微波单片集成电路的成品率优化

采用建立管芯等效电路模型、灵敏度分析以及统计勘探法对微波单片集成电路进行成品率优化，并编制了软件，加入到ＧａＡｓＩＣＣＡＤ系统中。应用该软件对Ｘ波段低噪声ＭＭＩＣ、超宽带ＭＭＩＣ放大器进行了设计，成品率有较大的提高，电路性能有所改善。     

微波单片集成电路的成品率优化

采用建立管芯等效电路模型、灵敏度分析以及统计勘探法对微波单片集成电路进行成品率优化，并编制了软件，加入到ＧａＡｓ ＩＣ ＣＡＤ系统中。应用该软件对Ｘ波段低噪声ＭＭＩＣ、超宽带ＭＭＩＣ放大器进行了设计，成品率有较大的提高，电路性能有所改善。     

12GHz GaAs单片混频器

分析研究了一种新型１２ＧＨｚＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ单片混频器，这种混频器采用级联ＦＥＴ作为混频元件。射频（ＲＦ）和本振（ＬＯ）信号分别通过各自的匹配网络进入混频电路，在中频输出端用中频缓冲放大器代替通常的中频匹配电路。电路在厚０．２ｍｍ，面积１．５ｍｍ×１．２ｍｍ的ＧａＡｓ基片上实现。设计的ＭＭＩＣ混频器在本振１１ＧＨｚ，射频１１．７～１２．２ＧＨＺ频率范围内的最大变频增益１．８ｄＢ。这一结果使进一步研究单片微波接收机成为可能。     

GaAs IC CAD及其在通信电路中的应用技术

介绍了自主开发的多个完整实用的ＧａＡｓ ＩＣ ＣＡＤ软件,包括微波无源元件建模、微波有源器件测试建模、微波毫米波ＩＣ ＣＡＤ、光电集成电路ＣＡＤ、ＧａＡｓ ＶＨＳＩＣ ＣＡＤ、微波高速ＭＣＭ ＣＡＤ等,并简要介绍了针对ＧａＡｓ工艺线的建库工作。以上软件和库已用于多个通信电路的设计。     

微波单片负阻有源压控滤波器设计方法和实验研究

本文给出了一种利用ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ负阻特性实现的微波单片有源滤波电路，并考虑到ＭＭＩＣ工艺兼容性，提出了一种ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ变容管结构，从而实现了滤波器的压控功能。     

提高砷化镓功率MMIC中电容成品率的研究

金属－绝缘体－金属（ＭＩＭ）电容量影响ＧａＡｓ微波单元集成电路（ＭＭＩＣ）成品率的主要原因之一，ＰＥＣＶＤ氮化硅膜又是影响ＭＩＭ电容质量和成品率的主要因素。本文通过实验和分析，提出了提高氮化硅膜质量和减少薄膜针孔的方法，结果大大提高了ＭＩＭ电容ＧａＡｓＭＭＩＣ的成品率，降低了ＧａＡｓ ＭＭＩＣ的成本。     

GaAsIC数字微波逻辑单元微波参量特性研究

介绍了根据微波ＩＣ单元设计概念来分析设计ＧａＡｓ数字ＩＣ单元的一种新的方法。采用微波参量分析方法能有效地分析高速ＧａＡｓＩＣ在微波域内的频响特性。对两个典型的ＧａＡｓ数字ＩＣ单元运用电路模拟程序ＰＳＰＩＣＥ进行了微波Ｓ参数特性分析。     

低压低能耗应用的InGaAs／AlGaAsPHEMT单片微波SPDT开关

提出了微波频率下ＰＨＥＭＴ在作开关运用时一种简化的等效电路模型，其模型参数可从对实际ＰＨＥＭＴ芯片的在片微波测试方便地确定。对于电路中元件采用不同尺寸组合情形下所进行的开关性能（插入损耗，隔离度，输入及输出反射损耗）的模拟计算表明，与实验结果符合良好。在对串／并联ＰＨＥＭＴ型ＳＰＤＴ开关的ＣＡＤ优化设计基础上进行了ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓＰＨＥＭＴ单片ＳＰＤＴ微波开关的实验研制。从研制的ＭＭＩＣ芯片上在片测试得到的结果为：对应新的个人通信频段的应用，在０～２ＧＨＺ范围内，插入损耗＜１．０ｄＢ，隔离度＞５０ｄＢ，输入及输出反射损耗均优于２４ｄＢ。研制的这种高性能单片开关还可在低至－２．０Ｖ的控制电压下工作。     

GaAs MESFET大信号瞬态模拟

本文采用了大信号瞬态分析方法，从砷化镓（ＧａＡｓ）材料参数和器件几何参数出发，通过求解Ｐｏｉｓｓｉｏｎ方程和连续性方程，模拟出ＦＥＴ器件端口特性，得到了大小信号器件模型不同的定量依据，并在此基础上提取出了ＦＥＴ非线性模型参数．本文所开发的软件，其有效性在从材料器件物理参数出发，一步设计出微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）的ＣＡＤ过程中得到了验证．     

最新的通信IC

以下介绍的通信ＩＣ都是各公司１９９６年的最新产品，其品种涉及到ＰＣＳ手机、无绳电话、无线通信、卫星电视、调制解调器、ＦａｓｔＥｔｈｅｒｎｅｔ和ＡＴＭ等。＋３ＶＤＣＰＣＳ手机用分立器件和ＩＣＯｋｉ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ公司开发了一系列８００～１９００ＭＨｚＰＣＳ手机用＋３ＶＤＣ分立器件和ＩＣ。这些器件是用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ技术和硅ＣＭＯＳ技术制作的。ＧａＡｓ器件包括ＫＧＦ１６０６分立ＧａＡｓ场效应管（ＦＥＴ）、ＫＧＦ１６０８分立ＧａＡｓ　ＦＥＴ和ＫＧＦ１２６２中功率ＧａＡｓ单片微波集成电路…