21世纪微电子光刻技术

介绍了248nm,193nm,157nm准分子激光投影光刻的发展过程和下一代光刻技术（NGL）的实用化前景。     

浸没式光刻技术的研究进展

浸没式光刻技术是将某种液体充满投影物镜最后一个透镜的下表面与硅片之间来增加系统的数值孔径，可以将193nm光刻延伸到45nm节点以下。阐述了浸没式光刻技术的原理，讨论了液体浸没带来的问题，最后介绍了浸没式光刻机的研发进展。     

193nm光刻技术延伸方法

介绍了提高193nm光刻分辨力的方法,如浸入式光刻技术、相位移技术等。并介绍了193nm浸入式光刻机的优点和前景。     

浸没式光刻技术

所谓浸没式光刻技术,是在光刻机的投影镜头与硅片之间用一种液体充满,以获得更好的分辨率及增大镜头的数值孔径。今天,193nm光刻机的数值孔径为0.85左右,采用浸没式光刻技术后,可以将其提高到1郾0以上。2003年5月,Intel宣布放弃157nm光刻机的开发,并将193nm光刻机的功能扩展至4     

下代光刻设备的再次选择

１引言一年半以前,国际ＳＥＭＡＴＥＣＨ财团将光学光刻的接班技术选择缩小到４种：极紫外（ＥＵＶ）、离子投影光刻（ＩＰＬ）、限角散射投影电子束光刻（ＳＣＡＬＰＥＬ）和ｘ射线光刻技术。已证实,各种技术均具有７０ｎｍ以下特征尺寸的作图能力。然而,根据下代光刻...     

光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术

介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术，包括：(1）光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术；(2）投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术；(3）接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术；(4）大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术；(5）电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术. 该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作，实现了20nm线条曝光，研制成功了27nm CMOS器件；进行了50nm单电子器件的演试；并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.     

电光调制技术在光刻对准中的应用

介绍了投影光刻机离轴对准系统的结构和相位探测的原理，详细讨论了电光相位调制技术抑制杂散光的机理，并分析比较了有无杂散光对光刻对准精度的影响。结果表明，使用电光调制技术可有效提高投影光刻的对准精度。     

13nm投影光刻用激光等离子体软X射线源

软X射线投影光刻能够制作出特征线宽小于0．1μm的线条。激光等离子作源的研究是软X射线投影光刻中几项关键技术之一。本文报道了13nm投影光刻用激光等离子体软X射线源。对Sn（Z＝50）靶的激光打靶条件进行初步优化，测定了其在10～20nm波段范围内的辐射相对强度分布。     

光学光刻的现状及未来

简要概述了光学光刻的现状、目前典型光刻机的技术水平、以及即将推出的新一代光刻机，并总结光学光刻的发展趋势。     

超紫外线光刻技术发展缓慢Intel目光转向反向光刻技术

由于超紫外线光刻技术（extreme ultraviolet，EUV）的发展迟缓，Intel透露正在开发一种可能将光学扫描仪扩展到22nm制造节点的可制造性设计。 Intel正在开发的这种计算光刻（computational lithography）是一种反向光刻技术。反向光刻、EUV和二次图形曝光技术是Intel正在为22nm制造节点进行评估的光刻技术。     

KrF光刻工艺技术

比较了248nm KrF光刻工艺与i-Line工艺上的异同,利用工艺原理和光学原理分析了248nm KrF光刻工艺的特点.对一些光刻工艺中容易出现的问题进行了探讨,使248nm KrF光刻技术在实际工艺中可以得到灵活应用.     

浸没式光刻技术

综合叙述了浸没式光刻技术的基本工作原理和相对于157nm干式光刻技术的优势,简要介绍了当前的研发动态并对其具体实现的问题进行探讨。     

90nm工艺及其相关技术

ITRS2001规划2004年实现90nm工艺,英特尔、AMD等世界顶级半导体公司将于2003年采用90nm工艺量产微处理器和逻辑器件。这样使ITRS2001整整提前了一年。90nm工艺包括193nm光刻技术、高k绝缘材料、高速多层铜互连技术、低k绝缘材料、应变硅技术和电压隔离技术等新技术。193nm光刻技术是实现90nm工艺达量产的最关键技术,为此,必须采用193nmArFstepper(准分子激光扫描分步投影光刻机)。讨论了90nm工艺达量产的难点,如掩模版成本较高、成品率较低和应用面暂时不宽等。     

SoI基微环谐振可调谐滤波器

采用电子束光刻和ICP刻蚀等工艺制作出绝缘体上Si(SoI)基纳米线波导微环谐振(MRR)滤波器,波导截面尺寸为300 nm×320 nm,微环半径为5 μm.测试结果表明,器件的自由频谱宽度(FSR)为16.8nm,1.55μm波长附近的消光比(ER)为18.1 dB.通过对MRR滤波器进行热光调制,在21.4～60...     

三防设计技术

本文从三防设计的技术管理，设计准则，优先材料等方面的 电子设备结构设计中的三防要求。指出现代三防技术范畴，已不单是防护工艺的实施，而应涉及到电路，结构，工艺和综合性技术管理方方面面，其中结构是把“三防设计”贯彻到产品设计之中的关键。     

Plans for Next-Gen Chips Imperiled

In chip industry, a technique called extreme ultraviolet (EUV) photolithography would be ready to start churning out cutting-edge logic chips. Today's technology uses light with a wavelength of 193 nanometers to produce chips with key parts, or features, that measure just 65 nm.     

大面积非光刻纳米电极间隙的制备

A lithography-independent and wafer scale method to fabricate a metal nanogap structure is demonstrated. Polysilicon was first dry etched using photoresist （PR） as the etch mask patterned by photolithography. Then, by depositing conformal SiO2 on the polysilicon pattern, etching back SiO2 anisotropically in the perpendicular direction and removing the polysilicon with KOH, a sacrificial SiO2 spacer was obtained. Finally, after metal evaporation and lifting-off of the SiO2 spacer, an 82 nm metal-gap structure was achieved. The size of the nanogap is not determined by the photolithography, but by the thickness of the SiO2. The method reported in this paper is compatible with modern semiconductor technology and can be used in mass production.     

光刻技术及其新进展

介绍了用于制作半导体集成电路的光刻工艺的概念、分类及发展过程，阐述了当前光刻工艺的主流，并重点介绍了极紫外光刻、X射线光刻、电子束光刻、离子束光刻、纳米图形转印等下一代光刻技术的特点及其面临的挑战。     

Tunable filters based on an SOI nano-wire waveguide micro ring resonator

Micro ring resonator(MRR) filters based on a silicon on insulator(SOI) nanowire waveguide are fabricated by electron beam photolithography(EBL) and inductive coupled plasma(ICP) etching technology.The cross-section size of the strip waveguides is 450×220 nm2,and the bending radius of the micro ring is around 5μm.The test results from the tunable filter based on a single ring show that the free spectral range(FSR) is 16.8 nm and the extinction ratio(ER) around the wavelength 1550 nm is 18.1 dB.After thermal tuning,the filter’s tuning bandwidth reaches 4.8 nm with a tuning efficiency of 0.12 nm/℃Meanwhile,we fabricated and studied multi-channel filters based on a single ring and a double ring.After measurement,we drew the following conclusions: during the signal transmission of multi-channel filters,crosstalk exists mainly among different transmission channels and are fairly distinct when there are signals input to add ports.     

超分辨近场结构光刻技术

介绍了一种新的近场光刻技术的基本原理及其在光刻方面的应用研究的最新进展。新技术的基本原理是;光远场照射,通过超分辨掩模产生光刻所需的超过衍射极限的近场光,利用夹在掩模和光刻胶中闯的电介质保护层实现了近场光的最佳耦合,减小了线宽并大大提高了光刻速度。这种膜层结构叫超分辨近场结构(Super-RENS),是近年来发展起来的一种新的近场光学技术。