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相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
研制了一种新型的800nm布拉格反射镜型半导体可饱和吸收镜,其吸收区是低温方法和表面态方法相结合.用该吸收体实现了氩离子激光器泵浦的掺钛蓝宝石激光器被动锁模,脉冲宽度达到40fs,光谱带宽为56nm,后者意味着它可以支持20fs的锁模.脉冲序列的重复率为97.5MHz,泵浦源为4.45W下平均输出功率为300mW.  相似文献   

2.
制作了一种新型的半导体可饱和吸收镜:表面态型半导体可饱和吸收镜.用表面态型半导体可饱和吸收镜作为被动锁模吸收体,实现了半导体端面泵浦Yb∶YAG激光器被动连续锁模.在泵浦功率为1 0 W时,获得了连续锁模脉冲序列,重复频率2 0 0 MHz,锁模脉冲平均输出功率为70 m W.在未加任何色散补偿的情况下,脉冲宽度为4 .35 ps  相似文献   

3.
制作了一种新型的半导体可饱和吸收镜:表面态型半导体可饱和吸收镜.用表面态型半导体可饱和吸收镜作为被动锁模吸收体,实现了半导体端面泵浦Yb:YAG激光器被动连续锁模.在泵浦功率为10W时,获得了连续锁模脉冲序列,重复频率200MHz,锁模脉冲平均输出功率为70mW.在未加任何色散补偿的情况下,脉冲宽度为4.35ps.  相似文献   

4.
表面态型半导体可饱和吸收镜实现Yb:YAG激光器被动锁模   总被引:1,自引:0,他引:1  
制作了一种新型的半导体可饱和吸收镜:表面态型半导体可饱和吸收镜.用表面态型半导体可饱和吸收镜作为被动锁模吸收体,实现了半导体端面泵浦Yb:YAG激光器被动连续锁模.在泵浦功率为10W时,获得了连续锁模脉冲序列,重复频率200MHz,锁模脉冲平均输出功率为70mW.在未加任何色散补偿的情况下,脉冲宽度为4.35ps.  相似文献   

5.
我们在国内首先研制成功波长为800nm附近布拉格反射镜型半导体可饱和吸收镜。用布拉格反射镜型半导体可饱和吸收镜作为自启动装置,我们实现了氩离子激光器泵浦的钛宝石激光器被动连续锁模,获得了连续锁模脉冲序列,重复频率在100MHz到200MHz。  相似文献   

6.
利用金属有机气相淀积方法生长了一种新型吸收体 :高反射率半导体可饱和吸收镜 .用这种吸收体兼作端镜 ,实现了 1 0 4 4 μm半导体端面泵浦Yb∶YAB激光器被动锁模 ,脉冲宽度为 3 0 5 ps ,重复率为 375MHz ,输出功率为 4 5mW .  相似文献   

7.
基于饱和吸收镜的被动锁模光纤激光器   总被引:7,自引:5,他引:7  
王旌  张洪明  张鋆  燕萌  姚敏玉 《中国激光》2007,34(2):63-165
在普通单模光纤环中插入半导体可饱和吸收镜(SESAM)作为非线性器件,实现了自启动的被动锁模光纤激光器,并产生了亚皮秒量级的稳定锁模激光脉冲。输出锁模脉冲的基频为几兆赫兹。利用基于倍频晶体的二次谐波自相关仪测得锁模脉冲的脉宽为422 fs,最窄时可达377 fs,利用光谱仪测得脉冲谱宽为6.35 nm,脉宽谱宽乘积为0.329,接近于双曲正割脉冲的变换极限。实验中激光器输出脉冲稳定,没有观察到子脉冲和直流分量。在一般的实验室条件下,未采取任何附加措施,激光器可连续稳定工作10 h以上,没有出现失锁现象。该装置结构简单,紧凑,易于调整,工作稳定,可以很方便地实现自启动锁模。  相似文献   

8.
砷化镓半导体材料与空气接触的表面存在密度很高的电子表面态,砷化镓材料内部的电子可以通过这种表面进行驰豫,驰豫时间估计在ps量级。依此原理,制作了一种新型的表面态型半导体可饱和吸收镜,用其作为被动锁模吸收体.实现了半导体端面泵浦Nd:YAG激光器被动连续锁模。在泵浦功率为4W的情况下.获得了连续锁模脉冲序列,重复频率150MHz,锁模脉冲平均输出功率为300mW,脉冲宽度为10ps。  相似文献   

9.
分别将氧化石墨烯可饱和吸收镜(GOSAM)与半导体可饱和吸收镜(SESAM)作为可饱和吸收体,在同一掺铒光纤激光器中均实现了全光纤结构、稳定的锁模飞秒脉冲输出。实验用抽运源为中心波长974 nm的半导体激光器,抽运1.4 m长的吸收率为7 d B/m的掺铒光纤,谐振腔总腔长约为12 m。以GOSAM作为可饱和吸收体,当抽运功率为29 m W时,激光器产生稳定的锁模脉冲输出,脉冲宽度最窄为703 fs,光谱中心波长为1557.67 nm,3 d B带宽为3.91 nm。使用调制深度为18%的SESAM作为可饱和吸收体,当抽运功率为32 m W时也可得到锁模脉冲,脉冲宽度为542 fs,光谱中心波长为1561.5 nm,3 d B带宽为5.41 nm。实验表明,新型激光锁模器件氧化石墨烯的可饱和吸收效应可与SESAM媲美,且兼具价格低廉、制备简单的优势,在实现超短脉冲运转方面具有广阔的实际应用前景。  相似文献   

10.
为了研究半导体泵浦的Yb:YAG晶体被动锁模特性,分别采用光纤耦合输出激光器,半导体列阵和激光二级管作为泵浦源,利用直腔和五镜谐振腔,用半导体饱和吸收体(SESAM)作为被动锁模器件,对Yb:YAG晶体的被动锁模运转情况进行研究.实验中分别得到了谱线宽度为1.1nm,2nm和2.8nm的稳定锁模脉冲序列.最后得出结论,对于相同的SESAM,被动锁模脉宽主要受晶体内部的泵浦光功率密度和激光介质发射带宽两个因素的影响.对被动锁模激光器的研究具有指导意义.  相似文献   

11.
报道了一个激光二极管(LD)抽运多波长连续输出的激光器和一个被动调Q的固体激光器。该激光器的增益材料是一种新型掺Yb^3+的晶体Yb^3+:Lu2SiO5(Yb^1LSO)。当吸收的抽运功率为2.57W时,连续输出的最大功率为490mW,斜率效率为22.2%,光-光转换效率为14.2%,激光阈值为299mW,输出激光波长为1084nm。多波长输出时,波长调谐范围为1034~1085nm。利用InGaAs可饱和吸收镜实现调Q输出时,斜率效率为3.0%,激光波长为1058nm。脉冲重复频率为25~39kHz,重复频率随着抽运功率的增加而增加。  相似文献   

12.
利用半导体可饱和吸收镜实现的全光纤被动锁模激光器   总被引:2,自引:1,他引:1  
设计了包含半导体可饱和吸收镜(SESAM)、单包层高掺Yb增益光纤和光纤布拉格光栅(FBG)的全光纤激光器,实现了皮秒级,中心波长约为1064 nm,3 dB线宽约为0.4 nm,重复频率约为17.3 MHz的稳定的连续(CW)被动锁模脉冲输出。观察并分析了输出激光随抽运功率升高和降低的变化过程,升高过程中连续锁模启动时抽运功率阈值为50 mW,降低过程中能够实现稳定锁模的最小抽运功率为37 mW。随着抽运功率的加大,首先出现调Q现象。然后出现连续锁模,并伴有很小幅度的调Q现象。继续加大功率,脉冲会出现分裂;抽运功率越大,单脉冲分裂成的多脉冲越多,多脉冲调制越强。在较少脉冲演变为较多脉冲的过程中,会出现调制的不稳定性。当抽运功率足够大时.会出现多脉冲个数及峰值的不稳定现象。半导体可饱和吸收镜被动锁模会使输出激光谱线加宽,随着抽运功率的加大和锁模的加强,输出激光谱线逐渐加宽。随着脉冲分裂个数增多,单个脉冲脉宽变窄。在多脉冲调制阶段,外界微扰会对系统产生一定影响。  相似文献   

13.
半导体可饱和吸收镜调Q的Yb∶LSO激光器   总被引:2,自引:0,他引:2  
报道了一个激光二极管(LD)抽运多波长连续输出的激光器和一个被动调Q的固体激光器。该激光器的增益材料是一种新型掺Yb3 的晶体Yb3 ∶Lu2SiO5(Yb∶LSO)。当吸收的抽运功率为2.57 W时,连续输出的最大功率为490 mW,斜率效率为22.2%,光-光转换效率为14.2%,激光阈值为299 mW,输出激光波长为1084 nm。多波长输出时,波长调谐范围为1034~1085 nm。利用InGaAs可饱和吸收镜实现调Q输出时,斜率效率为3.0%,激光波长为1058 nm。脉冲重复频率为25~39 kHz,重复频率随着抽运功率的增加而增加。  相似文献   

14.
本文把镜像法与复保角变换有机地结合起来。指出对于实际中的一大类问题,只须采用平面镜像做基本模型,而对复杂形状作有源保角变换,就可以归结为平面镜像。特别有兴趣的是变换后的求解区域可以允许存在原问题∞处的镜像电荷,从而突破了一般镜像法的一个准则。  相似文献   

15.
概述了电磁波吸收材料性能测试的几种方法:低频同轴线法、波导法,拱型架法、空间平移测试法。论述了它们的各自特点、使用范围和注意事项。并且概要地介绍了极为关键的材料的抗燃烧性能的测试方法。  相似文献   

16.
皮秒脉冲在超连续谱光源中具有重要应用,基于线形腔搭建了半导体可饱和吸收镜(SESAM)被动锁模皮秒脉冲掺镱光纤激光器,详细分析对比了激光器中所用光纤光栅的反射率、反射带宽以及SESAM的宏观特性参数对锁模激光器输出脉冲特性的影响。实验结果表明:选择10%反射率和0.3nm反射带宽的光纤光栅比较有利于激光器的稳定锁模;光纤激光器对SESAM参数的适用范围比较大,SESAM的非饱和损耗对激光器输出平均功率影响较大,SESAM的非饱和损耗越小,激光器输出脉冲的平均功率越高。  相似文献   

17.
介绍了半导体可饱和吸收镜锁模光抽运垂直外腔面发射半导体激光器的原理、基本结构特点、应用及设计中的主要问题,对其研究进展及未来发展趋势作了分析和总结。  相似文献   

18.
提出了利用有限元计算模型和改进的遗传进化算法获取吸波结构中未知参数层电磁参数的方法.根据电磁参数与多角度入射吸波结构反射率的关系建立有限元正向计算模型,根据自由空间方法搭建的测试系统测量得到相应入射角度下的反射率,并利用遗传优化得到吸波结构中未知参数层的电磁参数.优化过程中采用高斯随机数代替基本遗传算法的均匀平均数,避免陷入局部最优点.与传统的网络参数法相比较,本文提出的方法避免了厚度谐振和多值性问题.  相似文献   

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