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相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 171 毫秒
1.
烘焙工艺条件对厚胶光刻面形的影响   总被引:6,自引:1,他引:5  
采用厚层正性光刻胶AZ P4620进行光刻实验,考察了在前烘和坚膜阶段不同的工艺参数条件下的光刻胶浮雕面形的变化.实验表明,完全显影后光刻胶的浮雕面形受前烘工艺参数的影响很小,但其显影速率有一定差别;当坚膜烘焙后,不同前烘条件下的浮雕面形差别较大;当前烘条件相同时,坚膜参数的变化对光刻胶的浮雕面形影响较大.由此得出,在前烘阶段应采取较高温度、较短时间的烘焙,而在坚膜阶段应采取较低温度、较长时间的烘焙,这样可提高厚胶光刻面形的质量.  相似文献   

2.
减小光刻中驻波效应的新方法研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
光刻过程中,抗蚀剂内部光敏混合物(PAC)浓度受光场的影响呈驻波分布,导致抗蚀剂显影后的侧壁轮廓成锯齿状。分析了后烘(PEB)对PAC浓度分布的影响,模拟了不同后烘扩散长度下的抗蚀剂显影轮廓,从模拟结果可知利用后烘可明显减小驻波效应,得到平滑的抗蚀剂显影轮廓,提高光刻质量。  相似文献   

3.
建立了抗蚀剂表面曝光量分布与抗蚀剂内部PAC浓度分布之间的关系,通过分析抗蚀剂内部PAC浓度分布特点,发现了抗蚀剂显影过程中的壁垒效应。在此基础上,提出一种新颖的微浮雕面形控制方法——等PAC浓度曲线面形控制技术。该方法克服了抗蚀剂显影模型精度以及显影不稳定性对浮雕面形的影响,使光刻胶上微结构浮雕深度超过100μm,面形均方根误差小于1μm。  相似文献   

4.
光刻胶剖面形貌和关键尺寸(CD)是光刻工艺的关键参数,而实际光刻工艺中受到前层次图形的影响,尤其是后端布线工艺受到前面工序高低台阶影响十分严重。文章基于光学干涉原理及King的胶厚理论模型和光刻胶Swing Curve曲线研究了光刻胶跨越高台阶对成像的影响,分析了造成光刻胶剖面和关键尺寸变化的主要原因。一是台阶处衬底的反射影响了光刻胶剖面形貌;二是高台阶处光刻胶厚度比正常厚度变薄导致光刻曝光条件不适用于高台阶处光刻胶。最后通过优化胶厚及增加底部抗反射层有效解决CD差异和改善光刻胶形貌。  相似文献   

5.
X射线光刻掩模后烘过程的瞬态热分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
X射线光刻掩模是下一代光刻技术(NGL)中的X射线光刻技术的关键技术难点。在电子束直写后的掩模后烘过程中,掩模表面的温度场分布及温升的均匀性是影响掩模关键尺寸(CD)控制的重要因素,如果控制不当,会造成掩模表面的光刻胶烘烤不均匀,使掩模吸收体CD分布变坏。针对电子束直写后X射线光刻掩模的后烘过程建立了热模型,并采用有限元技术进行了瞬态温度场的计算。计算结果表明:采用背面后烘方式,在达到稳态时出现高温区和低温区,最大温差为10.19℃,容易造成光刻胶局部烘烤过度,而采用正面后烘方式,掩模达到稳态的时间短,温度分布均匀,烘烤效果好。  相似文献   

6.
卢伟  黄庆安  李伟华  周再发 《微电子学》2005,35(6):568-571,576
在Ferguson的负性化学放大胶(CAR)后烘反应动力学模型基础上,增加了后烘过程中光致酸扩散模型,通过后烘模型的简化,得到了简化的后烘反应扩散动力学模型。将模拟图形与Ferguson的实验图形进行了比较,结果显示,简化的后烘反应扩散动力学模型比单纯的后烘反应动力学模型更准确,且程序运行占用的电脑资源更少。另外,通过不同曝光时间下的显影过程模拟,清晰地反映了光刻胶显影的过程,其结果与实际相符,对实际光刻工艺有较好的参考意义。  相似文献   

7.
光刻中驻波效应的影响分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
驻波效应是抗蚀剂在曝光过程中的寄生现象。一般认为,驻波效应对薄胶的光刻图形有较大的影响,而对厚胶的光刻图形影响不大。根据DILL曝光模型进行了模拟计算,分析了在曝光过程中抗蚀剂折射率的改变对驻波强度和位置的影响以及驻波效应引起抗蚀剂曝光剂量分布的变化,并结合MACK显影模型分析了当抗蚀剂的厚度改变时,驻波效应对其显影轮廓的影响程度,计算分析得出了一个可以不采用后烘工序的抗蚀剂厚度值。  相似文献   

8.
衍射光学元件制作中的基片涂胶方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
在基片上涂布一层厚度均匀的光刻胶层,是衍射光学元件制作中的一个重要步骤。介绍了目前用于衍射光学元件制作的两种主要涂胶方法———提拉法和旋转法,分析了这两种方法的特点和影响胶层厚度的主要因素,尤其是对其均匀性的影响,并提出了获得均匀胶厚的途径。对于提拉涂胶,选择粘度较高的光刻胶溶液与合适的提拉速度将有助于减小Marangoni流动和Van derWaals力对膜厚均匀性的影响;对于旋转涂胶,可以通过密封基片所在空间,或者通过气流控制器使基片上方空气流动处于层流状态来获得均匀一致的溶剂挥发速率,从而提高胶层的均匀性。  相似文献   

9.
创建一种光刻胶离心式旋涂过程中基于流体力学分析的凸面胶厚分布及胶厚均匀性模型,根据曲面流体运动方程以及凸面基片的面型特征得到了凸面恒速甩胶过程中胶层厚度的分布公式,结合凸面流体层流条件和牛顿流体的质量连续方程推导出胶厚分布与胶液类型、初始胶液粘度和密度、转速、基片几何尺寸以及甩胶时间等参数的关系式,利用光谱椭偏仪和台阶仪所测得的结果对该模型进行了验证,两者有较好的吻合,同时建立了胶厚均匀性与甩胶转速、甩胶时间的关系式,该模型可跟踪、监控和改进预光刻过程中凸面胶层的均匀性,以便改善最后的光刻线条质量。  相似文献   

10.
TFT光刻制程中,光刻胶段差使光胶在同一个光刻平面上,各区域的光刻程度不同,严重影响着光刻图形的质量。文章从光刻胶段差对光刻图形影响的原因进行分析,根据光强在投影光刻机光刻系统中焦点附近与光刻胶内部的变化特点,推导并计算出光刻胶段差区域内光强变化量为零时,光刻系统中光刻平面所应处于的位置,同时结合当前光刻系统焦平面的位置,计算出光刻平面的调整量,并以该调整量对当前光刻平面进行调整。结果表明:对于极限分辨率为2.41μm的投影光刻机,要使厚0.52μm的光刻胶段差内光强变化量为零,光刻平面调整量为9.434 42μm,且对光刻平面调整后10μm后,在DICD(Develop Inspection Critical Dimension)变化量较小的情况下,可显著改善沟道长为2.5μm的GOA(gate drive on array)区域的光刻胶残留。  相似文献   

11.
针对厚层抗蚀剂曝光过程中存在诸非线性因素的影响,更新Dill曝光参数的定义,建立了适合描述厚层抗蚀剂曝光过程的增强Dill模型.光刻过程模拟的准确性与曝光参数的测量精度有很大关系,为此,建立了实时曝光监测实验装置,测量了不同工艺条件、不同厚度抗蚀剂的曝光透过率曲线,并演绎计算出曝光参数随抗蚀剂厚度和工艺条件的变化规律.最后给出了采用增强Dill模型进行曝光过程的模拟和实验结果的分析.  相似文献   

12.
针对厚胶曝光参数随不同光刻胶厚度及工艺条件变化的特点,在原有Dill曝光模型基础上,建立了适合于描述厚胶曝光过程的增强Dill模型,并将统计分析的趋势面法引入到厚胶曝光参数变化规律的研究中,给出了厚胶AZ4562曝光参数随胶厚及工艺条件的变化趋势,为开展厚胶光刻实验研究和曝光过程模拟提供指导性依据。  相似文献   

13.
Optical lithography   总被引:3,自引:0,他引:3  
This is the first in a series of papers describing a theoretical process model for positive photoresist. This model, based upon a set of measurable parameters, can be used to calculate the response of photoresist to exposure and development in terms of image surface profiles. The model and its parameters are useful in many ways, from measuring quantitative differences between different resist materials to establishment of process sensitivities and optimization of the resist process within a manufacturing system. In this paper, the concepts of photoresist modeling are introduced by following the exposure and development of a photoresist film on silicon exposed by a uniform monochromatic light flux. This very simple example provides insight into the complex nature of the photoresist process for reflective substrates. The accompanying paper, "Characterization of Positive Photoresists," gives detail about measurement of the new photoresist parameters. It is supported by "In-Situ Measurement of Dielectric Thickness During Etching or Developing Processes" which discusses automated experimental techniques needed to establish photoresist development rates. These resist parameters provide a complete quantitative specification of the exposure and development properties of the resist. They also allow quantitative comparisons: lot to lot, material to material, and processing condition to processing condition. The fourth paper, "Modeling Projection Printing of Positive Photoresists," applies the process model to one technique of photoresist exposure. This paper contains the detailed mathematics of the model. The model is then used to calculate line-edge profiles For developed resist images.  相似文献   

14.
以AZl500光刻胶为例,将氧气作为工作气体的反应离子束刻蚀工艺用于光刻胶图形的灰化处理,以去除经紫外曝光-显影后光栅中的残余光刻胶。研究结果表明灰化速率有随束流密度呈线性增加的趋势。经过反应离子束刻蚀后,光栅槽底残余光刻胶被去除干净,同时线条的宽度变细,在一定程度上达到修正光刻胶光栅线条占空比的目的。用原子力显微镜检测,无光刻胶的K9基片表面在灰化工艺前后其粗糙度无明显变化。该工艺具有良好的可控性,解决了在厚基片上制作大口径衍射光学元件时残余光刻胶的去除问题。  相似文献   

15.
用于微器件加工的AZ4620厚胶光刻工艺研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
对AE4620厚胶紫外光刻工艺进行了实验研究,探讨了其工艺特性及光刻胶层的刻蚀面形与各种工艺条件的关系,提出了刻蚀高深宽比、最佳浮雕面形所需的工艺条件.通过对光刻工艺过程的研究,可为较好地控制正性光刻胶面形,制作微机械、微光学器件提供了参考依据,对微浮雕结构的深刻蚀具有重要的指导意义.  相似文献   

16.
对一种新型的丙烯酸酯干膜光刻胶(DFP)的曝光及显影特性进行了研究,采用该干胶制作出微沟道结构,进行微流道实验研究。在4英寸(1英寸=2.54cm)硅片上实现了厚度为50μm的干胶完好贴敷,从而解决了干胶在硅衬底上的贴敷问题。利用改变曝光时间设定曝光剂量梯度的方法,研究了干胶的曝光特性。采用不同质量分数的显影液,研究干胶的显影特性,获得了优化的结果。采用干胶系统进行了微流体沟道制作,得到了侧壁陡直的微沟道结构。实验发现,65mJ/cm2及以上的曝光剂量可使厚度为50μm的干膜光刻胶充分曝光并获得形貌效果良好的微结构,质量分数为5%的显影液具有最快的显影速度。  相似文献   

17.
为了均匀显影大幅面激光全息光刻胶板,获得最佳衍射效果,使用自动喷淋显影工艺技术.文章讨论了显影方法及工艺对显影槽深均匀性的影响,包括激光的曝光能量,显影药液的浓度、温度、时间及胶板入液先后时间.通过多种显影方法比较,自动喷淋显影可以克服人工显影操作引起的时间、平稳性误差导致大幅面全息光刻胶母版显影不均匀、光栅槽型、终点控制和重复性差等缺陷,获得最佳显影效果.  相似文献   

18.
Thick photoresist coating for electrode patterning in an anisotropically etched V-groove is investigated for electrically controlled liquid crystal photonic bandgap fibre devices. The photoresist step coverage at the convex corners is compared with and without soft baking after photoresist spin coating. Two-step UV exposure is applied to achieve a complete exposure for the thick photoresist layer at the bottom of the V-groove, and minimise the reduction in resolution and image distortion. The resolution reduction of the different open window width for electrode pattern transfer is also experimentally found.  相似文献   

19.
Dill's model equations for the exposure bleaching of positive photoresists have been solved exactly in a closed form when the bleaching characteristics are nonlinear. As an application, the simultaneous bleaching of a positive photoresist and that of a polysilane contrast-enhancing film (CEF) is solved to determine the photoactive compound (PAC) concentration.  相似文献   

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