Da波段锁相系统研究

利用多环方案，研制了八毫米波锁相源系统，实验表明，３４．７ＧＨｚ频率点输出的相位噪声指标（傅氏频率为１ＫＨｚ时）为－７８ｄＢｃ／Ｈｚ，杂散优于－６０ｄＢｃ，输出功率大于４０ｍＷ．     

超低相位噪声超高速声表面波雷达频率综合器

介绍了一种新型的高性能雷达频率综合器的制作方法，即采用声表面波技术制作高性能的雷达频综器。采用这种方法成功地制造了Ｌ波段、Ｓ波段、Ｃ波段超低相位噪声超高速频率综合器。该类频综输出信号具有极低相位噪声（１．６ＧＨｚ处：单边带相位噪声Ｌｍ（１ｋＨｚ）＝－１２７ｄＢｃ／Ｈｚ；３．４ＧＨｚ处：Ｌｍ（１ｋＨｚ＝－１２２ｄＢｃ／Ｈｚ；６．８ＧＨｚ处：Ｌｍ（１ｋＨｚ）＝－１１６ｄＢｃ（Ｈｚ）、极短的频率切换时间（约１６０ｎｓ）、低杂波电平（Ｌ波段为－７０ｄＢ；Ｓ波段为－６５ｄＢ；Ｃ波段为－６０ｄＢ）、较多频点（５１点）等多项优异性能。同时，该频综通过了各项环境试验的考核，且长期工作性能稳定。     

2.30GHz—2.70GHz锁相环式频率综合技术研究

本文阐述了一个基本的Ｓ波段锁相式频率综合器，频率范围是２．３０ＧＨｚ－２．７０ＧＨｚ，频率步进为５ＭＨｚ，相位噪声指标为￡（１０ｋＨｚ）〈－９５ｄＢｃ／Ｈｚ，杂散抑制优于５０ｄ，输出功率大于１０ｄＢｍ。     

锁相介质振荡器

锁相介质振荡器采用锁柏稳频技术将介质振荡器的频率稳定在参考频率上。研制的一种Ｘ波段锁相介质振荡器,得到的性能指标如下：频率８．４４８ＧＨｚ;相位噪声≤ －８０ｄＢＣ／Ｈｚ＠１００ｋＨｚ、≤－１１０ｄＢ／Ｈｚ＠１００ｋＨｚ;输出功率≥１０ｄＢｍ;杂波≤－７５ｄＢｃ、谐波≤－３０ｄＢｃ。     

S波段频率综合技术研究

本文论述的Ｓ波段频率综合器，频率范围是２．６１￣３．９６ＧＨｚ，频率步进为２．５ＭＨｚ，相位噪声指标〈－（８８￣９３）ｄＢｃ／Ｈｚ，长期频率稳定度为１×１０＾－９／日，杂散抑制优于５５ｄＢ，谐波抑制优于５０ｄＢ，输出功率大于１４ｄＢｍ。     

低相噪音次倍频源的研制

阐述了低噪声高次倍频器的设计原理和组成部分，介绍了已研制成功的高性能低相噪Ｘ波段１００次倍频频率源，经用３０４７Ａ相噪测试系统严格孬载频为０．３ＧＨｚ、偏离载频１ｋＨｚ和１００ｋＨｚ其单边带相位噪声分别达－１０８ｄＢｃ／Ｈｚ和－１２２ｄＢｃ／Ｈｚ。分别表明，所用１００次倍频器报会加相噪，其理论值达到２０ｌｏｇＮｎＢ。     

L波段数字锁相环频率合成器的研究

本文介绍了一种Ｌ波段锁相环频率合成器，频率范围１．１－１．６ＧＨＺ，频率步进为１ＭＨＺ，相位噪声为ε（１０ｋＨｚ）〈－９０ｄＢｃ／Ｈｚ杂散抑制优于５５ｄＢ，输出功率≥０ｄＢｍ。     

Ka波段频率合成器

本文介绍了一种基于毫米波谐波混频、中频锁相的Ｋａ波段频率合成器的设计方案及实现结果。合成器的频率范围为２６．５￣４０ＧＨｚ,输出功率大于＋５ｄＢｍ,频率步进值为１ＭＨｚ,相噪指标为（１０ｋＨｚ）〈－６５ｄＢｃ／Ｈｚ,杂散低于－５５ｄＢｃ。     

C波段双频切换低相噪介质稳频振荡器的设计

文章介绍了一种双频切换，低相噪介质稳频振荡器（ＤＲＯ）的设计方法。运用微波ＣＡＤ设计的Ｃ波段ＤＲＯ，其相位噪声可达到－７２～－７５ｄＢｃ／１Ｈｚ／１ｋＨｚ，最佳为－８０ｄＢｃ／１Ｈｚ／１ｋＨｚ；输出功率大于２０ｍＷ；推频系数小于１００ｋＨｚ／Ｖ；可在－２０℃～＋５５℃工作。     

S波段高稳锁相振荡源研究

本文阐述了用数字锁相的方法完成Ｓ波段频率源，分析了锁相环的频谱特性；并对输出信号进行了测试，其相位噪声指标￡（１０ｋＨｚ）〈－９３ｄＢｃ／Ｈｚ，杂散抑制〈－６５ｄＢｃ，输出功率大于１０ｍＷ。     

Ka波段锁相系统研究

利用多环方案,研制了八毫米波锁相源系统。实验表明,34.7GHz频率点输出的相位噪声指标(傅氏频率为1kHz时)为-78dBc/Hz,杂散优于-60dBc,输出功率大于40mW。     

一种基于偏移源的频率合成技术分析

针对一种基于偏移源的频率合成技术,建立了锁相环(PLL)线性模型,对相位噪声和杂散信号性能进行分析。从分析结果看,在锁相环反馈支路中使用一个偏移源将压控振荡器(VCO)输出信号下混频至一个较低的中频,从而将锁相环的环路分频比大大降低,使改善后的锁相环噪底达到-135 dBc/Hz。介绍了偏移源和主环的关键合成技术,结合工程应用设计的基于偏移源的C频段频率合成器,相位噪声偏离载波10 kHz处≤-99 dBc/Hz,偏离载波100 kHz处≤-116 dBc/Hz,杂散小于-70 dBc。     

95GHz低相噪锁相源技术研究

基于毫米波锁相源相位噪声理论,明确指出采用低相位噪声的微波频率源可以有效改善毫米波锁相源相噪指标。利用低相位噪声的微波倍频源,结合谐波混频方式,设计出95GHz低相位噪声锁相频率源。测试结果表明,其相位噪声可以低至-90.44dBc/Hz@10kHz,验证了该设计方案的可行性。     

Millimeter-Wave Signal Generation Using Two Cascaded Optical Modulators and FWM Effect in Semiconductor Optical Amplifier

A novel method of optical generation millimeter-wave (mm-wave) signals employing two cascaded optical modulators and four-wave-mixing effect in semiconductor optical amplifiers is proposed. This approach is capable of generating signals of four times, eight times, and 12 times microwave source frequency with high spectral purity and stability. A mm-wave of 42 GHz (12times fundamental) with a 3-dB linewidth less than 30 Hz and a phase noise less than 83 dBc/Hz at 10-kHz offset is obtained.     

低相位噪声微波频率源的研究

通过对微波频率源相位噪声的分析,针对一个C波段微波频率源低相位噪声的要求,对比分析了直接倍频、数字锁相以及高频鉴相之后再倍频三种方案之间的相位噪声差别。最终得出采用直接在超高频(UHF)波段对输入信号进行模拟鉴相并锁定之后再倍频才能达到所要求的相位噪声指标。对制成的样品进行了测试,取得了预期的相位噪声指标。该C波段微波频率源的相位噪声可以达到:≤-120 dBc/Hz@1 kHz,≤-125 dBc/Hz@10 kHz,≤-130dBc/Hz@100kHz,≤-140 dBc/Hz@1 MHz。直接在UHF波段进行高频鉴相的技术,通过提高鉴相频率大幅降低了微波锁相频率源的相位噪声。     

Frequency Sources in W-band Radar Front-end with Low Phase Noise

A W-band coherent stepped-frequency pulsed radar front-end is developed. It consists of a millimetre wave transmitting source, a mm-wave local source, a DDS with multi frequency points output and two microwave sources serving as local oscillators. All the sources are coherent with the 120 MHz referenced crystal oscillator. The mm-wave sources are realized by frequency multiplier chain, up-conversion and injection locking. The phase noise of fundamental-wave injection-locked W-band harmonic Gunn oscillator output signal achieves ?98 dBc/Hz at 10 kHz offset and the spurious output is less than ?50 dBc. The received intermediate frequency signal is also presented.     

一种超低相噪参考源的设计与实现

本文设计并实现了超低相位噪声参考源.分析了锁相频率合成相位噪声的影响因素,提出了一种采用梳谱发生器合成宽带、大步进、超低噪声参考源的频率合成方案.实验测试结果:频率覆盖范围3~6GHz,频率步进75MHz,3.1125GHz时,10kHz频偏处的相位噪声约为-130dBc/Hz,具有较高的工程实用价值.     

基于HMC830的低相噪低杂散频率源的设计

针对频率源的相噪会恶化采样数据的信噪比,杂散会降低接收机灵敏度,提出了一种低相噪低杂散的设计方法。该方法利用Hittite公司的新推出的集成VCO的锁相环芯片HMC830进行设计．供电部分采用多个低噪声稳压芯片,参考频率源为Pascall公司的OCXO晶振,环路滤波器为无源四阶,使用Hittite PLL Design...