虚拟存储的魔力——从硬盘到RAM

虚拟存储是一个奇妙而可行的处理技术,有了这项技术,你的系统就会把硬盘及其它存储设备看成是内存,并把它们当内存一样处理。 自60年代初以来,虚拟存储已经成为大型的计算机系统领域的热门话题。然而,一直到1982年,当INTEL公司宣布1974分的8086芯片停产,并推出具有存储器管理保护模式的80286芯片时,该技术的最大优势才发挥出来。 还记得8088和8086吗?这两种处理器使用最简单的存储     

基于8086的交通灯控制系统设计

设计了基于INTEL微处理器8086的双向交通灯控制系统,通过8255A并行可编程接口芯片驱动红绿黄三色二极管显示,给出了三种控制方案。在PROTEUS环境下进行了三种方案的电路设计,同时采用EMU8086软件完成了系统软件设计,通过PROTEUS进行了系统仿真,并对比了三种方案设计的优缺点,说明了定时和中断在交通灯控制系统中的重要作用。     

基于FPGA的以太网MAC控制器的设计与实现

介绍了基于FPGA的以太网MAC控制器的设计,主要实现了半双工模式下CSMA/CD协议、全双工模式下Pause帧的收发,以及对物理层芯片中寄存器的读写访问。设计采用Verilog硬件描述语,按照自顶向下的设计流程描述了以太网的主要功能模块,该控制器通过Modelsim进行了仿真并进行了FPGA板级验证,验证其能够满足8...     

以太网MAC控制器的FPGA实现

介绍了一种简单的基于FPGA的以太网MAC控制器的实现方法。采用Verilog硬件描述语言,运用自顶而下的设计方法描述了MAC控制器的主要功能,并给出了关键模块的仿真波形。主要实现了半双工传输模式下的CSMA/CD协议、发送和接受数据帧的完全状态控制、以及对物理层(PHY)芯片寄存器的读写访问控制。     

CSP引发内存封装技术的革命

本文简要介绍了几种内存芯片封装技术的特点。CSP是内存芯片封装技术的新概念,它的出现促进内存芯片的发展和革新,并将成为未来高性能内存的最佳选择     

CSP引发内存封装技术的革命

简要介绍了几种内存芯片封装技术的特点。CSP是内存芯片封装技术的新概念,它的出现促进内存芯片的发展和革新,并将成为未来高性能内存的最佳选择。     

CSP引发内存封装技术的革命

简要介绍了几种内存芯片封装技术的特点.CSP是内存芯片封装技术的新概念,它的出现促进内存芯片的发展和革新,并将成为未来高性能内存的最佳选择.     

CSP引发内存封装技术的革命

本文简要介绍了几种内存芯片封装技术的特点。CSP是内存芯片封装技术的新概念，它的出现促进内存芯片的发展和革新，并将成为未来高性能内存的最佳选择。     

适用于消费类电子产品的自动增益控制电路设计

本文简要介绍了几种内存芯片封装技术的特点。CSP是内存芯片封装技术的新概念，它的出现促进内存芯片的发展和革新，并将成为未来高性能内存的最佳选择。     

CSP引发内存封装技术的革命

本文简要介绍了几种内存芯片封装技术的特点。CSP是内存芯片封装技术的新概念，它的出现促进内存芯片的发展和革新，并将成为未来高性能内存的最佳选择：     

一种改进的DSP内存控制单元

高性能内存控制单元对于提高DSP芯片性能具有非常重要的意义。本文讨论并提出了多种内存控制单元结构并详细讨论各自特点。这些内存控制单元使得整个芯片的工作性能得到了提高，达到芯片时延小于3ns的设计要求。     

一种混合内存系统访存热点控制方法

相变内存(Phase-Change Memory,PCM)被认为是最有可能取代DRAM的非挥发存储器件,它与DRAM读取性能相当且无需动态刷新,但存在着读写非对称和寿命受限的问题,因此在设计新型计算机系统存储结构时被考虑与DRAM共同构建内存子系统.针对PCM-DRAM平面混合内存架构中由于访存局部性所引起的热点区域集中读写访问所带来的不利影响,提出了一种基于访存热点控制的有效策略,来降低内存系统功耗和增加PCM使用寿命.     

基于Blackfin 533 SPORTs口的USB主从接口设计

采用SPI接口协议实现了SPORTs口与CH376的通信。描述了一种基于USB主从接口芯片CH376与Blackfin 533的通信设计方案,包括SPORTs口的接口配置、USB模块的硬件设计、驱动程序、CH376芯片的驱动程序等。实现了DSP对USB存储设备的读写访问,以及计算机与DSP的通信,实验表明,整个设计可实现对U盘的快速读写,并方便与PC机进行通信。     

8086接口实验系统设计

伴随着Intel 8088/8086以及80286、80386等CPU芯片日益广泛深入的应用,与之相配套的众多可编程的接口芯片也得到了广泛应用。就目前国内院校的情况来看,已陆续开始开设16位微机原理及接口控制等课程,但都普遍存在着接口实验不容易解决这样一个问题。为此,我设计了8086接口实验卡,通过它可以很好地解决上述问题,使理论教学与实验能够紧密地结合起来。     

三星将大批量生产30纳米DDR3DRAM内存芯片

三星电子近日称,30纳米DDR3DRAM内存芯片已经适合消费者使用,准备应用到产品中。2GBDDR3内存芯片耗电量比用50纳米生产技术制造的内存芯片的耗电量减少了30％,生产成本效率提高了一倍多。三星用于笔记本电脑、台式电脑和服务器的2GBDDR3内存芯片只使用1．5伏或1．35伏电源。     

市场趋势

Q2 DRAM内存市场销售环比增长34%据市场研究公司iSuppli称,2009年第二季度全球DRAM内存芯片的销售收入达45亿美元,比今年第一季度的34亿美元增长了34%。今年第一季度全球DRAM内存芯片的销售收入比去年第四季度下降了19%。不过,与去年同期相比,第二季度的DRAM内存芯片的销售收入下降了33.5%。     

DOS下内存的分配及使用

<正> 内存是计算机系统最宝贵的资源之一,也是影响软件正常运行的重要因素。内存分配使用不当,往往会引发占用冲突,出现程序无法加载运行、死机等现象。因此,弄清楚内存的映像结构及其基本概念,有助于我们正确地使用这一重要资源。 1.常规内存(Conventional Memory)是指内存ok～640k字节的线性空间。从硬件看,PC机的内存是由物理存贮器构成的,而实际上可寻址空间的大小取决于CPU的寻址能力,即CPU地址线的多少。早期基于8086/8088CPU的PC机只有20条地址线,寻址能力为2~(20)=1MB,其后的80286、80386及80486各有24和32条地址线,可寻址16MB和4GB。尽管CPU性能日益提高,可寻址范围不断扩大,但由于DOS本身是建立在8086/8088基础上的,因而所有采用X86系列CPU的PC机,不论其物理内     

海力士开发出全球最大容量的单芯片封装DRAM内存

全球第二大计算机内存芯片厂商海力士半导体周三称,它已经开发出全球最大容量的单芯片封装DRAM内存芯片。海力士在声明中称,通过使用一种名为TSV(硅通孔技术)的新技术,海力士成功地在一个芯片封装中堆叠了8个2 GB DDR3 DRAM内存芯片。TSV技     

基于8086 CPU的单芯片计算机系统的设计

本文依据集成电路设计方法学,探讨了一种基于标准Intel 8086微处理器的单芯片计算机平台的架构。研究了其与SDRAM,8255并行接口等外围IP的集成,并在对AMBA协议和8086 CPU分析的基础上,采用遵从AMBA传输协议的系统总线代替传统的8086 CPU三总线结构,搭建了基于8086 IP软核的单芯片计算机系统,并实现了FPGA功能演示。     

业内巨头将联手制定移动DRAM内存接口规范

ARM、爱立信、海力土半导体、LG、SiliconImage、三星电子、索尼爱立信移动和意法半导体等公司组建了移动DRAM内存领域的一个工作组,希望为移动产品中的下一代内存接口制定一个开放的标准SPMT串行端口内存技术工作组）。如果这个标准建立起来,预计市场将看到移动市场出现新一类DRAM内存芯片,同目前的DRAM内存芯片相比,这种新的内存接口技术将把芯片脚数减少40％,把输入和输出电源减少50％,能够使带宽达到每秒200MB至每秒12.6GB。