利用RELACS辅助技术制作"T"型栅

利用RELACS化学收缩辅助技术制作了i线三层胶结构的"T"型栅。首先利用水溶性的化学收缩试剂RELACS,涂在曝光完成的光刻图形上,然后借由混合烘焙让光刻胶中的光酸分子因受热而产生扩散运动并进入到RELACS试剂内,催化RELACS试剂,让RELACS试剂中的高分子与交链分子产生交链反应,使得光刻胶表面形成新的一层不溶于水的交链层而达到光刻图形收缩的目的。此方法增加了细栅光刻的宽容度,降低了细栅光刻制作的难度,极易将0.5μm的栅条收缩到0.3μm,甚至更小,不但有效地减小了栅长,而且提高了细栅光刻的成品率。RELACS技术可以应用于不同光刻胶类型的"T"型栅制作中。     

0.1μm T型栅PHEMT器件

通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法,并利用复合胶结构,一次电子束曝光制作出具有T型栅的PHEMT器件,并对0.1μm栅长PHEMT器件的整套工艺及器件性能进行了研究．形成了一整套具有新特点的PHEMT器件制作工艺,获得了良好的器件性能(ft=93.97GHz;gm=690mS/mm)．     

用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅

采用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅,一次曝光,分步显影,基本解决了不同胶层间互融的问题.该方法制作效率高,所制作的T型栅形貌好,头脚比例可控,基本满足器件制作要求.     

用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅

采用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅,一次曝光,分步显影,基本解决了不同胶层间互融的问题.该方法制作效率高,所制作的T型栅形貌好,头脚比例可控,基本满足器件制作要求.     

0.1μmT型栅PHEMT器件

通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法 ,并利用复合胶结构 ,一次电子束曝光制作出具有 T型栅的 PHEMT器件 ,并对 0 .1μm栅长 PHEMT器件的整套工艺及器件性能进行了研究 .形成了一整套具有新特点的PHEMT器件制作工艺 ,获得了良好的器件性能 (ft=93.97GHz;gm=6 90 m S/mm ) .     

一种新的T型栅加工技术

研制出的ＰＨＥＭＴ采用一种新的０．１μｍＴ型栅制备方法。将薄膜的纵向可控变为横向可控，应用这一原理，对时间等参量进行控制，获得了０．１～０．３μｍ微细金属栅条，此工艺应用于３ｍｍＰＨＥＭＴ器件研制，器件的直流跨导大于４００ｍＳ／ｍｍ，微波性能在４０ＧＨｚ时，Ｇａｍａｘ达５．６７ｄＢ，特征频率ｆＴ可外推至７４ＧＨｚ，最高振荡频率ｆｍａｘ可达１３０ＧＨｚ。     

1.5μm双层布线Ｎ阱CMOS工艺研究

给出了１．５μｍ双层布线Ｎ阱ＣＭＯＳ工敢研究流程，叙述了研究中一些关键技术。     

一种新的T型栅加工技术

研制出的ＰＨＥＭＴ采用一种新的０．１μｍＴ型栅制备方法，将薄膜纵向可控变为横向可控，应用这一原理，对时间等参量进行控制，获得０．１～０．３μｍ微细金属栅条，此工艺应用于３ｍｍ器件研制，器件的直流跨导大于４００ｍＳ／ｍｍ，微波性能在４０ＧＨｚ时，Ｇｍａｘ达５．６７ｄＢ。特征频率ｆＴ可外推至７４ＧＨｚ，最高振荡频率ｆｍａｘ可达１３０ＧＨｚ。     

一种新的高成品率InP基T型纳米栅制作方法

提出了一种新的 PMMA/ PMGI/ PMMA三层胶复合结构 ,通过一次对准和电子束曝光、多次显影在 In PPHEMT材料上制作出高成品率的 T型纳米栅 .在曝光显影条件变化 2 0 %的情况下 ,In P HEMT成品率达到 80 %以上 ;跨导变化范围在 5 90～ 6 10 m S/ mm,夹断电压为 - 1.0～ - 1.2 V,器件的栅长分布均匀 .这种新的结构工艺步骤少 ,工艺宽容度大 ,重复性好 ,大大提高了纳米栅器件的成品率     

WSi栅耗尽型高电子迁移率晶体管制作

用国产ＭＢＥ调，制掺杂材料研制了具有难熔金属硅化物栅的耗尽型高电子迁移率晶体器件。这种低噪声器件的栅长和栅宽分别为１．２－１．５μｍ和２×１６０μｍ。     

8～12GHz低噪声PHEMT单片集成电路

描述了以ＰＨＥＭＴ为有源器件的８～１２ＧＨｚ宽带低噪声单片电路的设计及制造，获得了满意的结果。其性能为ｆ＝８～１２ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４～１９．５ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４～２．２０ｄＢ；ｆ＝８～１４ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４～１９．９ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４～２．５ｄＢ     

0.5μm AlGaN/GaN HEMT及其应用

报道了采用I线步进光刻实现的76.2 mm SiC衬底0.5μm GaN HEMT.器件正面工艺光刻均采用了I线步进光刻来实现,背面用通孔接地.栅脚介质刻蚀采用一种优化的低损伤RIE刻蚀方法实现了60°左右的侧壁倾斜角,降低了栅脚附近峰值电场强度,提高器件性能和可靠性.研制的GaN HEMT器件fT为15 GHz,fm...     

Characterization of double gate MOSFETs fabricated by a simple method on a recrystallized silicon film

A simple process to fabricate double gate SOI MOSFET is proposed. The new device structure utilizes the bulk diffusion layer as the bottom gate. The active silicon film is formed by recrystallized amorphous silicon film using metal-induced-lateral-crystallization (MILC). While the active silicon film is not truly single crystal, the material and device characteristics show that the film is equivalent to single crystal SOI film with high defect density, like SOI wafers produced in early days. The fabricated double gate MOSFETs are characterized, which demonstrate excellent device characteristics with higher current drive and stronger immunity to short channel effects compared to the single gate devices.     

下一代光刻技术

介绍了下一代光刻技术的演变,重点描述了浸没式光刻技术、极端远紫外光刻技术、纳米压印光刻技术和无掩模光刻技术的基本原理、技术优势、技术难点以及研发,并展望了这几种光刻技术的前景。     

Modeling and estimation of edge direct tunneling current for nanoscale metal gate (Hf/AlNx) symmetric double gate MOSFET

This paper present, the modeling and estimation of edge direct tunneling current of metal gate (Hf/AlN_x) symmetric double gate MOSFET with an intrinsic silicon channel. To model this leakage current, we use the surface potential model obtained from 2D analytical potential model for double gate MOSFET. The surface potential model is used to evaluate the electric field across the insulator layer hence edge direct tunneling current. Further, we have modeled and estimated the edge direct tunneling leakage current for high-k dielectric. In this paper, from our analysis, it is found that dual metal gate (Hf/AlN_x) material offer the optimum leakage currents and improve the performance of the device. This feature of the device can be utilized in low power and high performance circuits and systems.     

双栅MOSFET的研究与发展

具有特殊结构的双栅ＭＯＳＦＥＴ是一种高速度、低功耗ＭＯＳＦＥＴ器件,符合未来集成电路发展的方向。文章介绍了多种双栅ＭＯＳＦＥＴ的结构、优点,以及近年来国内外对双栅ＭＯＳＦＥＴ的研究成果。     

Compact modeling of quantum effects in symmetric double-gate MOSFETs

Quantum effects have been incorporated in the analytic potential model for double-gate MOSFETs. From extensive solutions to the coupled Schrodinger and Poisson equations, threshold voltage shift and inversion layer capacitance are extracted as closed form functions of silicon thickness and inversion charge density. With these modifications, the compact model is shown to reproduce C-V and I-V curves of double-gate MOSFETs consistent with those obtained from those measured from experimental FinFET hardware.     

浸没式光刻向22nm挺进

简述了光学光刻技术在双重图形曝光、高折射率透镜材料及浸没介质、32nm光刻现状及22nm浸没式光刻技术的进展,指出了光学光刻技术的发展趋势及进入22nm技术节点的前景。     

用于磁控溅射膜的一种剥离技术

为了解决磁控溅射膜的剥离问题,该文研制了一种新型的双层胶剥离技术。通过调整双层光刻胶的坚膜时间、坚膜温度和显影时间,制备出好的光刻胶倒梯形形貌,得到磁控溅射膜较好的剥离效果。为薄膜体声波谐振器（FBAR）的研制提供了有意义的指导。