M—IDG结构小型超宽带衰减器的FDTD仿真和实现

本文在分析新型传输线-微带加载插入介质波导(M-IDG)基本特性的基础上,用FDTD法仿真设计了小型、超宽带衰减器。电路尺寸分5．1×25mm２和5．1×40mm2两种。对于10dB衰减器,工作频带0．5～18GHz内衰减起伏小于1.0dB;30dB衰减器,在2．0～18GHz带宽内,衰减起伏小于2．5dB。实测结果与FDTD仿真结果基本吻合。     

微波窄带带通滤波器的设计

分析了微带线窄带滤波器设计的基本理论,借助AgilentADS仿真软件完成了中心频率位于L波段的窄带带通滤波器的设计。该滤波器选用切比雪夫的原型结构,并由耦合微带线构成,其通带为1．9GHz～2．1GHz,通带内衰减小于1．5dB,起伏小于0．5dB,在1．7GHz和2．3GHz衰减大于20dB,端口反射系数小于-15dB。版图仿真结果满足滤波器设计要求。     

一种新颖的4bit和5bit超宽带GaAs单片数字衰减器

介绍了一种新颖的DC～20GHz的4bit和5bit GaAs单片数字衰减器的设计、制造和测试结果．该衰减器的设计采用纵向思维的方法．最终得到的4bit数字衰减器的主要性能指标是：在DC～20GHz频带内,插入损耗≤3.5dB,最大衰减量15dB,衰减步进1dB,衰减平坦度≤0.2dB,衰减精度≤±0.3dB,两端口所有态的电压驻波比≤1.6,相对于参考态,衰减态的插入相移在－10°～5°以内,芯片尺寸1.8mm×1.6mm×0.1mm．5bit数字衰减器的主要性能指标是：在DC～20GHz频带内,插入损耗≤3.8dB,最大衰减量15.5dB,衰减步进0.5dB,衰减平坦度≤0.3dB,衰减精度≤±0.4dB,两端口所有衰减态的电压驻波比≤1.8,相对于参考态,衰减态的插入相移在－14°～2°以内,芯片尺寸2.0mm×1.6mm×0.1mm．     

GaN宽带大功率MMIC开关

<正>GaN HEMT作为第三代宽禁带化合物半导体器件,其高的击穿电压、大的电流密度等特点,使其非常适合于微波大功率开关的研制。南京电子器件研究所利用76.2 mm(3英寸)SiC衬底GaNHEMT材料实现了DC～6 GHz 20 W、DC～12 GHz 15 w和DC～20 GHz 8 W宽带大功率系列开关的研制。其中DC～6 GHz 20 W GaN功率开关带内插入损耗<0.8 dD、隔离度>35 dB、P-1dB>20 W,DC～12 GHz15 W GaN功率开关带内插入损耗<1.4 dB、隔离度>30 dB、P-1dB>15 W,DC-20 GHz 8 W GaN功率开关带内插入损耗<1.5 dB、隔离度>30 dB、P-1dB>8 W,三款功率开关的性能指标均为室温连续波下的测试结果,图1所示为它们在带内的插损和隔离度测试结果。该系列GaN宽带大功率开关的研制成功,充分展示了GaN HEMT在宽带微波大功率开关应用方面的潜力。     

一种Ka频段宽频带90&#176;电桥

给出了一种结构简单的90&#176;电桥方案,可应用在Ka宽频段卫星通信圆极化馈源系统的接收通路中。这种电桥由2个宽边并列放置的波导通过窄壁耦合构成,采用多级阶梯匹配,不需容性加载调配元件,在ka频段2GHz接收频带内两输出端口相位差90&#176;&#177;0．2&#176;,幅度误差小于0．15dB,回波损耗优于-30dB。已成功应用于一种宽频带Ka段段卫星通信馈源中,馈源系统实测轴比优于0．35dB。     

产品介绍

X—波段放大器中心频率;10GHz带宽:±500MHz增益;28dB输出功率: 20dBmKU-波段放大器中心频率:13～18GHz带宽:±250MHz增益:30dB噪声系数:<2dB输出功率: 20dBm     

CDMA 870～880MHz频段的结环行器设计

利用带线结环行器的相关理论．设计7870～880MHz结环行器．最看实现的环行器在0．5～1．5GHz内,插入损耗≤0.4dB，最小隔离麦≥20dB．电压驻波比≤1．20．符合基站用环行器的技术指标。[编者按]     

C波段GaAs单片低噪声放大器

本文介绍了C波段GaAs微波单片集成低噪声放大器的设计,给出了电路拓扑与版图设计.在3.7～4.2GHz下,研制成的两级放大器噪声系数为1～3.5dB,增益为20dB左右;三级放大器噪声系数为1.6～3.5dB,增益大于30dB.     

波导带通滤波器与微带转换装置的设计

利用三维仿真软件HFSS首先设计了K波段7阶电感E面带通波导滤波器,以及波导-微带转换器.其中波导滤波器的中心频率为19 GHz,带宽为3 GHz,带内损耗小于0.1 dB,端口反射小于-20 dB;而波导-微带的转换器在16～20.8 GHz的带宽内端口反射小于-20 dB,带内损耗小于0.1 dB.然后将两者有效结合为一体,其工作带宽为17.5～20.5 GHz,带内损耗为0.3 dB,端口反射小于-15 dB,带外抑制小于-30 dB,可以满足实际系统应用的需求.     

一种单平面结构的高精度V波段0/180&#176;移相器

受魔-T特性的启发,不同于传统的平衡式微带-槽线0/180&#176;移相器双平面结构,文中采用平衡式共面波导-槽线转换方案,应用肖特基势垒二极管研制了一种响应速度快、寄生调幅小的小型化单平面电路结构V波段0/180&#176;移相器,实现了电路简化设计。该移相器结构紧凑,加工方便,在4 GHz的宽频带范围内,实现插入损耗&lt;3 dB、相位平衡度≤5&#176;、幅度平衡度≤0.5 dB的良好电性能。