无掩膜光刻图形的数据提取技术

由于掩膜的成本在整个光刻成本中所占的份额不断攀升,所以降低掩膜的成本,甚至发展到不需要昂贵的掩膜的无掩膜光刻技术已经成为了关键。掩膜的图形格式如DXF和GDSII无法直接用于无掩膜光刻机,需要对掩膜图形数据进行提取。了解DXF格式的掩膜图形特点,编写算法对掩膜图形信息进行提取和解析,并通过MATLAB仿真验证读入图形的正确性。     

新世纪光刻技术及光刻设备的发展趋势

本文主要阐述了光刻技术的发展极限及193nm,157nm光学光刻技术和电子束投影光刻（SCALPEL）、X－射线光刻（XRL）离子投影光刻（IPL）等技术的发展趋势。并详细介绍了国际著名品牌的光刻机以及即将推出的新一代光刻机。对国内光刻设备的发展现状作了简要概述。     

21世纪微电子光刻技术

介绍了248nm,193nm,157nm准分子激光投影光刻的发展过程和下一代光刻技术（NGL）的实用化前景。     

从特征尺寸的缩小看光刻技术的发展

从特征尺寸不断缩小变化的角度阐述了近代光刻技术发展的历程。指出90nm节点的主流光刻技术是193nmArF光刻;193nm浸入式光刻技术作为65nm和45nm节点的首选光刻技术,如果配合二次曝光技术,还可以扩展到32nm节点的应用,但成本会增加;如果特征尺寸缩小到22nm和16nm节点,EUV光刻、无掩模光刻以及纳米压印光刻等将成为未来发展的重要研究方向。在对各种光刻技术的原理、特点以及优缺点等分析对比的基础上,对未来主流光刻技术的发展做了一定的展望。     

无掩模激光干涉光刻技术研究

介绍了一种不用掩模的光刻技术———激光干涉光刻技术的基本原理,给出了干涉光刻技术的主要特点及一些可能的应用,并对实验系统和初步实验结果进行了分析。研究表明,激光干涉光刻具有大视场和分辨率高和视场宽等优点。     

数字灰度投影光刻技术

随着MEMS和MOEMS技术的发展和器件制作对低成本、灵活、高效的需求,数字灰度无掩模光刻技术已成为人们研究的热点。介绍了一种基于数字微镜器件(DMD)的无掩模数字灰度投影光刻技术,结合电寻址数字微镜阵列的工作方式,分析了DMD的灰度调制机理和投影成像特性;阐述了DMD微镜结构与投影系统的倍数、数值孔径的关系;设计了投影光刻系统,并进行了分辨力和三维面形的曝光实验。实验结果表明,数字灰度投影光刻技术灵活、方便,尤其在三维浮雕微结构的制作方面,可实现光刻灰度的数字化调制,表面粗糙度可达0.1μm。     

下一代光刻技术

介绍了下一代光刻技术的演变,重点描述了浸没式光刻技术、极端远紫外光刻技术、纳米压印光刻技术和无掩模光刻技术的基本原理、技术优势、技术难点以及研发,并展望了这几种光刻技术的前景。     

21世纪的光刻技术

当前世界半导体工业按照摩尔定律,以快速发展的势头向21世纪,光刻特征线宽越来越小,硅片直径越来越大,制造成本越来越高。到2000年0.18μm工艺、300mm硅片的技术将完全进入规模化大生产阶段。在不远的将来,微电子设备的发展将达到传统光学方法的分辨率极限,光学光刻曝光波长将由i线向深紫q外迈进。现在在0.25μm—0.35μm生产阶段,当IC器件     

投影光刻技术在大生产中的应用

一、引言1992年为了建立一条3μmr技术的试验线，双极事业部引进了两台PE－340HT投影光刻机，于1993年4月安装调试完毕，投入使用。由于3Pm试验线为正胶工艺，品种少，也不能形成大生产。为提高设备的利用率，同期着手将PE－340HT投影光刻机应用于负胶SPin工艺的大生产中，以克服接触式光刻图形尺寸均匀性差、缺陷多的缺点，从而提高采用负胶工艺的产品、尤其是象二片机之类的高要求产品的工艺一致性。二、设备简介PE－340HT是美国Perkin－Elm。r公司80年代初的产品，处理圆片最大尺寸为4英寸，当时广泛用于64K存贮器的生产，为标准…     

近期光刻用ArF准分子激光技术发展

193 nm ArF准分子激光光刻技术已广泛应用于90 nm以下节点半导体量产。ArF浸没式也已进入45 nm节点量产阶段。双图形光刻（DPL）技术被业界认为是下一代光刻32 nm节点最具竞争力的技术。利用双图形技术达到32 nm及以下节点已经被诸多设备制造商写入自己的技术发展线路。Cymer公司和Gigaphoton公司为双图形光刻开发了高输出功率、高能量稳定性和具有稳定的窄谱线宽度ArF准分子光源。分析了近期发展用于改进准分子激光性能的关键技术：主振-功率再生放大(MOPRA)结构、主振-功率振荡(MOPO)结构,主动光谱带宽稳定技术,先进的气体管理技术。对光刻用准分子激光光源技术发展趋势进行了简要的讨论。     

准分子激光光刻的发展状况

本文综述了准分子激光光刻的发展,着重讨论准分子激光光刻的优点及其在提高分辨率方面的进展,并讨论了今后的动向。     

光刻技术的现状和发展

着重从涂胶、曝光(包括光源和曝光方式等)、光刻胶和深度光刻等方面介绍了光刻技术的现状和未来的发展趋势.     

Seamless-merging-oriented parallel inverse lithography technology

Inverse lithography technology (ILT), a promising resolution enhancement technology (RET) used in next generations of IC manufacture, has the capability to push lithography to its limit. However, the existing meth-ods of ILT are either time-consuming due to the large layout in a single process, or not accurate enough due to simply block merging in the parallel process. The seamless-merging-oriented parallel ILT method proposed in this paper is fast because of the parallel process; and most importantly, convergence enhancement penalty terms (CEPT) introduced in the parallel ILT optimization process take the environment into consideration as well as environmental change through target updating. This method increases the similarity of the overlapped area between guard-bands and work units, makes the merging process approach seamless and hence reduces hot-spots. The experimental results show that seamless-merging-oriented parallel ILT not only accelerates the optimization process, but also significantly improves the quality of ILT.     

面向无缝拼接的并行反向光刻技术

Inverse lithography technology （ILT）, a promising resolution enhancement technology （RET） used in next generations of IC manufacture, has the capability to push lithography to its limit. However, the existing methods of ILT are either time-consuming due to the large layout in a single process, or not accurate enough due to simply block merging in the parallel process. The seamless-merging-oriented parallel ILT method proposed in this paper is fast because of the parallel process; and most importantly, convergence enhancement penalty terms （CEPT） introduced in the parallel ILT optimization process take the environment into consideration as well as environmental change through target updating. This method increases the similarity of the overlapped area between guard-bands and work units, makes the merging process approach seamless and hence reduces hot-spots. The experimental results show that seamless-merging-oriented parallel ILT not only accelerates the optimization process, but also significantly improves the quality of ILT.     

Double-dipole mask-synthesis using inverse lithography technology

Double-dipole lithography (DDL) uses two orthogonal dipole illuminations and one or two masks to print the desired wafer pattern. The main challenge of using such IC-manufacturing technique remains how to properly synthesize the proper mask patterns for the arbitrarily given target pattern. This paper presents a gradient-based inverse lithography technology (ILT) addressing the problem above. This approach properly models the partially coherent imaging system by employing the double-dipole lithography, and then uses the steepest descent method to automatically synthesize the masks required to print the desired wafer pattern. We also present results for various kinds of masks for printing 45-nm critical dimension (CD) features. The results show that our algorithm automatically generates the synthesized masks and that the synthesized masks reduce the pattern distortion error (PDE) by 85-90%. The comparison with a single-exposure case indicates a superior improvement.     

应用于PHEMT器件的深亚微米T形栅光刻技术

PHEMT器件和基于它的高频单片集成电路广泛应用于现代微波/毫米波系统。当PHEMT器件的栅长缩短到足够短的时候,沿着栅宽方向的寄生电阻会影响PHEMT器件的性能。为了解决这个问题,一种具有大截面面积而底部长度却很小的T形栅结构通常被用于制作PHEMT器件,因为这种结构可以有效地减少由于栅寄生电阻而引起的晶体管噪声。对几种常用的制作深亚微米T形栅的三种光刻技术即光学光刻、电子束光刻、X射线光刻技术进行了比较分析。对于光学光刻技术,通常需要采用移相和光学邻近效应校正技术,它的制作成本低,但是很难用于制作深亚微米T形栅;对于电子束光刻技术,通常需要采用高灵敏度和低灵敏度的多层胶技术,虽然它的栅长可以制作到非常小,但是它的生产成本非常高,而且它的生产效率非常低;对于X射线光刻技术,它不仅可以用于制作深亚微米T形栅,而且它的生产效率非常高,T形栅的形状可以非常容易控制。     

纳米印刷光刻技术

介绍了纳米结构制作的一种新方法———纳米印刷光刻的基本原理、总体方案。该技术与其它微刻印技术相比,具有成本低、生产效率高、可批量生产、工艺过程简单等优点。介绍了SiC模板的制作方法、用纳米印刷光刻技术制作纳米结构的加工步骤及刻印结果。结果表明该技术可制作特征尺寸小于100nm的图形。本文还展望了其应用于微电子学等领域的前景。     

激光熔覆研究现状与发展趋势

通过对国内外对激光熔覆技术研究现状,概括了国内外激光熔覆在熔覆特性、不同材料与基体组合的激光熔覆工艺及参数、激光熔覆层的微观组织结构和金相分析、熔覆层缺陷以及激光熔覆基础理论,激光熔覆专用材料研制、激光熔覆过程裂纹形成与消除机制、激光熔覆过程关键因素的检测与控制、激光熔覆送粉器和喷嘴、激光熔覆制备新材料、激光熔覆快速成形与制造技术等领域的研究现状.分析指出激光熔覆过程是一个多源耦合复杂信息作用下的加工过程,激光熔覆加工过程稳定性、多源耦合复杂信息的作用规律及决策机制、多源耦合复杂信息的获取处理、融合能力及小确定信息处理和激光熔覆多源耦合复杂信息优化控制以及激光熔覆加工质量的定量控制是今后的主要发展方向.