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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
本文设计了一种适用于PLL的新型电荷泵电路,将MOS开关置于源极,抑制电荷共享和电荷注入,并且采用可调节共源共栅结构增大输出阻抗,用于抑制电流失配。同时该电路具有结构简单、功耗低、充放电速度快等特点。采用Charter 0.35μm CMOS工艺模型,Mentor Graphics公司的Eldo进行仿真,在电荷泵输出电压范围为0.5~2.8V内,充放电电流匹配良好。  相似文献   

2.
设计了一种用于电荷泵锁相环的CMOS电荷泵电路。电路中采用三对自偏置高摆幅共源共栅电流镜进行泵电流镜像,增大了低电压下电荷泵的输出电阻,并实现了上下两个电荷泵的匹配。为了消除单端电荷泵存在的电荷共享问题,引入了带宽幅电压跟随的半差分电流开关结构,使电荷泵性能得以提高。设计采用0.18-μm标准CMOS工艺。电路仿真结果显示,在0.35V到1.3V范围内泵电流匹配精度达0.9%,电路工作频率达250MHz。  相似文献   

3.
用SMIC0.18μmCMOS工艺设计了一种改进型电荷泵电路。该电路基本思想是使用电流参考支路和运放来实现充放电电流的高度匹配,改进则基于重复利用运放的考虑。传统结构为了消除电荷共享效应需要一个单位增益运放,而这一设计省去这个运放,简化了设计,同时也能够达到充放电电流的良好匹配。芯片测试结果显示,输出电压在0.4~1.4V的范围内,电荷泵充放电电流约为1.1mA,失配小于2%。  相似文献   

4.
用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计了一种电荷泵电路。传统的电荷泵电路中充放电电流有较大的电流失配,文章采用与电源无关的基准电流源电路,运用运算放大器和自偏置高摆幅共源共栅电流镜电路实现了充放电电流的高度匹配。仿真结果表明:电源电压1.8V时,电荷泵电流为0.5mA;在0.3V~1.6V输出电压范围内电流失配小于1μA,功耗为6.8mW。  相似文献   

5.
采用0.18μm 1.8V CMOS工艺设计一种增益提高型电荷泵电路,利用增益提高技术和折叠式共源共栅电路实现充放电电流的匹配.该电荷泵结构可以很大程度地减小沟道长度调制效应的影响,使充放电电流在宽输出电压范围内实现精确匹配,同时具有结构简单的优点.仿真结果表明,电源电压1.8V时,电荷泵电流为600μA,在0.3~1.6V输出范围内电流失配为0.6μA,功耗为3mW.  相似文献   

6.
一种锁相环中高性能电荷泵电路   总被引:1,自引:1,他引:0  
设计了一种新型电荷泵电路.该电荷泵电路采用可调节共源共栅结构增大输出阻抗,具有结构简单、速度快、充放电电流匹配性好、抑制了电荷注入等特点.采用0.18μmCMOS工艺模型以及Hspice仿真工具的仿真结果显示,输出电压在0.4~1.3V之间变化时,电荷泵的充放电电流处处相等.  相似文献   

7.
薛红  李智群  王志功  李伟  章丽 《半导体学报》2007,28(12):1988-1992
用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种电荷泵电路,传统的电荷泵电路中充放电电流有较大的电流失配,电流失配导致相位偏差,从而引起杂散并降低了锁相环的锁定范围,文中采用与电源无关的基准电流源电路,运用运算放大器和自偏置高摆幅共源共栅电流镜电路实现了充放电电流的高度匹配,从而降低了杂散。测试结果表明:电源电压1.8V时,电荷泵电流为0.475mA,在0.3-1.6V输出电压范围内电流失配小于10mA,功耗为6.8mW。  相似文献   

8.
用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种电荷泵电路.传统的电荷泵电路中充放电电流有较大的电流失配,电流失配导致相位偏差,从而引起杂散并降低了锁相环的锁定范围.文中采用与电源无关的基准电流源电路,运用运算放大器和自偏置高摆幅共源共栅电流镜电路实现了充放电电流的高度匹配,从而降低了杂散.测试结果表明:电源电压1.8V时,电荷泵电流为0.475mA,在0.3~1.6V输出电压范围内电流失配小于10mA,功耗为6.8mW.  相似文献   

9.
针对传统电荷泵电荷共享引起的输出电压波动、充放电电流失配引起的电路杂波问题,设计了一种新型电荷泵。该电荷泵电路采用常数跨导轨到轨运算放大器,降低了电荷共享引起的输出电压波动;采用基于全差分放大器的负反馈结构,解决了充放电电流失配的问题。基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,利用Cadence软件完成了电路的设计与仿真。结果表明,在0.5~1.5 V输出电压范围内,该电荷泵充放电电流失配小于2%;与传统电荷泵相比,该电荷泵输出电压的波动减小了1.5 mV,并且采用该电荷泵的锁相环输出频谱噪声减小了10 dB。  相似文献   

10.
高性能电荷泵电路设计与HSPICE仿真   总被引:2,自引:1,他引:1  
电荷泵锁相环具有高速、低功耗、低抖动等特点.电荷泵是锁相环中的关键模块,它实质上是一个开关电流源,需具有精准稳定的恒流源和理想的开关.在模块运行中,一般会出现电荷共享及充放电电流不匹配等现象.通过自举的方法,可以较好地消除电荷共享现象;采用电流跟随电路,可以使充放电电流得到较好匹配.基于2.5 V 0.25 μm CMOS工艺,设计了一个高性能电荷泵.采用Synopsys公司的Hspice仿真软件,对设计的电路进行模拟仿真.结果显示,在1.45 V至2.0 V之间,充放电电流几乎相等.  相似文献   

11.
介绍了变容管反射式360°模拟移相器的设计,对相位与调制电压的线性关系作了分析。制成的模拟移相器采用计算机辅助设计,使用了超突变结变容管管芯和微波集成电路工艺。在9.3~9.7GHz范围内可获得360°连续可变相移,调相电压20V,线性偏离优于±5%,中心频率上的偏离优于±3%,插入损牦随相位的变化3dB。  相似文献   

12.
陆晾 《电子质量》2001,(1):10-12
本文介绍了一种新的相位检测方法。它能在1/4信号周期内检测出两个正弦信号之间的相差,其相差由流输出电压的幅度表示,并通过该电压的正负来判别相应相位是超前还是滞后。由于本方法无需使用低通滤波器,其检相时间小于1/4信号周期,因而在响应时间方面的性能大大优于传统的检相器。  相似文献   

13.
介绍一种新型的ωn和Q可编程MOSFET-C二阶滤波器的新技术。滤波器中的电阻全部用MOSFET代替,构成压控电阻,对滤波器的中心频率ωn可通过改变栅极直流控制电压来调节,并且在滤波器的反馈路径中引入非线性电路,使滤波器对Q和ωn在很宽范围内编程,而且没有相位误差。  相似文献   

14.
基于双谱的谐波信号相位重构   总被引:17,自引:0,他引:17  
本文提出了一种基于双谱分析的谐波信号相位精确重构方法.该方法通过在被测信号中加入一相位为零的半基频信号,并对该合成信号进行双谱分析,实现了被测信号的相位精确求解,解决了已有基于双谱的信号相位估计方法中所存在的相对相移问题.仿真结果验证了该方法的有效性.  相似文献   

15.
In phase unwrapping, how to control the residues and cut-lines is critical to unwrap ill-state wrapped phase map successfully. Some new concepts in phase unwrapping field are proposed. Firstly, the residues in three types, I.e., singular residues, normal residues and virtual residues, are classified, which leads to some rational unwrapping paths. Secondly, some differences between cut-line and curved-line are analyzed. And finally, experiment is carried out to compare our new enhanced Goldstein algorithm with the original Goldstein algorithm.  相似文献   

16.
ULSI相移光刻技术*   总被引:2,自引:0,他引:2  
相移掩模光刻技术,是近几年来为了开发超大规模集成电路(ULSI)而发展起来的一种新颖光刻技术。它应用了光学相移掩模方法,大大提高了现有光学光刻设备的分辨率水平。本文综述了相移光刻技术的发展及其在ULSI中的应用。  相似文献   

17.
位相恢复问题是物理学领域中一个非常重要的课题,本文在微波领域内研究了二端口网络反射系数的位相恢复方法,从已测得的输入反射系数振幅(或驻波比)出发,经过振幅重建,可以部分恢复和完全恢复振幅所对应的相位,最后,对模拟数据、实验数据进行了恢复,恢复值与精确值、实验值吻合得很好,  相似文献   

18.
错位相移技术研究   总被引:4,自引:1,他引:3  
本文在充分错位技术与相移技术的基础上,提出了一种基于偏振的错位技术和相移技术,并将二者结合起来,实现了错位与相移的结合,制作了出错位相移器,最后将错位相移器应用于集成电路硅片薄膜应力分布测试仪及错位电子散斑干涉仪之中。  相似文献   

19.
In this paper we discuss some major aspects on the physics of the phase transition from the amorphous to the face-centered-cubic (fcc) polycrystal in Ge2Sb2Te5 at low temperature. We follow the phase transformation by using structural techniques such as TEM, XRD, and electrical resistivity measurements by using the 4-point-probe technique. The results are interpreted in the framework of a quantitative model.  相似文献   

20.
李锐  李建新 《微波学报》2010,26(6):42-45
介绍了相位中心的定位方法--相位梯度法,分析了大型相控阵天线远场主瓣相位特性,明确指出大型相控阵天线相位中心位于天线的口径面上.在此基础上,结合相位梯度法与大型相控阵天线相位中心的特点,推导出了大型相控阵天线相位中心的定位方程组,该方程组可直接用于大型相控阵天线的相位中心定位,最后通过求解一个非对称加权的相控阵天线相位中心的实例验证了该大型相控阵天线相位中心定位技术的正确性.  相似文献   

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