新型72／84kVC—GIS用真空灭弧室的绝缘特性

本文描述了７２／８４ｋＶ新型柜式气体绝缘开关设备Ｃ－ＧＩＳ用真空灭弧室的绝缘技术。沿聊瓷内表面设计一个多腔屏蔽结构可大大提高绝缘性能,它使真空灭弧室的体积减小了４０％,配置这种真空灭弧室的Ｃ－ＧＩＳ设备的体积也减少４０％,本文讨论了表面绝缘的基本特征及多腔屏蔽结构对表面绝缘的影响以及它们在新型７２／８４ｋＶ Ｃ－ＧＩＳ设备中的应用。     

用小触头间隙开断大电流的试验

为了研究触头间隙对大电流开断性能的影响，我们在两种商用的真空灭弧室上进行了一系列试验。我们把这两种灭弧室分别称作Ａ型和Ｂ型。在综合试验台上，对Ａ型灭弧室在１２ｋＶ、３１．５ｋＶ下试验，对Ｂ型在１２ｋＶ、１３．１ｋＡ下试验，所有值均为有效值。每种类型灭弧室都用三只试管，在触头间隙为１ｍｍ至８ｍｍ之间进行试验。另外，由于短路试验的同一种触头装在可拆式真空灭弧室里，以便用高速摄像机拍照。结果表明，触头间     

真空灭弧室压力变化及真空寿命的判定

真空灭弧室是以真空作为绝缘和灭弧介质的。内部气体压力对灭弧室的性能起着决定性的作用，本文分析引起内部气体压力上升的气体源，简述了真空寿命的计算判定方法。     

真空灭弧室的设计

真空灭弧室是真空开关的最重要的部件，被誉为真空开关的心脏，因此，真空灭板室的设计至为重要，本文介绍真空灭板室的最新设计，其中包括真空灭弧室的基本要求，触头材料及几何形状，波纹管，屏蔽，真空壳体的设计以及真空灭弧室的总体设计等。真空灭板室用于真空断路器，真空接触器以及真空负荷开关等，它对整机的机电性能影响很大，因此，精心设计和制造性能优异的真空灭弧室以满足各种使用场合不同用户要求，这是摆在设计和制造     

接触器和开关用的新型真空灭弧室

由于真空断路器具有许多优点,因而德国的ＡＢＢ Ｃａｌｏｒ Ｅｍａｇ Ｍｉｔｔｌｓｐａｎｎｕｎｇ ＧｍｂＨ公司研制出一系接触器和开关用的真空灭弧室,其电压分别为１２ｋＶ和３６ｋＶ。装有该新型灭弧室的开关设备具有体积小和坚固耐用的特点,容易满足相应的ＩＥＣ专门规定的所有电气和机械要求。     

大电流真空断路器的研究

本文研究的目标是测定电流峰值增至１００ｋＡ时要保持扩散型电弧的纵向磁场强度。磁场是由流过真空灭弧室（ＶＩ）外的线圈的电流产生的。用数码像机观察电弧并研究电弧聚集和电弧电压间的关系。１００ｋＡ（峰值）的电弧在５．５ｍＴ／ｋＡ时能保持扩散。然后，分析了触头速度的影响。测定了分闸电流与气体压力和瞬态恢复电压（ＴＲＶ）的关系。     

避免漏气的真空灭弧室出厂的措施

简述了真空灭弧室的真空度要求，分析了漏气的真空灭弧室出厂的原因，提出了防止漏气的真空灭弧室出厂的措施。     

纵磁场真空灭弧室

真空作为一种经受过考验的开断介质特别在中压领域相对其它介质具有许多优势。过去ＡＢＢ公司配断路器的真空灭弧室横磁场触头。为了满足对短路开断电流的最高要求,研制出具有纵磁场触头的真空灭弧室,能够可靠地开断短路电流６３ｋＡ及以上。在电压技术领域,真空技术已在许多使用场合,在很大程度上取代了其他灭弧介质,如油或ＳＦ６。真空灭弧室的特点是结构简单而紧凑,免维护、寿命长以及良好的环境兼容性。ＡＢＢ ＣａｌｏｒＥｍａｇ公司从８０年代初就已研制真空灭弧室「１」（图１）。在位于德国那建根市的研究中心（Ｒ＆Ｄｃｅｎｔｅｒ）,高级工程师们利用先进的工具和高效的计算机软件使灭弧室的设计和功能最佳化。最新的研究成果包括新开发的真空接触器和负荷开关灭弧室系列「２」以及自动制造触头的创新工艺方法。随着１９９９年新的生产设备的建成,除了确保高     

提高真空灭弧室额定电流下的开断次数

本文述叙真空灭弧室加强型纵向磁场的触头结构。纵向分量磁场的单位感应密度达到１０ＭｒЛ／ｋＡ。从而缩短了收缩型强电弧（１〉１０ｋＡ）变为准扩散型电弧的时间，在电弧由收缩型变为准扩散型之前，电弧在整个触头表面的运动是收缩在磁场横向分量上。控制这两种强电流电弧变态可以降低触头分断速度并且在保持短路电流分断能力的情况下能成倍地提高真空灭弧室的开断次数。     

真空电子技术

TB71 99060097真空灭弧室压力变化及真空寿命的判定/张玉洁(777厂)11真空电子技术.一1999,(3).一55一58真空灭弧室是以真空作为绝缘和灭弧介质的,内部气体压力对灭弧室的性能起着决定性的作用,文中分析引起内部气体压力上升的气体源,简述了真空寿命的计算判定方法.图1表3参4(许)介绍了场发射显示技术的发展过程、器件结构和工作原理,讨论了目前这项技术所面临的问题.着重介绍了近两年来在场发射显示技术研究领域的最新进展,包括发光材料的配左、器件寿命的提高、器件结构的改进以及样机的试制工作等.进而分析了场发射显示技术的发展前景.图…     

Cr含量对CuCr触头材料开断能力的影响

CuCr触头材料中的Cr含量的影响,特别是对大电流开断的影响的研究,迄今为止几乎全部是在试验用真空灭弧室内进行,而不是在实际的真空灭弧室中进行的。触头和它们周围的环境（机电的或气体的）之间可能的相互作用或许需要工业用的真空灭弧室,以便得到一个更切合实际的Cr含量对触头材料综合性能影响的试验判断方法。本文中触头内的Cr含量在5－75wt%的范围内变化,并使用38kV纵磁场真空来灭弧室进行试验。测量了作为Cr含量函数的触头材料的电导率、硬度特性和真空灭弧室的总电阻。在短路电流开断试验的前后,测试了触头材料的交流电压和脉冲电压的耐受能力。触头的电侵蚀性能在真空灭弧室经受仅半个周期的燃弧试验时确定。     

真空断路器一个电极中若干真空灭弧室的并联

在真空断路器的一个电极中将几个真空灭弧室并联，可以提高断路器的额定工作电流和短路开断电流。在这方面已经进行过一些试验。本文将给出这些试验的结果。我们将会看到，在断路器的整个使用寿命过程中，在触头闭合时，哪些因素能使几个灭弧室之间的分流值达到要求。而且，我们还对触头分离时几个灭弧室之间的分流情况进行了研究。研究结果表明：采用纵磁场（AMF）触头的真空灭弧室效果比较好，而触头分离过程中延迟时间很长时将会对几个灭弧室之间的电流分配产生影响。     

非持续击穿放电（NSDD）——深入理解这一现象的新的研究方法

NSDD是真空断路器的一个本质特征。其明显的特性是真空间隙开断高频电流的优异能力。由于其频率带超出了与标准的50Hz测试相关的频率带，因此，直到最近几年人们才在短路试验中检测到它。然而，一旦发现了它们的存在，人们将它解释为真空灭弧室的极为不利的因素。本文描述了为提高对这一现象的理解所开展的工作，以便对这一真实效应进行报告性评定。本文的第一部分介绍了一种简易的测试研究法，无需在大功率测试实验站进行昂贵地测试，就可以用这种方法对NSDD进行系统化研究。第二部分介绍并讨论了NSDD的电压和时间与各种断路器和灭弧室有关性能的关系。结论为：观察到的NSDD是由断路器分闸操作过程中机械振动所释放出的微粒引起的，其产生的几率随系统电压的上升而显著增加。然而，真空灭弧室的短路性能与NSDD之间没有直接的联系。NSDD的性能主要取决于个别灭弧室元件的材料、表面光洁度和洁净度状况以及真空灭弧室本身的制造方法。     

真空电子技术

0461,0441,1 2004010066感应揭合气体放电及其静电场/王超,熊熠明,李培芳(浙江大学)11真空电子技术.一2003、(l)一18一20提出了长圆柱形感应搁合气体放电的电动力学模型.放电为磁场激励型,稳定的等离子体由电磁场所维待,空间电荷产生的静电场引起荷电粒子的双极扩散.图3参3(刚)TNIO72()04010072真空灭弧室的一次封排工艺/魏铁印(北京真空电子所)11真空电子技术·2003、(1).一42一44以真空灭弧室的一次封排_卫艺的真空度质量为主,对真空灭弧室有关的设计、工艺流程等方面进行讨论;这会对真空灭弧室的生产开发和电真空五艺有所帮助.图1表1参…     

具有自诊断功能的真空断路器

本发明所提供的真空断路器每一相至少包括一只真空灭弧室，这些真空灭弧室装在一个密闭内，体和真空灭弧室外壳装有传感纤维，纤维连接到断路器外的光电器件上。     

中压真空开关领域的最新研究成果

本文从实际应用的角度出发，系统地论述了目前真空开关技术领域里的最新研究成果，包括对真空开关的两个主要部分的研究：1、操动机构部分（为开关操作提供动能的部分，称为操动机构，AM）。2、开断部分（真空灭弧室，VI）。对真空开关进行整体设计时，还必须考虑以上两个部分的相互依赖性。对于操动机构的研究，源于单稳态永磁操动机构（MMA）概念的应用。采用单稳态永磁操动机构的断路器，能将机构的零件数降至最少，从而最大限度地消除影响真空断路器可靠性的主要原因。对于真空灭弧室部分，主要研究集中在两个关键部位，一是触头系统，二是真空密封。触头系统中纵磁场的应用加上特殊触头材料的使用，显著地提高了灭弧室的开断性能使用寿命。但真空灭弧室的使用寿命还与它的波纹管性能密切相关，传统的密封波纹管采用锻压工艺制造，而采用特殊焊接工艺能改善波纹管的受力结构，焊接波纹管可实现非常可观的操作次数，显著延长灭弧室的使用寿命。操动机构和真空灭弧室这两个主要部件的研究成果，为研制新一代小型化、轻便型的真空断路器产品提供了必要的条件，进一步拓展了真空断路器的应用领域，成为中压开关技术领域发展方向的代表。     

四四○四厂10kV系列真空灭弧室通过鉴定

四四○四厂１０ｋＶ系列真空灭弧室通过鉴定受机械部和电力部委托，湖北省机械厅，湖北省电力工业局日前在孝感对四四０四厂试制生产的１０ｋＶ系列ＺＭＤ一１０／６３０—１２．５，ＺＭＤ—１０／１２５０—２０，ＺＭＤ—１０／１２５０—３１．５，ＺＭＤ—１０／２５...     

真空灭弧室的一次封排工艺

以真空灭弧室的一次封排工艺的真空度质量为主，对真空灭弧室有关的设计、工艺流程等方面进行讨论；这会对真空灭弧室的生产开发和电真空工艺有所帮助。     

铜钨触头材料真空灭弧室的容性开断能力

我们对铜钨触头材料和铜铬触头材料的２４ｋＶ真空灭弧室模型进行了并联电容器开断试验。铜钨触头材料的重击穿概率低于鲷铬触头材料的重击穿概率。除了大电流开断能力，铜钨触头材料在并联电容器开断上也是性能非常优良的首选材料。     

真空灭弧室的发展

真空灭弧室为真空断路器的心脏,真空灭弧室的不断进步,才促使了真空断路器的不断发展。在我国,真空灭弧室的发展综观起来已经历了五代。