TS-01C中波发射机MOSFET器件防击穿方法探讨

MOSFET作为一个时代的产物,随着技术领域的发展与进步,特别是针对大电流、小封装以及低功耗的MODFET器件的出现,已经得以广泛的运用。在中波发射机的脉宽调制以及功放电路当中被大量使用。但由于MOSFET器件自身特性的影响,在防雷防静电的操作当中存在一定困难。此次研究的根本目的,在于对TS-01C中波发射机MOSFET器件防击穿的方法进行探究,旨在探索解决方法。     

甚低频固态发射机功率器件分析

甚低频发射机用来给潜艇发信,功率达数百千瓦至数千千瓦,如今可以采用MOSFET和IGBT等固态器件作为大功率开关放大器,但选择MOSFET还是IGBT,设计人员需要做出选择。分析了这两类器件的开关特性及导通特性,比较了它们的工作特点,介绍了一种典型的大功率开关放大器应用电路,讨论了甚低频发射机在选择大功率放大器器件时应考虑的一些条件,如频率、电压、开关时间等。     

D类MOSFET在发射机射频功放中的应用

分析了MOSFET的开关特性，阐述了D类MOSFET在数字化调幅发射机射频功放电路中的应用方法，并对MOSFET的维护和测试进行了说明。     

高频大功率场效应管的原理及在全固态发射机中的应用

本文介绍了应用于全固态电视发射机的高频大功率场效应管的结构、原理及类型。举例说明了用于VHF和UHF频段的MOSFET管的实际应用电路,分析了MOSFET管的损坏原因以及更换时应注意的事项。为维护全固态发射机的功放板(PA板)提供了一些理论依据和实践经验。     

内部电压箝位与智能自保护功率MOSFET及其应用

MOSFET器件是功能电路中的常用器件，同时也是在过流或过压情况下最易损坏的器件。文中介绍了多种电压箝位式功率MOSFET器件和智能型自保护功率MOSFET的特性参数和内部结构，给出了它们的电路连接方法。     

改善功率MOSFET器件UIS测试能力的方法

介绍了功率MOSFET器件的UIS（非钳位感应开关）测试原理及重要性,通过实际案例,解释UIS与产品质量之间相互关系,分析影响UIS能力的因素,提出改善功率MOSFET器件的3种方法,即改善contact工艺、减小RR,改变设计。实际案例中的两种MOSFET器件A和B应用了这3种方法的组合,使功率MOSFET器件的UIS能力和测试合格率有了很大的提升。     

MOSFET和IGBT器件在开关电源中的一种应用方法及其仿真

为了降低开关电源中开关器件的开关损耗，介绍一种带辅助管的软开关实现方法，将IGBT和MOSFET这两种器件组合起来，以IGBT器件为主开关管，MOSFET器件为辅助开关管，实现零电流（ZCS）软开关模式。先从理论分析入手，提出电路形式以及开关方法，然后针对这种开关方法的不足之处，提出改进后的开关方法。交替开关方法。并在PSpice中对所有结论通过了仿真验证。     

10kW全固态中波发射机天调网络原理浅析及维护

<正>自全固态中波发射机的应用越发广泛后，相关领域十分注重发射机的传输效果，在发射机之中天调网络能够决定全固态中波发射机的传输质量，若无法对其进行合理维护，发射机应用效果便会大幅下降。基于此，本文以天调网络为核心，表明其基本结构与核心原理，继而剖析其在实际应用中的影响因素以及维护措施，以供参考。随着经济的发展和现代先进技术的融合，全固态中波发射机正逐步取代传统的管式中波发射机，其效率高、维护方便。然而，所有固态中波发射机都有一定的不足之处，通过在所有固态调幅发射机中使用MOSFET，这对加热系统和防雷有一定的影响，这主要是由于MOSFET     

FDMS36xxS系列：功率MOSFET

飞兆半导体公司FDMS36xxS系列器件在PQFN封装中结合了控制和同步MOSFET,以及一个肖特基体二极管。这些器件的开关节点已获内部连接,能够进行同步降压转换器的布局和走线。控制MOSFET（Q1）和同步MOSFET（SyncFET）（Q2）经专门设计,     

高温微电子学—Ⅰ：硅器件的高温特性研究

本文详细介绍了硅器件的高温理论以及制作的进展,分析了MOSFET的高温特性和失效模式,指出了改善MOSFET高温性能和提高上限温度的方法。     

新型脉冲调制器的设计

垂直导电型MOSFET（VMOSFET）的出现是半导体功率器件领域的一项重大突破。本文介绍一种以VMOSFET为高压开关的新型脉冲调制器，叙述其特点，工作原理及电路设计，该脉冲调制器可用于W波段中功率磁控管发射机。     

MOSFET器件回顾与展望(上)

简述了MOSFET器件工作原理,回顾了器件发展历程,列出亟待解决的器件工艺问题以及面临的挑战.     

新型纳米尺寸MOSFET器件的模拟和设计

在半导体器件的研制过程中,用计算机数值模拟取代测量方法来优化设计器件的性能参数,则器件的调试周期将显著缩短,费用将大幅度降低。本文简述了新型纳米尺寸MOSFET器件模拟的主要物理模型和数值方法,阐述MOSFET相关器件模拟的国内外研究动态,判断其发展趋势和研究方向。     

双栅MOSFET沟道侧壁绝缘柱(DP)表面势解析模型

采用抛物线近似方法求解二维泊松方程,建立了漏端沟道侧壁绝缘柱表面电势解析模型。在该解析模型下,求解了不同漏压下的表面势,并与Atlas仿真结果做对比。比较了在相同条件下,DPDG MOSFET与DG MOSFET的沟道侧壁电势与电场分布。在不同沟道长度下,分析了DPDG MOSFET器件的阈值电压(Vth),亚阈值斜率(SS)以及漏感应势垒降低效应(DIBL),并与DG MOSFET作对比。结果表明,添加绝缘柱DP后,不仅减小了源漏端电荷分享,而且增强了栅对电荷控制,从而改善了器件的DIBL效应,并有效提高了器件的可靠性。     

选择高压场效应管实现节能

高压金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术在过去几年中经历了很大的变化,这为电源工程师提供了许多选择。了解不同MOSFET器件的细微差别及不同切换电路的应力,能够帮助工程师避免许多问题,并实现效率最大化。经验证明,采用新型的MOSFET器件取代旧式MOSFET,除简单地导通电阻上的差异之外,更重要的是,还能实现更高的电流强度与更快的切换速度以及其他优越性能。     

SiC MOSFET单粒子漏电退化的影响因素

高压功率器件是未来航天器进一步发展的关键,对SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)等高压大功率器件的抗辐射研究亟待突破。在不同偏置条件下对器件的单粒子效应(SEE)进行实验,结果表明,SiC MOSFET单粒子漏电退化效应与漏源电压、离子注量以及反向栅源电压呈正相关。为进一步研究SiC MOSFET单粒子效应机理,结合实验数据进行TCAD仿真,发现器件发生单粒子效应时存在两种失效模式,第一种失效模式与Si基MOSFET类似,而第二种失效模式与SiC器件的特有结构密切相关,容易形成更高的分布电压,导致栅氧化层烧毁失效。该结果为抗辐照加固器件的研究提供了理论支撑。     

基于0.13μm工艺的1.5V低功耗MOSFET器件设计

针对0.13μm工艺常规MOSFET器件的制备流程进行了分析,提出了低功耗工艺改善方法,并针对优化工艺条件下的器件进行TCAD仿真,设计并进行了完整的DOE实验及样品性能测试。测试结果表明,通过调整轻掺杂漏区(LDD)的离子注入条件,冠状离子注入区的角度、浓度以及沟道阀值电压离子注入区浓度等一系列方法,实现了0.13μm工艺1.5 V MOSFET器件关断条件下漏电流低于1 pA/μm。     

功率MOSFET器件稳态热阻测试原理及影响因素

热阻值是评判功率MOSFET器件热性能优劣的重要参数,因此热阻测试至关重要。通过对红外线扫描、液晶示温法、标准电学法3种热阻测试方法比较其优缺点,总结出标准电学法测试比较适合MOSFET热阻测试。在此基础上依据热阻测试系统Phase11,阐述功率MOSFET热阻测试原理,并着重通过实例对标准电学法测试热阻的影响因素测试电流Im、校准系数K、参考结温Tj以及测试夹具进行了具体分析,总结出减少热阻测试误差的方法,为热阻的精确测试以及器件测试标准的制定提供依据。     

SiC和GaN电力电子器件的研究进展

与传统的Si基器件相比,SiC和GaN器件具有工作温度高、击穿电压高、开关速度快等优势,因此SiC和GaN材料是制备电力电子器件的理想材料。总结了近年来SiC和GaN电力电子器件的研究进展,包括二极管,MOSFET,JFET和BJT结构的SiC器件,以及SBD,PN结二极管,HEMT和MOSFET结构的GaN器件。     

固态发射机固态功放管特点及更换浅析

固态发射机因工作带宽较宽,无散弹效应,信噪比高等优点,占据了90％以上的份额。为了更好地使用和维修发射机,笔者就大功率MOSFET场效应晶体管的特点及其更换方法做了相关技术探讨。