MEMS兼容丝网印刷PZT压电厚膜研究

对丝网印刷PZT压电厚膜制备工艺浆料配置、印刷技术、退火条件、上下电极的选择及极化方法等进行了研究 ,并采用扫描电子显微镜 (SEM )及与之配套的能谱分析仪对制备的PZT样品的微观结构、成分进行了测试分析。结果表明 ,PZT压电厚膜的膜厚可达 10 0 μm ,印制图形分辨率在5 0 0 μm以上 ,在 80 0℃经 1h退火就可获得良好的微晶结构 ,且具有压电特性     

MEMS兼容丝网印刷PZT压电厚膜研究

对丝网印刷PZT压电厚膜制备工艺浆料配置、印刷技术、退火条件、上下电极的选择及极化方法等进行了研究，并采用扫描电子显微镜(SEM)及与之配套的能谱分析仪对制备的PZT样品的微观结构、成分进行了测试分析。结果表明，PZT压电厚膜的膜厚可达100μm，印制图形分辨率在500μm以上，在800℃经1h退火就可获得良好的微晶结构，且具有压电特性。     

丝网印刷制备大面积多孔PZT热释电厚膜与器件

采用丝网印刷法在氧化铝基片上制备了大面积多孔PbZr0.3Ti0.7O3热释电厚膜与单元红外探测器。通过掺入Li2CO3与Bi2O3作为助烧剂,实现了厚膜在850℃下的低温烧结。通过保持合适的孔隙率,将厚膜的相对介电常数降低至原值的1/5以提高材料优值与探测率。厚膜在1 kHz、25℃下的相对介电常数与损耗角正切分别为94与0.017。测试了厚膜相对介电常数与损耗随温度的变化规律,测得其居里温度为425℃。通过动态法测试得到厚膜的热释电系数为0.9×10-8 Ccm-2K-1。使用由斩波器调制的黑体辐射,测得单元器件在8.5~2 217 Hz的电压响应与噪声,计算出器件的探测率为3.4×107~1.7×108cmHz1/2W-1。     

丝网印刷与厚膜IC技术

丝网印刷与厚膜IC技术是微电子技术的核心技术之一,IC技术是指以半导体晶体材料为基础,采用专门工艺技术组成的微小型电路或系统,分别叙述了厚膜IC与网版和厚膜IC与印墨及厚膜IC等印刷技术,简单介绍了厚膜电阻的制作工艺。     

PZT厚膜UCPBG结构的射频天线研究

采用了丝网印刷工艺在硅片上制备了锆钛酸铅（PZT）薄膜,进行了相应的工艺分析。设计并仿真了平面光子带隙（UCPBG）结构,测试了结构的电磁参数,证实了结构的可行性,在此基础上提出了一种基于PZT厚膜工艺和平面光子带隙结构的微型射频（RF）天线结构与工艺设计。     

硅基PZT 热释电厚膜红外探测器的研制

在(100)单晶Si 衬底上,采用MEMS 工艺和丝网印刷方法制作了锆钛酸铅(PZT)厚膜热释电红外探测器,深入研究了PZT 厚膜材料的制备方法与器件加工工艺。采用四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液腐蚀Si 衬底制备硅杯结构。为防止Pb 和Si 相互扩散,在Pt 底电极与SiO2/ Si 衬底之间通过射频反应溅射制备了Al2O3 薄膜阻挡层。采用丝网印刷在硅杯中制备了30 m 厚的PZT 材料,并用冷等静压技术提高厚膜的致密度,实现了PZT 厚膜在850℃的低温烧结。PZT 厚膜在1 kHz、25℃下的相对介电常数与损耗角正切分别为210 和0.017,动态法测得热释电系数为1.510-8Ccm-2K-1。最后制备了敏感元为3 mm3 mm 的单元红外探测器,使用由斩波器调制的黑体辐射,在调制频率为112.9 Hz 时测得器件的探测率达到最大值7.4107 cmHz1/2W-1。     

高分辨率的厚膜丝网印刷技术

厚膜丝网印刷是浆料润湿陶瓷基板的过程。陶瓷基板的表面张力和厚膜浆料对基板的润湿度会影响印刷线条的分辨率。文章着重研究基板的表面张力可以有效地改进丝网印刷分辨率。     

PZT压电薄膜在MEMS中的应用

从MEMS应用的角度介绍了PZT压电薄膜的制备、集成工艺与压电系数的测量,并给出了压电薄膜在MEMS中的应用实例。     

厚膜集成电路丝网印刷工艺技术

重点介绍了厚膜集成电路的丝网印刷工艺技术和影响印刷质量的因素 ,并以厚膜电阻器为例 ,简述其制作工艺过程 ,以及丝网印刷缺陷对厚膜电路的影响     

浅谈厚膜集成电路基板印刷的质量控制

本文论述了厚膜基板生产过程中的常见问题，以及对电路的影响，分析了影响丝网印刷的因素，并简要介绍了丝网印刷的过程控制，以及常见问题的处理意见。     

钛酸铋钠钾无铅压电厚膜的制备及表征

采用传统固相法制备(Na0.82K0.18)0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷粉体,将质量分数5%的乙基纤维素溶入到质量分数为92%的松油醇中配制粘合剂溶液,加入质量分数2%的二乙二醇丁醚醋酸酯作分散剂,质量分数1%的邻苯二甲酸二丁酯作增塑剂,将陶瓷粉体与粘合剂溶液按3:1的质量比混合碾磨,用320目筛印刷至带有Pt电极的氧化铝衬底上,经放平、烘烤、预烧、加压及烧结后,制备出厚度约40 μm的BNKT厚膜,平均晶粒尺寸为1.1 μm,介电常数也达到最大为782,损耗最小为3.6%(10 kHz),剩余极化为24.8 μC/cm2矫顽场为71.6 kV/cm,纵向压电系数为79 pC/N.     

厚膜印刷滤波器

一、厚膜印刷滤波器性能简介LC滤波器是音、像及通信设备中必不可少的电子器件。目前市场上已出售的由分立元件组装的LC滤波器,电容和电感分别用电容器及空芯电感线圈装配在印刷板上,体积较大。在生产过程中,它的技术参数电感量一般通过调节来达到目的,因此,这样的滤波器一致性差,稳定性和可靠性不理想。随着电子设备的高度集成化、轻量化以及高密度组装技术的发展,人们对LC组合的滤波器同样提出了更高要求。厚膜平面印刷滤波器正是适应这一要求而产生的。它是采用云母作基片,并在该基片上设计电路所需的电容器和电感器,并能很方便地使用丝网印刷技术制作。这样的产品和分立元件组装的LC滤波器相比,具有体积小、一致性好、可靠性高等优点。平面印刷滤波器的外形尺寸见图1。日本双信公司和我国上海无线电六厂     

丝网印刷中影响质量的因素

随着厚膜微电子技术的快速发展,在其生产过程中,丝网印刷对于整个生产的影响和作用越来越受到生产设计师和工艺师的重视。掌握和运用好丝网印刷技术,分析其中产生问题的原因,并将改进措施应用在生产实践中,不断获得更好的丝网印刷质量,是大家所期望的,本文就丝网印刷中影响质量的因素做一些探讨。     

PZT厚膜的制备及电性能研究

用溶胶-凝胶法制备出锆钛酸铅(PZT)粉体,与流延胶以一定配比混合后流延成型,坯膜于1 100℃高温烧结2h得到PZT厚膜.利用XRD和SEM研究其组织结构,同时测试其相关电性能.结果表明,以10 mL流延胶中加入120 g PZT粉的配比进行流延较合适;得到厚度约为200 μm的钙钛矿结构压电厚膜无裂纹、晶粒尺寸小且分布均匀,其压电常数d33为109 pC/N.在1 kHz测试频率下,其介电常数为179,介电损耗为0.4.     

微桥结构PZT厚膜红外探测器研究

利用KOH溶液腐蚀结合SF6气体干法刻蚀工艺制备了锆钛酸铅(PbZr0.3Ti0.7O3,PZT)厚膜热释电红外探测器,得到了器件Si基背面完全悬空的微桥绝热结构.使用由斩波器调制的黑体辐射,测试了探测器在低频段的电压响应率、噪声等效功率和探测率等参数.结果表明,探测器在调制频率为5.3 Hz时的电压响应率约为4.5×...     

厚膜印刷模型

提出了厚膜印刷的物理模型,并用静态模型建立了丝网印刷参数和图形的压印形变量之间的关系,以解决实际印刷工艺中的图形匹配各精确套印问题。     

丝网印刷CdTe光敏膜的研究

本文研究了丝网印刷法制备CdTe光敏材料的工艺条件、影响因素及其机理,并对制备的CdTe光敏膜进行了特性测试分析。     

PZT厚膜拾振器微图形化工艺研究

采用sol-gel方法制备了PZT铁电厚膜，构成了SiO2／Si／SiO2／Ti／Pt／PZT／Ti／Pt形式的拾振器敏感元结构。基于半导体光刻技术，通过干法刻蚀电极和化学湿法刻蚀PZT厚膜等技术，成功地实现了敏感元的微图形化，解决了Pt／Ti下电极刻蚀难、制作的PZT膜形貌不好和上电极容易起壳等问题，为基于PZT厚膜的高性能拾振器的研制打下了良好的基础。     

硅基PZT压电驱动MEMS光开关的设计与优化

采用压电多层悬臂梁理论分析模型，研究了一种新型PZT压电复合多层膜悬臂梁驱动光开关的机械性能，探讨了结构参数与悬臂梁机械性能的关系及影响光开关机电性能的因素。提出了一种新的硅基PZT压电复合膜悬臂梁驱动光开关的制作方法。给出了25V工作电压下优化的器件结构，并对理论分析结果与压电复合多层膜悬臂梁的有限元耦合场分析结果进行了比较。