飞思卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器的未来

经常有人将MRAM（磁阻RAM，magnetoresistive randoma ccess memory）称作是非易失性存储器（nvRAM，Non—Volatile RAM）在未来的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术，MRAM可以在掉电时保留数据，并且不需要定期刷新，它利用磁性材料和传统硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性，几乎没有寿命限制。MRAM器件可以用于高速缓冲器、配置内存和其它要求高速、耐用和非易失性的商业应用。[第一段]     

飞思卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器的未来

经常有人将磁阻RAM(MRAM,magnetoresistive random access memory)称作是非易失性存储器(nvRAM,Non-Volatile RAM)在未来的关键性技术.作为一项非易失性存储器技术,MRAM是可以在掉电时保留数据,并且不需要定期刷新.MRAM利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性.它的寿命几乎是没有限制的.MRAM器件可以用于高速缓冲器、配置内存和其它要求高速、耐用和非易失性的商业应用.     

飞思卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器的未来

经常有人将磁阻RAM(MRAM,magneto-resistive random access memory)称作是非易失性存储器nvRAM(non-volatile RAM)在未来的关键性技术.作为一项非易失性存储器技术,MRAM是可以在掉电时保留数据,并且不需要定期刷新.     

飞恩卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器未来

经常有人将磁阻RAM(MRAM,magnetoresistive random access memory)称作是非易失性存储器(nvRAM,Non-Volatile RAM)在未来的关键性技术.作为一项非易失性存储器技术,MRAM是可以在掉电时保留数据,并且不需要定期刷新.     

非易失性RMA将取代SRAM和NOR闪存

FRAM（铁电存储器）、MRAM（磁阻存储器）和PRAM（相变存储器）等非易失性RAM相继上市，它们兼具DRAM和SRAM的高速性以及闪存和EEPROM的非易失性（见图1）。这类存储器产品的写入时间很短，     

Ramtron推出低功耗256千位串口F—RAM存储器

FM24L256是低功耗、高速串口F—RAM器件,采用小型8脚封装世界顶尖的非易失性铁电存储器（F—RAM）。集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出256Kb,2．7～3．6V工作电压、具高速串口I2C内存接口的非易失性F—RAM器件,型号为FM24L256。     

新型NVRAM将成为下一代的主流内存

本文介绍了铁电RAM(FRAM)、磁阻RAM(MRAM）和相变RAM(PRAM)等三种新型非易失性随机存取存储器(NVRAM)的当前发展动态和未来发展方向。     

非易失性RAM将取代SRAM和NOR闪存

FRAM(铁电存储器)、MRAM(磁阻存储器)和PRAM(相变存储器)等非易失性RAM相继上市,它们兼具DRAM和SRAM的高速性以及闪存和EEPROM的非     

DRAM芯片的最新研制进展与发展趋势

介绍了动态随机存取存储器(DRAM)的最新制造技术、0.1 μ m特征尺寸理论极限的突破和相关新技术的进展,并展望了3种非易失性随机存取存储器(NVRAM),如FRAM、相变RAM、MRAM和BiCMOS技术的开发前景与发展趋势.     

动态随机存储器IC芯片制造技术的进展与展望

介绍了DRAM 0.1μm特征尺寸理论极限的突破及相关技术进展,以及各种非易失性随机存储器(NVRAM)如FeRAM,相变RAM,MRAM.现今PC中的RAM很快将被NVRAM所取代,从而可缩短PC的启动时间.     

新型NVRAM将统吃未来的内存市场

笔者曾在本刊（2003，NO．12）上发表《新型NVRAM将成为下一代的主流内存》一文，介绍了FRAM（铁电RAM）、MRAM（磁阻RAM）和PRAM（相变RAM）等三种新型非易失性随机存取存储器（NVRAM）的发展动态。近两年来新型NVRAM发展迅速，如FRAM开始量产。2005年8月世界著名IC调研公司iSuppli认为，2004年全球内存市场为468亿美元，预计2019年达954亿美元，     

MRAM的发展目标是终极高速存储器

2005年底索尼发布了一款高速存储器,它具备SRAM的运行速率、闪存的非易失性以及无限制的写入次数等特性。该存储器采用了非易失性的8Kbit存储单元阵列,写入时间为2ns。如果再进一步提高集成度,可替代45nm以下工艺的SRAM、DRAM等非易失性存储器。索尼的这款存储器属于MRAM的一种。几年前,当MRAM刚上市时,业内就对它充满期待。但是随着研究的深入,很多难题不断出现。MRAM渐渐被视为特定市场的特定部件。索尼发布的这款存储器使MRAM回归到主流存储器的轨道上,甚至很可能发展成为终极存储器。除索尼外,美国Grandis、瑞萨科技、日本…     

谈谈闪速存储器

<正> 我们熟悉的存储器器件有随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)两种。随机存取存储器是易失性存储器,即在存储器断电后,其所存的数据会全部丢失。但是,RAM的读写速度快,通常为ns(10~(-9)秒)级,因此它常用作计算机的内存。 只读存储器是一种非易失性存储器,也就是说,无论ROM通电与否,存入其内部的数据都可以长期保留。常用的非易失性存储器有EPROM和E~2PROM两种。将数据存入EPROM内     

业界首款16Mb MRAM问世

磁性随机存储器（MRAM）和集成磁产品的领导厂商Everspin科技公司日前推出16MbMRAM。现在,所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非易失性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术。     

使用新IBM生产线制造的F-RAM样片

FM24C04C和FM24C16C是位密度分别为4Kb和16Kb的串行5VFRAM产品,是首批在新IBM公司生产线上制造的预验证铁电存储器（FRAM）样片。FRAM产品具有非易失性RAM存储性能、无延迟（NoDelay）写入、高读／写耐用性及低功耗特性。这些器件可为电子系统提供高性能非易失性数据采集和存储解决方案。     

英飞凌和IBM展示16 Mb MRAM

6月22日,英飞凌(Infineon)科技和IBM展示全球第一款16Mbit磁阻式随机访问存储器(MRAM)。新展示的非易失性存储器芯片是目前为止密度最高的MRAM器件。这表明MRAM具有成为适用于高性能计算和移动应用的通用存储器的潜力。向MRAM写入第一位信息所需要的时间比闪存约快100万倍。从MRAM中读出第一位信息所要的时间比NOR闪存快3倍,比NAND闪存快约1000倍。此外,MRAM的功耗比DRAM技术小得多。此次展示的16MbMRAM产品样品采用0.18mm工艺制造。器件采用单晶体管单磁隧道结(1T1MTJ)单元,并采用类似SRAM的接口。这一接口在移动和…     

MRAM即将步入实用阶段

在最近美国夏威夷举行的本年度VLSI电路学术研讨会上，Infineon公司(位于德国慕尼黑)推出了世界上首个16Mb磁阻RAM(MRAM)样品。这项由该公司与IBM公司(位于美国加利福尼亚州圣何塞)历经数年共同开发而成并于最近转让给上述两家公司的合资企业Aldis(位于法国Essonnes)的MRAM技术突破了非易失性存储器在速度、     

单芯片FRAM存储解决方案成为嵌入式设计的理想选择

选用存储器时主要考虑的指标包括安全性、使用寿命、读写速度、产品功耗和存储容量等。FRAM（铁电存储器）由于具有ROM的非易失性和RAM的随机存取特性，以及高速读写／高读写耐久性（高达1014次）和抗辐射特性，非常适合许多工业类和医疗类应用。     

Ramtron推出32Kb器件扩展 F-RAM串口存储器产品线

Ramtron宣布推出FM24CL32,提供具高速读／写性能．低电压运行．以及出色的数据保持能力的串口非易失性RAM器件。FM24CL32是32Kb非易失性存储器．工作电压为2．7V～3．6V．采用8脚SOIC封装,使用二线制（I2C）协议;     

Ramtron推出16kb串口F—RAM存储器以满足AEC—Q100汽车标准要求

世界顶尖的非易失性铁电存储器（F—RAM）和集成半导体产品开发供应商Ramtron International Corporation宣布推出串口F—RAM存储器FM25L16-GA,进一步扩大其符合AEC—Q100汽车标准要求的F—RAM存储器系列阵容。