究现状. 通过比较几种具有较大潜力的NGL(浸没式ArF光刻机、极紫外光刻和电子束曝光)的特点、开发现状和有待解决的关键技术,预言将来可能是以极紫外光刻、电子束曝光和某种常规光刻机结合的方式来实现工业、前沿科学技术需要的各种微米/纳米级图形的制备.     

电子束光刻技术的原理及其在微纳加工与纳米器件制备中的应用

电子束光刻是微电子技术领域重要的光刻技术之一,它可以制备特征尺寸10nm甚至更小的图形.随着电子束曝光机越来越多地进入科研领域,它在微纳加工、纳米结构的特性研究和纳米器件的制备等方面都呈现出重要的应用价值.本文以几种常见的电子束曝光机为例,说明电子束光刻的工作原理和关键技术,并给出一些它在纳米器件和微纳加工方面的应用实例.     

KLA-Tencor推出可解决二次成像挑战的首款计算光刻机

KIA-Tencor公司日前推出其领先业界的最新版计算光刻机PROLITH 11。这种新型光刻机让用户首次得以评估当前的二次成像方案，并以较低的成本针对光刻在设计、材料与制程开发等方面挑战，尝试不同的解决方案。这种新型计算光刻机还支持单次成像和浸没技术。     

电子束直接曝光机简介

电子束直接曝光机简介郑国强（甘肃平凉市电子部第４５研究所，７４４０００）１引言电子束曝光技术是集光、机、电、计算机和超高真空技术为一体的综合性技术，它可以把亚微米工艺的集成电路和器件图形直接光刻在Ｓｉ和ＧａＡｓ等圆片上。电子束直接曝光设备在军事微电子...     

浸没式ArF光刻最新进展

简单概述了浸没式ArF的发展历史、特点和面临的科学技术问题,在跟踪报道国内外最新研究进展的同时,介绍前沿光刻技术的研发特点和研究手段,强调协同设计研究的重要地位,并揭示浸没式ArF光刻不是干式ArF光刻的简单移置和延续。     

极紫外光刻真空工件台技术研究

在极紫外光刻系统中,真空工件台的运行精度、速度、加速度以及动态定位和扫描同步性能是影响整机成像质量、套刻精度和产率的重要因素。结合极紫外光刻机的工作原理和发展现状,论述了极紫外光刻机真空工件台系统的特征、组成及其关键技术。     

一种适于快速OPC的精确光刻胶剖面仿真算法

光刻仿真工具是描述实际工艺的有效工具。利用光刻仿真工具，能够准确地描述由掩模制造工艺、光刻胶曝光、显影、蚀刻所引起的光学邻近效应和畸变所导致的关键尺寸的变化。利用了改进的空间图像仿真及可变光强阈值模型来获得准确的硅片图形。改进的空间图像的基本思想是，用空间图像与一个高斯滤波器进行卷积，从而使图像较原来变得模糊，以此来模拟光刻胶的实际扩散效应。描述了一种适用于快速光学邻近校正（OPC）的准确的光刻胶剖面仿真算法。     

下一代光刻技术

介绍了下一代光刻技术的演变,重点描述了浸没式光刻技术、极端远紫外光刻技术、纳米压印光刻技术和无掩模光刻技术的基本原理、技术优势、技术难点以及研发,并展望了这几种光刻技术的前景。     

浸没式光刻向22nm挺进

简述了光学光刻技术在双重图形曝光、高折射率透镜材料及浸没介质、32nm光刻现状及22nm浸没式光刻技术的进展,指出了光学光刻技术的发展趋势及进入22nm技术节点的前景。     

光刻、OPC与DFM

讨论了90/65nm芯片设计采用可制造性设计的必要性和优势。介绍了以RET/OPC为核心的可制造性设计。     

Molecular weight and processing effects on the dissolution properties of thin poly(methyl methacrylate) films

An experimental set-up based on multiwavelength interferometry, is applied in order to study in-situ the dissolution process of thin resist films. The interference function was the basis for a fitting algorithm, which analyses the experimental data and evaluates the progress of the resist thickness with time. The dissolution of various PMMA molecular weights (15 K, 350 K, 996 K) and resist thicknesses (20-300 nm), in various developers, consisting of mixtures of methyl iso butyl ketone (MIBK), iso propanol (IPA), H₂O at various relative concentrations, was studied. Surface dissolution inhibition was shown in unexposed resists with high molecular weights and increased thickness in the case of MIBK-IPA 1-1 and IPA-H₂O 7-3 developers. After that the whole dissolution process evolved at a steady rate. Dissolution of thick films proved to be unpredictable showing complex dissolution curves. Low molecular weight resists presented a smooth dissolution curve without dissolution inhibition. Samples exposed with small DUV doses, exhibited dissolution behavior similar to the unexposed cases, whereas high exposure doses, within the lithographically useful range, led to smooth dissolution behavior. In the case of MIBK-IPA 1-3 developer significant swelling was observed.     

DNA analysis by single molecule stretching in nanofluidic biochips

Stretching single DNA molecules by confinement in nanofluidic channels has attracted a great interest during the last few years as a DNA analysis tool. We have designed and fabricated a sealed micro/nanofluidic device for DNA stretching applications, based on the use of the high throughput NanoImprint Lithography (NIL) technology combined with a conventional anodic bonding of the silicon base and Pyrex cover. Using this chip, we have performed single molecule imaging on a bench-top fluorescent microscope system. Lambda phage DNA was used as a model sample to characterize the chip. Single molecules of λ-DNA stained with the fluorescent dye YOYO-1 were stretched in the nanochannel array and the experimental results were analysed to determine the extension factor of the DNA in the chip and the geometrical average of the nanochannel inner diameter. The determination of the extension ratio of the chip provides a method to determining DNA size. The results of this work prove that the developed fabrication process is a good alternative for the fabrication of single molecule DNA biochips and it allows developing a variety of innovative bio/chemical sensors based on single-molecule DNA sequencing devices.     

Fabrication and electrical performance of high-density arrays of nanometric silicon tips

We propose and demonstrate a simple and low cost process for the fabrication of large area arrays of nanometric silicon tips, for use as Field Emission Devices (FEDs). The process combines Interference Lithography (IL) with isotropic Reactive Ion Etching (RIE). Si tips with typical curvature radius of 20 nm and height of 900 nm were recorded with a periodicity of 1 μm (density of 10⁶ tips/mm²) covering a Silicon wafer of 2 in. The measurement of the electrical performance of the arrays demonstrates the feasibility of the association of these two techniques for recording Field Emission Tips.     

0.1μmT型栅PHEMT器件

通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法 ,并利用复合胶结构 ,一次电子束曝光制作出具有 T型栅的 PHEMT器件 ,并对 0 .1μm栅长 PHEMT器件的整套工艺及器件性能进行了研究 .形成了一整套具有新特点的PHEMT器件制作工艺 ,获得了良好的器件性能 (ft=93.97GHz;gm=6 90 m S/mm ) .