X射线数字照相技术

发现X射线具有透射物体的能力已经超过一百周年,发现X射线的德国科学家伦琴教授成为诺贝尔物理奖的第一位获奖者,由于伦琴放弃申请专利,是X射线应用得以迅速发展和普及.X射线照相用于医学诊断已为人类健康造福不浅,后来又用于金属探伤和安全检查,近年来还成功地作为半导体芯片引脚焊接的检查手段,表明X射线的应用潜力仍然巨大,并且有希望发展成一种集成电路的光刻光源.     

数字X射线放射照相平板探测器

1.引言不象其他主要医学成像方法如计算机X射线断层摄影术(CT),超声波,核磁共振成像(MRI),所有这些都是数字化的,传统的X射线成像仍然大部分采用模拟技术。数字X射线成像或数字放射照相法很有优势,这是因为它:可以进行图像处理以提高图像质量,如对比度等;可以很容易地把放射成像的图像与那些从其他成像形式得到的图像进行比较;可以使医院通过网络对图像进行远程访问和归档;可以通过计算机辅助诊断工具辅助放射科医生的工作;最终,可以实现远程放射照相—训练有素的人员可从中心设施为远程或人口稀少的地区服务。     

船舶对接焊缝 X 射线照相检测底片上白色影像的探讨

X 射线照相技术是检测船舶对接焊缝内部质量的重要手段之一,进行射线照相检测时,底片一侧多次发现有 白色影像出现。产生白色影像的主要原因是暗袋摆放位置偏离射线机窗口中心。通过采取一定的措施,确保暗袋中心对准 射线机窗口中心后再次拍摄,底片上无白色影像出现,解决了底片一侧出现白色影像的问题,为船舶对接焊缝 X 射线照 相检测操作提供一定的参考。     

工业X射线计算机实时图像分析系统设计

工业X射线计算机实时图像分析系统，克服传统无损检验系统中缺点，利用最先进计算机图像处理技术，使系统具有图像清晰、分辨率高、实时性好、处理功能强等优点，是光、电机一体化的高新产品，是无损监测业发展趋势。     

微焦点X射线实时成像的图像采集与处理

本文主要介绍微焦点X射线实时成像检测的基本原理,图像质量分析及图像采集与图像处理技术。     

致密材料中辐照驱动的冲击波和界面运动的X射线照相测量

我们利用高能光子时间分辨Ｘ射线照相测量，研究了在致密塑料中的冲击传播和界面运动，以前的Ｘ射线反相照明测量利用Ｘ射线集光元件或小孔成像器。     

X射线照相发现的管壳缺陷分析

现在对半导体器件的可靠性要求越来越高,因此对器件的质量检测提出了严格的要求,为了能准确检测器件质量是否合格,使用X射线检测技术对器件进行无损检测。X射线对缺陷损伤做快速精确探测分析具有方便、直观等优点。对一例不常见的X射线照相检查发现的晶体管空洞缺陷进行了分析、试验,确定空洞是由管壳存在的问题引起的,提出了解决空洞问题的措施。说明了器件在筛选时进行X射线照相检查的必要性,可以将有缺陷的器件早期剔除,以保证器件的可靠性。     

医用X射线数字成像技术

目前医用X射线成像装置的总体发展趋势是成像速度更快、图像更为清晰、所用剂量逐渐减少、操作日趋方便.国外医学界认为.在这类装置领域中正蓬勃发展的全数字化放射学、图像导引和远程放射等三种相互关联的革新技术,将会改变21世纪初影像诊断学的面貌.本文就全数字化放射学作简单介绍.1 医用数字化X射线技术方兴未艾近年,各种医用图像成像装置都已进入数字化家族,唯独传统的X射线摄影装置和荧光透视装置还留在门外,不过,目前这种状况正在改变.X光胶片被数字图象显示终端所完全取代,是当前X射线诊断技术发展的必然趋势.如X—CT和MRI,其优点之一是简化了数据的存储和传送,而这正是传统X射线摄影亟待解决的问题.虽然目前国外约有75%的X射线诊断还是采用卤化银胶片进行的,     

自动实时X射线检测技术在半导体制程控制中的应用

对X光检测的不同技术在半导体制程上的应用作了详细的介绍;着重讨论了全旋倾斜(off-axis)X射线技术的特点和优势。     

X射线探测技术

1 引言X射线探测器是用来接收X射线，并把它转化成为可测量或可观察的量的仪器。所有X射线探测器都是基于X射线和物质相互作用的各种特性制成的。根据测量原理，可把X射线探测器分成三类，即：1）零维探测器，包括各种类型的正比计数器和半导体探测器等；2）二维探测器，包括X射线底片、电荷耦合器件（CCD）、X射线成像板、电子变焦管等；3）三维探测器，目前主要是光刻胶。2 X射线零维探测技术所谓零维探测，是指只能探测X射线光子数或X射线强度的技术。零维探测器包含各种计数器，如正比计数器、盖革计数器、闪烁体及半导体探测器等…     

扬声器系统控制器的应用及其发展动向

文章拟从工程实用的角度对扬声器系统控制器的基本功能，结构，调整使用及发展方向做了详细阐述，并介绍了当前市场上较流行扬声器控制器。     

X—ray检测技术的原理

本文简要的介绍X-ray检测技术的原理及未来发展趋势。     

PaxScan2520平板探测器X射线成像系统设计

以PaxScan2520平板探测器作为研究对象,利用VC++多线程的编程技术,结合平板探测器的特点,开发了基于PaxScan1313平板探测器的X射线实时成像系统。通过实验论证该系统可以达到很好的成像效果,可以满足X射线检测的实时性、稳定性与精确性。     

激光等离子体X射线成像诊断研究

为了诊断激光等离 子体X射线二维空间信息,基于Bragg衍射原理建立了等离子体X射线背光成像系统,其核心 元件为石英球面弯曲晶 体,弯曲半径为143mm。在中国工程物理研究院神光III原型激光装 置上,利用建立的系统,进行了单色X射线背光成像实验,激光聚焦到平面 Mg靶中心聚爆产生高温等离子体X射线为背光源,成像物体为15μm ×15μm网格阵列,X射线CCD得到了清晰的Mg靶 单色X射线二维网格图像。通过对背光图像分析,在7.8mm×2.6mm的视场范围,成像系统得到空间分辨率为5μm。实验 结果表明,基于石英球面弯曲晶体的X射线背光成像系统可以用于等离子体X射线诊断研究。     

光子晶体光纤及其研究动向

1　引　　言　　 1 995年由Birks提出的光子晶体光纤是一种将光子禁带用于波导原理的光纤。利用这一新的波导原理使空芯导光成为可能 ,因此这种光纤有望成为非常优异的低损耗、低非线性的传输通道。即使在石英光纤已得到广泛应用的今天 ,在长距离、大容量的传输系统中 ,为了补偿光纤的损耗 ,仍需采用高精度的光放大技术。而波长通道间的非线性相互作用或频带间喇曼散射已成为限制频带使用效率或传输的因素之一 ,因此空芯传输显示出特殊的重要性。然而 ,值得注意的是光子晶体光纤并非仅仅通过光子禁带进行导光 ,其一般结构是在玻璃中均匀排…     

工作流技术及其发展趋势的研究

工作流技术是计算机技术应用的一个重要方面，也是并行工程实施过程中的一项重要技术。介绍了工作流技术国内外研究现状和发展趋势，以及工作流技术中的一些基本概念和主要技术。     

Power efficient asynchronous multiplexer for X-ray sensors in medical imaging analog front-end electronics

This paper presents a new power efficient asynchronous multiplexer (MUX) for application in analog front-end electronics (AFE) used in X-ray medical imaging systems. Contrary to typical synchronous MUXes that have to be controlled by a clock, this circuit features a simple structure, as the clock is not required. The circuit dissipates power only while detecting the active signals and then automatically turns back to the power down mode. Medical imaging systems usually consist of several dozen to even several hundreds of channels that operate asynchronously. The proposed MUX enables an unambiguous choice of the active channel. In case of two or more channels that become active at the same time the MUX serializes the reading out data from particular channels. This characteristic leads to 100% effectiveness in data processing and no impulses’ loss. The proposed MUX together with an experimental readout ASIC has been implemented in the CMOS 0.18 μm process and occupies 1100 μm²/channel area. It works properly in a wide range of the voltage supply in between 0.8 and 1.8 V. Energy consumed during the detection of one active channel is below 1 pJ, while the detection time is about 1 ns.     

X射线检测仪控制系统的设计

基于提高X射线检测仪稳定性与智能控制水平的目的,对其控制系统进行了设计。描述了该控制系统的组成结构,给出了电路原理图。整个控制系统由运动控制单元、高压控制单元以及面板控制单元组成,并采用微控制器、数字隔离器、CAN总线、冗余设计、高精度模数/数模转换器等器件与技术进行控制系统的硬件设计,从而保证了系统的稳定性与智能控制水平。描述了该控制系统的软件设计思想,给出了流程图。本控制系统已成功应用于X射线检测仪中,实验结果表明,该系统运行稳定可靠,达到X射线检测仪的控制要求。     

Combined use of three-dimensional X-ray diffraction imaging and micro-Raman spectroscopy for the non-destructive evaluation of plasma arc induced damage on silicon wafers

The practicality of plasma etching, combined with low temperature and directional process capabilities make it an integral part of the IC manufacturing process. A significant cause of damage to wafers during plasma processing is arcing damage. Plasma arcing damage results in large pits and non-uniformities on the wafer surface which can lead to wafer breakage and high yield losses.Thus a non-destructive wafer damage metrology is crucial to the understanding of wafer failure mechanisms. We report on the successful use of a combined suite of non-destructive metrology techniques to locate the arc damage sites and examine the physical processes which have occurred as a result of the damage. These consist of 3D X-ray diffraction imaging (3D-XRDI), micro-Raman spectroscopy (μRS), and scanning electron microscopy (SEM).In the case of the two examples examined in this study the plasma induced damage on the wafer surface appears as regions of damage ranging from 100 μm to 1000 μm in diameter. 3D-XRDI shows that the strain fields propagate out from the damage site in all directions, with the damage penetrating up to ? of the way through the substrate. K-means clustering and false colouring algorithms are used to highlight the regions of interest in 3D-XRDI, and to enhance the analysis process. Sectioning of the 3D images has enabled non-destructive imaging of the internal damage in the samples at any location. Micro-Raman spectroscopy results indicate the presence of both crystalline and amorphous silicon. Strain measurements at the damage site show tensile strains as high as 500 MPa in certain situations, with strain levels increasing from the surface towards the bottom of the dislocation cell structures, which can be distinguished in the synchrotron X-ray topographs. 3D-XRDI and μRS results are in close correlation, proving the potential for 3D-XRDI as non-contact, non-destructive metrology particularly suited to these problems.