多孔硅的微观结构及其氧化特性

采用ＴＥＭ技术研究了多孔硅微观结构．结果表明：当衬底材料为中等偏高掺杂（０．０３２Ω·ｃｍ）时，多孔硅具有两种不同类型的微观结构，它们的形成和阳极氧化反应电流密度有关．修正了Ｂｅａｌｅ关于多孔硅微观结构的形成模型．采用ＸＰＳ、ＩＲＳ和击穿电压测量，研究了多孔氧化硅的特性，发现多孔硅在低温下（７５０℃）的氧化特性，除了和多孔度有关外，和多孔硅的微观结构以及氧化前的热处理温度有关．     

多孔硅发光器件的设计与试验

设计了多孔硅电致发光器件，讨论了工艺条件对器件Ｉ—Ｖ特性影响。试验中已观察到微弱的电致发光。认为利用多孔硅制备可见光发光器件是可行的。     

多孔硅电致发光器件

目前关于多孔硅发光特性研究已成为材料科学中的一个新热点，以电致发光器件为主攻方向的有关多孔硅的可能应用在不断报道。本文就此介绍了目前多孔硅电致发光器件的研究现状并对多孔硅发光器件在应用上存在的问题和研究方向作了一些讨论。     

多孔硅异质结电致发光器件发光特性研究

多孔硅电致发光性质的研究对于实现硅基光电集成具有重要的应用价值。采用蒸镀-阳极氧化法制备了多孔硅异质结(ITO/PS/p-Si/Al)电致发光器件,在7.5V较低电压下实现了数小时连续电致发光,并给出了该器件的发光和电学性能的测量结果。结果表明,要制备较好发光性能和伏安特性的多孔硅电致发光器件,顶部电极应同时具有较高的透光率和电导率。     

多孔硅的制备和发光特性

本文叙述了多孔硅的制备、多孔形态层的形成机理,以及多孔硅的光致发光现象和理论解释,并且讨论了目前存在的一些问题。     

与硅平面工艺兼容的p~-/p~+型多孔硅的发光特性研究

ｐ－／ｐ＋型多孔硅电致发光器件对实现硅基光电子集成具有重要的意义，我们通过改变样品衬底的离子注入浓度和阳极氧化条件，在ｐ－／ｐ＋型单晶硅衬底上生长了不同的多孔硅样品后，在纯氧和稀氧氛围下对样品进行了８００℃高温退火处理．通过测量样品的光致发光谱，研究了样品衬底离子注入浓度，阳极氧化条件及后处理条件等对ｐ－／ｐ＋型多孔硅样品发光的影响，为研制与硅平面工艺兼容的多孔硅发光器件，提供了重要的参考设计参数和进一步改进工艺的依据     

多孔硅发光二极管的载流子传输特性研究

制备AI／多孔硅／c-Si／Al结构的多孔硅发光二极管，利用其I-V特性关系，以及在不同温度下其I-V特性的变化，结合多孔硅的特殊微结构及性质，分析了多孔硅发光二极管中载流子的产生和传输过程；通过比较其发光猝灭前后I-V特性的变化，解释了发光猝灭的原因。提出了如果在低电场下能够实现大量载流子在限制性Si微粒中复合．是提高多孔硅电致发光效率的一个途径。     

多孔硅材料和光电器件

介绍了多孔硅的形成方法及其机理。对国内外有关该材料在固体发光方面的研究现状和进展及其在光电器件上的应用作了讨论。     

多孔硅(PS)及其光电器件研究进展

综述了近几年来人们对多孔硅材料的研究及其其于硅基光电器件制造方面的进展。 ‘     

多孔硅/八羟基喹啉铝复合体系的电致发光

采用阳极氧化法制备了多孔硅(PS)，通过真空沉积在纳米孔中组装了有机发光小分子八羟基喹啉铝(Alq3)，制作了有机／无机复合电致发光器件，并与单层的Alq3电致发光器件相比较，观察到复合体系的电致发光蓝移现象，这种蓝移现象与纳米孔对有机分子聚集程度的限制有关。     

多孔硅基光电器件技术进展

本文综述了多孔硅作了新型的光电半导体材料的最新研究进展，讨论了多孔硅的电致发光和两种不同结构的发光二极管。最后，讨论了制备多孔硅光电器件所遇到的一些问题。     

多层结构对有机电致发光器件性能的影响

将发光层进行多次堆叠,构造出有机电致发光器件.在堆叠过程中,改变各发光层厚度的相对比例,发现在总厚度相同、结构相同,而各发光层比例不同的条件下,器件呈现不同的发光特性.器件的电致发光光谱有着明显的变化,器件颜色由蓝光到近白光改变极其明显,器件的亮度和器件的效率也有不同程度的改变.     

嵌入聚合物聚苯胺的多孔硅光致发光的研究

分别通过溶液法和阳极电化学腐蚀法制得聚苯胺(PANI)和多孔硅,并用匀胶机涂布法把聚苯胺嵌入到多孔硅中,观察了嵌入前后的样品的光致发光谱.实验结果表明,聚苯胺的嵌入增强了多孔硅的光致发光强度,却不改变其峰位及峰宽,这与现有文献报道的结果有所不同,并对此进行了分析.认为聚苯胺掺入多孔硅中之后,与硅形成了新的键,从而使多孔硅的光致发光得到增强.     

多孔硅光电导特性研究

多孔硅材料具有较强的可见光光电导效应，本文采用阳极氧化工艺制作了Al/PS/Si/Al的结构样品，给出了由不同工艺制备的样品的光电导响应曲线及其峰值。结果表明：多孔硅禁带宽度在1.9eV左右，大于Si的禁带宽度1.12eV，这与多孔硅的发光现象和能带展宽理论相一致。     

AlGaN/GaN HEMT凹栅槽结构器件的频率特性

采用一系列不同栅长和结构的T型栅器件来研究凹栅槽结构抑制短沟道效应和提高频率特性的作用.随着栅长不断缩短,短沟道效应逐渐明显,栅长从300 nm缩短至100 nm时,亚阈值摆幅逐渐增大,栅对沟道载流子的控制变弱,且器件出现软夹断现象.凹栅槽结构可以降低器件的亚阈值接幅,提高开关比,栅长100 nm常规结构器件的亚阈值摆幅为140 mV/dec,开关比为106,而凹栅槽结构器件的亚阈值摆幅下降为95 mV/dec,开关比增大为107,凹栅槽结构明显抑制了短沟道效应.在漏源电压为20 V时,100 nm栅长的凹栅槽结构器件的截止频率和最高振荡频率达到了65.9和191 GHz,同常规结构相比,分别提高了5.78％和4.49％.由于凹栅槽结构缩短了栅金属到二维电子气(2DEG)沟道的间距,增大了纵横比,所以能够改善器件的频率特性.     

多孔硅光致发光谱的多峰结构

基于多孔光致发光的量子限制效应模型,研究了多孔硅发光性质随温度的变化关系.结果表明:多孔硅光致发光谱呈多峰结构,这些分立的发光峰是由多孔硅的本征因素引起的.     

柔性有机电致发光器件的制备

以柔性材料聚对苯二甲酸乙二酯(PET)为基底,在自行溅射的方阻为50 Ω/□的氧化铟锡(ITO)导电薄膜上制备了结构为PET/ITO/NPB/Alq3/Mg:Ag和PET/ITO/NPB/Alq3:DCJTB/Mg:Ag的绿色和红色器件,其最高亮度分别为18 cd/m2和170 cd/m2.利用原子力显微镜(AFM)表征了柔性ITO和有机薄膜的形态,结果表明,影响柔性电致发光器件性能的主要因素是ITO薄膜与PET基板的附着性问题,从而导致柔性基片在湿法刻蚀和清洗中ITO薄膜的剥离.另外,通过使用致密的氮化硅(Si3N4)绝缘层取代常规蚀刻的方法,制备了高性能的4×2阵列的柔性有机电致发光器件.