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建立了磁约束放电 CO激光的模型。在该模型下分析、计算了 CO气体放电系统电子的能量分布函数 ;CO分子的电子碰撞激发速率 ,CO分子各振动态的布居数分布和对应的小信号激光增益系数。研究表明 ,由于磁场的加入 ,在对应 CO分子振动态电子碰撞激发截面的能量范围内电子数有较大的增加。CO分子的电子碰撞激发速率提高。CO分子各振动能级均获得更大的布居数和激光小信号增益。 相似文献
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光泵远红外激光是气体分子转动能级之间的辐射跃迁。当气体分子吸收抽运的CO_2激光能量后,由振动基态被选择激发到高振动态的某一转动能级。它与相邻转动能级之间建立了粒子数反转。气体分子对CO_2激光能量的吸收是一种近共振吸收,频率失配一般在10兆赫之内。因此在调试连续光泵远红外激光器时,必须首先将CO_2激光频率调谐 相似文献
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本文报道了在K2-K混合系统中由单光子共振激发原子于4P能级,通过4P原子的能量积聚效应及原子──分子的碰撞能量转移过程使分子在高位三重态获得布居,从而产生的扩散带受激辐射.至今已经发现了多种产生分子扩散带的机制.在钠分于中,由单光子或双光子激发销原子于3P能级或4D(或4F)能级,以及在宽波段范围内由可调谐激光双光子激发钠分子获得了紫区430.0nm附近的扩散带受激辐射以及360.0nm附近的扩散带受激辐射;对于锂分子,以双光子共振激发锂原子4S能级,产生蓝区扩散带受激辐射,以紫外单光子激发锂分子态或光-光双共振激发… 相似文献
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三重态?三重态湮灭上转换是一种新型光子上转换技术,具有使用连续波光源激发、上转换波长灵活可调和上转换量子效率高等优点。在该上转换过程中,三重态光敏剂吸收激发光、发生系间窜越并作为三重态能量给体,通过三重态能量转移过程,敏化能量受体,处于三重态的受体分子发生三重态–三重态湮灭,产生能发生高效荧光过程的单重激发态(即上转换发光),从而将低能量的光子转换为高能量的光子,这为提高太阳能电池的光电转换效率或光催化的效率等,提供了一种新的途径。实验中需要选用合适的激光器激发上转换体系产生上转换发光,并研究其具体光物理过程。如选用连续波二极管泵浦固体激光器(DPSSL)作为光源,激发光敏剂/受体体系进行上转换实验,可方便地研究激光功率密度对上转换发光效率的影响。此外,为了研究上转换发光的动力学过程,使用光学参量振荡器(OPO)可调谐纳秒脉冲激光器激发上转换体系,可以研究光敏剂的三重态寿命、分子间能量转移以及三重态–三重态湮灭等过程的动力学特征。文中介绍了在三重态–三重态湮灭上转换实验中连续波和脉冲激光器的使用方法。 相似文献
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本文提出一个利用电容瞬态技术直接由俘获过程测量不同能量位置界面态俘获截面的新方法,并用它测量了n型Si-SiO_2界面态对电子的俘获率和俘获截面.结果表明界面态的电子俘获截面强烈地依赖于界面态的能量位置,即除了导带之下0.53到0.38cV能量区间之外,俘获截面随着能量向导带底方向变化几乎呈指数地衰减.本文还提出,在界面态的俘获截面与能量有关的情况下,将界面态发射载流子的DLTS 谱返原成界面态密度随能量分布的方法,并利用它分析了原子氢和分子氢对n型Si-SiO_2界面态的退火效果. 相似文献
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电子束泵浦的离子激光器,由于其高密度的高能电子具有增加效率、功率和在真空紫外区域产生CW辐射的可能。对于离子激光器,控制高密度束电子的能量,使其处于激光上能级的大激发截面区域是非常重要的。 相似文献
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热力学非平衡分子辐射中的重粒子影响 总被引:1,自引:0,他引:1
在高超声速再入流场中,气体处于热力学非平衡状态。在这一状态下,气体的辐射根据分子电子态的激发情况展现出与平衡态不同的光谱。分子的电子态激发主要通过碰撞完成。电子的质量远小于分子,当分子在与电子碰撞时,能量传递的效率将高于与重粒子的碰撞。在这种情况下,重粒子对分子的电子态激发的影响往往被忽略。文中计算了氮气分子与不同粒子碰撞的电子态激发速率,并计算了在热力学非平衡情况下分子电子态的分布。通过分析氮气分子与不同粒子碰撞的电子态激发速率随温度的变换特性,比较了与不同粒子碰撞的分子电子态激发效果。最终分析了在典型的流场环境下,重粒子对分子电子态分布的影响,以及对最终氮气第一正组的辐射光谱的影响。 相似文献
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在用Monte Carlo方法模拟电子与物质相互作用过程时,常用Mott截面描述电子与原子的弹性碰撞,而用介电函数理论描述电子的非弹性散射。Penn利用光学能量损失函数Im{-1/ε(q=0,ω)}外推法获得了描述动量转移不为零的能量损失函数Im{-1/ε(q,ω)}。该介电函数主要描述由于体激发而引起的能量损失,但当入射电子能量降低,或电子掠入、出射时,电子在表面区域会引起较强的表面电子激发模式,在电子能量损失谱中对应特征的能量损失,如表面等离子体激元峰,故常用的光学能量损失函数不适于描述电子的表面激发行为。 相似文献
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本文利用光电容瞬态技术,在不同温度下,首次测得了N型掺锰(Mn)硅中与Mn相关的Mn施主能级Mn_i~(o/+)(Ec-0.416eV)的绝对电子光电离截面谱图.对实验点的理论拟合表明:电子光电离截面(σ_n~o)可用简单的、作了修正的Lucovsky公式来描述.该能级的空穴光电离截面(σ_p~o),在实验系统灵敏度范围内,未检测到讯号.这意味着σ_p~o的极大值也不大于10~(-21)cm~2.该中心的热激活能E_t和电子的光电离截面闽值能量E_(10)的很好一致,以及σ_n~o不依赖于温度的实验事实说明了电子通过该能级跃迁时,不存在着同晶格的强耦合作用. 相似文献
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热电子的碰撞引起发光中心的激发,碰撞离化截面与热电子的能量紧密相关,因此,了解初始电子的来源非常重要。本文提出了分层优化多层场致发光薄膜的等效电路,并比较了多层和三层薄膜的电荷-电压特性。 相似文献