可缩放的开路通路地屏蔽电感在片测试结构去嵌入方法

建立了标准CMOS工艺电感在片测试寄生参量模型．实验验证了相同频率时,信号线寄生的串联电阻、串联电感、并联电容与信号线的长度成正比．进而针对不同外径电感到焊盘之间信号线长度不同,采用相同去嵌入结构引起测量误差,不同的测试去嵌入结构又大大增加芯片面积的问题,首次提出针对该信号线寄生参量的按比例缩放地屏蔽开路通路测试结构去嵌入解决方案．使用0.35μm两层多晶硅、四层互连线的CMOS工艺电感流片验证了该方法的有效性．     

用于测试CMOS输出驱动器电流变化率的新电路

提出了一种新的用于测试 CMOS输出驱动器电流变化率的电路结构 .它把片上电感引入到测试系统中作为对实际封装寄生电感的等效 ,从而排除了测试时复杂的芯片 -封装界面的影响 .这种电路结构不仅可以用于实际测算输出驱动器的性能指标 ,还可以用于研究 VL SI电路中的同步开关噪声问题 .该设计方法在新加坡特许半导体公司的 0 .6μm CMOS工艺线上进行了流片验证 .测试结果表明 ,这一测试结构能有效地表征 CMOS输出驱动器的电流变化率的性能指标和 VL SI电路中的同步开关噪声特性     

用于测试CMOS输出驱动器电流变化率的新电路

提出了一种新的用于测试CMOS输出驱动器电流变化率的电路结构．它把片上电感引入到测试系统中作为对实际封装寄生电感的等效,从而排除了测试时复杂的芯片-封装界面的影响．这种电路结构不仅可以用于实际测算输出驱动器的性能指标,还可以用于研究VLSI电路中的同步开关噪声问题．该设计方法在新加坡特许半导体公司的0.6μm CMOS工艺线上进行了流片验证．测试结果表明,这一测试结构能有效地表征CMOS输出驱动器的电流变化率的性能指标和VLSI电路中的同步开关噪声特性．     

电镀线对陶瓷外壳寄生参数的影响研究

以基于高温共烧陶瓷（HTCC）技术制作带电镀线的陶瓷外壳为研究对象，对电镀线对共寄生参数的影响进行了分析。首先通过仿真软件分析了电镀线长度、宽度和电镀线的位置对信号线电容、电感的影响情况，仿真结果表明信号线电容值随电镀线长度的增加而线性增加；电镀线宽度增加一倍，电容值增加0.84%，电镀线宽度对信号线电容几乎无影响；电镀线位置距地平面的距离增加一倍，电容值减小4.66%。信号线电感值随电镀线长度的增加而减小，随电镀线宽度的增加而减小，随电镀线位置距地平面的距离的增加而减小。然后，加工并制备试验样品进行电容、电感测试，测试结果与仿真结果具有很好的一致性。通过研究，掌握了电镀线对陶瓷外壳信号线寄生参数的影响程度，可较快设计同类陶瓷外壳，满足不同用户的需求。     

隔层不交叠多层电感分析与设计

提出了一种隔层不重叠的新型结构片上螺旋电感,其实现工艺与标准CMOS多层布线技术兼容.结合螺旋电感的集总模型,利用电磁场仿真软件HFSS进行了该器件的模拟仿真,与相同结构参数和工艺参数的传统不隔层交叠多层电感相比,提出的新型电感在品质因子、自谐振频率、3dB带宽等性能参数上明显改善,其中电感品质因子提高3.5％,带宽增...     

微电子学、集成电路

TN42008010839硅基完全集成DC/DC转换器中多层平面电感设计与建模/李清华,邵志标,耿莉(西安交通大学电子与信息工程学院)//西安交通大学学报.―2007,41(4).―463～466.为提高完全集成低压低功率DC/DC转换器转换效率与输出电流能力,提出了一种多层混联螺旋电感结构。该结构基于标准0.5μm2P3M CMOS工艺,将下面较薄的两层金属线圈多点并联,再与最上层金属线圈串联。多点并联结构有效地增加了等效金属层的厚度,串联结构增加了线圈之间的互感值,从而可以在不增加额外工艺成本的条件下显著提高平面电感的品质因数、单位面积电感值和电感线…     

CMOS差分电感和串联电感对的建模与分析

该文分析了基于中芯国际0.18m CMOS工艺的差分电感和串联电感对,提出了电感在射频CMOS差分电路中的应用原则。研究了串联电感对之间的串扰效应,并提出了能准确反映互感效应、衬底容性损耗效应以及线圈间容性耦合的完整串扰模型。最后,通过对一组变间距的电感对进行测量分析,验证了该模型的准确性和适用性。     

硅衬底片上螺旋电感宽带2π等效电路模型

针对高损耗硅衬底,基于部分元等效电路方法和全耦合变压器模型,建立了一种新的片上螺旋电感物理模型.该模型考虑了趋肤效应、邻近效应和衬底涡流损耗对螺旋电感中串联电感和串联电阻频率特性的制约,并通过2π等效电路结构计入了电感中寄生电容的分布特性.通过与全波分析方法对比,验证了在15GHz范围内由该模型导出的等效电感、等效电阻和Q值误差均在8%以内.该模型可望用于硅基射频集成电路中电感的优化设计和进一步的理论探讨.     

硅衬底片上螺旋电感宽带2π等效电路模型

针对高损耗硅衬底,基于部分元等效电路方法和全耦合变压器模型,建立了一种新的片上螺旋电感物理模型.该模型考虑了趋肤效应、邻近效应和衬底涡流损耗对螺旋电感中串联电感和串联电阻频率特性的制约,并通过2π等效电路结构计入了电感中寄生电容的分布特性.通过与全波分析方法对比,验证了在15GHz范围内由该模型导出的等效电感、等效电阻和Q值误差均在8%以内.该模型可望用于硅基射频集成电路中电感的优化设计和进一步的理论探讨.     

单片集成CMOS电阻真空传感器

设计了一种工作在恒电压模式的、微热板结构的单片集成电阻真空传感器芯片.提出了一种以CMOS集成电路中的介质层与钝化层为结构层、栅多晶硅为牺牲层、第二层多晶硅为加热电阻的微传感器单芯片集成工艺模式,制定了相应的工艺流程.采用0.6μm CMOS数模混合集成电路工艺,结合牺牲层腐蚀技术实现了单片集成真空传感器的加工,测试结果显示该芯片能够测量2～105Pa范围内的气压大小,且输出电压范围可调,验证了单片集成工艺的可行性.