GaAs高速电路在片瞬态测试技术研究

介绍了ＧａＡｓ高速集成电路在片瞬态参数测试的技术原理和系统组成。利用该系统对部分ＧａＡｓ高速电路进行的测试结果表明,该系统行之有效。     

GaAs高速电路在片瞬态测试技术研究

介绍了ＧａＡｓ高速集成电路在片瞬态参数测试的技术原理和系统组成。利用该系统对部分ＧａＡｓ高速电路进行的测试结果表明, 该系统行之有效     

MMIC在片测试探头的研究与设计

微波单片集成电路（MMIC）在片测试技术是应用于MMIC和高速集成电路研究、生产的新型测试技术。MMIC在片测试探头是MMIC在片测试系统的关键部件。本文研究并设计了介质基片共面波导（CPW）探头,测试并分析了探头性能。该探头在2－18GHz范围内插入损耗小于1．5dB,回波损耗大于16dB。     

GaAs功率单片脉冲在片测试技术研究

讨论了功率单片在片脉冲测试中在片校准技术、脉冲功率测试技术等难题,并在讨论以上问题的基础上,实现工程化应用,该测试技术能够有效覆盖至40 GHz.在建立的脉冲大功率在片测试系统上对输出功率典型值5W的GaAs功率单片放大器进行测试验证,测试结果和装架测试结果相比较,输出功率误差＜0.2 dB.     

微波裸芯片的测试技术

鉴于目前对微波裸芯片的旺盛需求,介绍了几种测试技术,主要包括探针台测试技术、夹具测试技术和非侵入式测试技术,并对不同的测试技术进行了对比,分析了各种测试方法的优缺点及存在的问题。     

射频／微波波段的测试探针

薄膜探针九十年代前,半导体芯片、圆片等未封装器件的直接测试,都是通过机械探针作触点来进行的。随着频率的增加,探针的尺寸也越来越小巧。虽然输入输出都用同轴线传输并且端接有匹配阻抗,但机械探针的杂散电感(nH)和杂散电容(pF),对1GHz以上的频率测试必然带来显著失真,机械探针的尖端对芯片上的触点有     

探针测试设备简介

<正>1概述在集成电路产业链中,集成电路测试是惟一一个贯穿集成电路生产和应用全过程的产业。如果集成电路设计没有通过原型的验证测试,就不可能投     

单片微波集成电路的技术进展

根据从１９９６年国际微波会议和微波与毫米波单片集成电路会议上了解的情况，本文综述了单片微波集成电路当前的技术进展和值得注意的动向。     

微波单片集成电路测试技术研究

单片机集成环境主要应用于无线通信、雷达、电子测量等行业,近年来随着设备的发展,对机器的需求增加,对可靠性的要求也提高了.单片有源微波项目在国内尚处于起步阶段,没有相关的方法[1].为了防止这种情况,该文通过测量有源损耗、1 dB压缩点、单组件侧分贝和放大器以及射频开关等关键参数来探索有源单片集成设备和微波测试技术.     

GaAs高速集成电路内部动态特性直接电光采样检测

研制成功GaAs高速集成电路直接电光采样测试系统.采用共轴反射式光路,对样品进行背面直接采样.用研制的微波探针在片驱动GaAs高速数字集成电路管芯,使之处于正常工作状态.测试系统的时间分辨率高于20ps,空间分辨率为3μm.利用该系统在片检测了GaAs高速数字集成电路动态分频器内部的高速电信号.     

GaAs单片集成激光器驱动电路在片测量

用多触头微波探针 ,对 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片进行了在片测试和筛选 ,测得芯片频率响应带宽为 3.8GHz.使用高速增益开关半导体激光器作为采样光脉冲源 ,采用了背面直接采样方式建立了电光采样测试仪 .检测了 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片内部点的高速电信号波形 .     

高性能低成本微波组件制造技术

高性能、低成本的微波组件制造技术对复杂昂贵的电子系统的普及应用具有重要意义。目前,微波组件多采用薄膜或微波介质片工艺制造。其调试造手工操作来完成,制造成本较高,生产一致性差。先进的铜厚膜工艺具有微性能好、便于大量生产等特点,是一 高性能、低成本的电路基板制造技术。激光技术与自动测试技术自动控制技术相结合可实现对微波组件的高精度动态闭环自动化测试修调。采用这些先进技术,能提高生产效率。降低微波组件的     

三维微波集成电路的发展

近几年来,三维微波集成电路的研制在各方面均取得了一定的进展,作为新一代体积更小的微波集成电路,必将随着信息时代的发展,在移动通信、卫星直播电视等装置中获得广泛应用。本文综述三维微波集成电路近几年来的发展。     

美国集成电路发展态势及对策研究

本文重点对美国家集成电路的基本情况进行梳理,包括商业模式、发展趋势等,并对保障体系、创新发展思路及措施进行研究;同时,梳理了知识产权保护体系、军民融合发展体系、创新技术战略支撑体系、可信供应系统体系、人才培养及引进体系等,分析美国对我国集成电路的"遏制"态势与政策.基此,对我国集成电路的发展提出相关对策建议.     

考虑导体厚度的微带结构计算方法研究

本文主要研究考虑导体厚度的三维微带结构,使用若干个零厚度导体去模拟厚导体,为了减少计算量和简化计算方法,用复镜象表示格林函数,Ｃｈｅｂｙｓｈｅｖ多项式表示电荷密度,通过伽略金方法把求解方程变为矩阵方程,计算电容系数。本文结果与已知结果比较,发现此法对三维厚导体板结构进行模拟较简单明了,精度足够,占用ＣＰＵ时间也较少。     

微波MEMS移相器的特性分析与实现

从移相器的基本原理出发,分别介绍了开关线型、耦合器型和加载线型三种采用微机械加工技术制备而成的微波MEMS移相器的结构特点和工作原理。在此基础上,设计制备了CPW分布式加载线型MEMS移相器,并进行测试和分析,结果表明MEMS移相器较传统的移相器有微型化、低损耗、低成本、宽带等突出优点。     

砷化镓微波单片集成电路的失效分析

通过封装内部气氛、芯片显微、能谱等分析手段对国内某研究所研制砷化镓微波单片集成电路高温加速寿命试验后的样品进行了失效分析,对其失效机理进行探讨,得出:封装气密性不好、工艺造成的缺陷是引起失效的主要原因,也是造成国内产品质量与可靠性不如国外同类产品的重要原因。     

微波在片测试数据离散剔除算法研究

针对微波在片测试项目多、参数复杂、数据处理灵活性大的特点,开发了工艺控制微波数据处理软件,但该软件存在离散数据剔除难的问题。文章讨论了如何对离散数据进行剔除的几种算法:模拟EXCEL表格画图法、一致性剔除离散算法、累积均方差剔除离散法、拟合正态分布曲线算法,最终选定拟合正态分布曲线算法作为剔除离散方法。将剔除离散数据功能完善到工艺控制微波数据处理软件,将使微波在片测试数据处理最终实现自动化。