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相似文献
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1.
空间用紫外探测及AlGaN探测器的研究进展   总被引:1,自引:3,他引:1  
文中介绍了与空间应用有关的紫外探测。首先,介绍了美、欧等西方国家在空间天文以及行星、卫星探测等方面多年来的紫外应用情况,包括卫星探测器上搭载的紫外有效载荷;然后,评述了目前在空间使用的紫外探测器状况,以及在未来的空间应用中极具发展潜力的AlGaN紫外探测器;最后,对AlGaN紫外焦平面探测器国内外近年来的研究进展进行了阐述。  相似文献   

2.
GaN基紫外探测器及其研究进展   总被引:10,自引:3,他引:10  
宽禁带半导体材料的研究和突破,带动了各种器件的发展和应用。GaN基紫外探测器具有通过调整材料的配比可以调节器件响应的截止波长的优点,可以制备日盲型紫外探测器。对GaN基宽禁带紫外探测器材料体系的研究进展进行了回顾,重点介绍了p型材料的制备、金属半导体接触、材料的蚀刻等。最后,对国内外近期的紫外探测器特别是紫外焦平面器件的研究进展及初步获得的32×32紫外焦平面探测器进行了简单介绍。  相似文献   

3.
基于石墨烯的光电探测器具有响应度高、检测波段范围大和精确度高的特点。综述了石墨烯光电探测器的最新研究进展。针对紫外波段、可见光波段和红外波段三种类型的光电探测器,介绍了典型的基于石墨烯的七种光电探测器。分析了七种光电探测器的基本结构、工作原理和响应度等特性,并进行了对比分析。最后,展望了石墨烯光电探测器的未来发展趋势。  相似文献   

4.
宽禁带半导体日盲紫外探测器研究进展   总被引:4,自引:0,他引:4  
全固态日盲型紫外探测器具有体积小、功耗小和虚警率低等优点,在机载导弹预警方面具有广阔的应用前景。宽禁带半导体是这类探测器的首选材料,通过调节材料组分可以使响应波段落在日盲区。本文着重介绍以导弹预警为目的的宽禁带半导体紫外探测器的研究进展和前沿动态,分析了AlGaN、MgZnO等不同材料在制备和性能方面的优势和不足,并讨论了半导体日盲紫外探测器的发展方向。  相似文献   

5.
随着紫外探测技术的不断发展,氧化物材料在紫外探测领域表现出传统探测器所不具备的优点而成为近年研究的热点,是继红外探测技术之后又一快速发展的军民两用探测技术。然而,氧化物基紫外光电探测器的广泛应用,仍然面临一些问题。本文对国内外紫外探测技术的应用和发展历史进行了概述,并对3种金属氧化物紫外探测材料的晶体结构、性质及其器件研究进展进行了概括和讨论。最后,针对氧化物基紫外探测材料及器件在研究中所面临的问题,进行了分析,并对氧化物基紫外探测技术的发展进行了总结与展望。  相似文献   

6.
紫外光由于具有日盲特点而使其在通信方面有着特殊的的必要性及优越性,紫外光的探测是紫外光通信和其他常用通信方式的主要区别点。介绍了几类现有的应用于日盲紫外光通信系统的日盲紫外探测器,并对其光谱响应,量子效率等特点进行了分析,得出了各类紫外探测器的适用条件,为器件的选取提供一定的参考并进一步探讨了紫外探测器的发展趋势。  相似文献   

7.
新型紫外摄像器件及应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
新型紫外技术是继激光探测技术和红外探测技术之后发展起来的又一新型探测技术。因此,紫外技术及紫外摄像器件的开发研究对于现代国防和人民生活都有着极其重要的意义。本文集中介绍了3种紫外器件的发展水平及应用领域,并着重对SiC、GaN紫外探测器、紫外CCD、紫外摄像机以及紫外数字照像机等紫外器件在国防及其它领域中的应用作了较详细的介绍。  相似文献   

8.
刘万金  胡小燕  喻松林 《激光与红外》2012,42(11):1210-1214
基于宽禁带半导体材料的GaN基紫外探测器由于具有探测波长可调、工艺兼容性好、结构可多型化等优点,已成为近年来的研究热点。介绍了四种不同结构类型的紫外探测器:光导型、肖特基势垒、金属-半导体-金属、p-i-n结,并回顾了GaN基紫外探测器的的研究历程。  相似文献   

9.
王峰  贾镕  刘晓  翟昊  王孙晨  吴云智 《红外与激光工程》2020,49(6):20201011-1-20201011-9
汗潜指纹是犯罪现场最常见的指印类型,具有特征消失快且不易被检测等特点。根据其特点,使用紫外偏振成像探测技术进行目标检测,相比传统强度图像,偏振参量图像可以提高目标对比度,有助于辨别不同背景中的目标。但紫外偏振成像探测技术对角度、波段及客体材料等较为敏感,所以通过设计合理的实验,分析了汗潜指纹紫外偏振反射特性随角度、波段及客体材料的变化特点。结果表明:汗潜指纹在不同角度下表现出规律的偏振特性;在系统提供的四个光谱偏振通道中,近紫外波段相比之下有很好的可重复性和区分性;不同客体材料偏振特性差异变化较大,对比分析样本的紫外偏振反射特性能有效提高潜指纹的探测和识别性能,为汗潜指纹紫外偏振成像探测技术提供依据。  相似文献   

10.
紫外告警技术   总被引:6,自引:2,他引:4  
紫外告警是近20年发展起来的一种导弹告警技术。介绍了紫外告警技术及与其相关技术的发展情况,包括大气对紫外线的传输特性、目标和背景紫外辐射特性、紫外线探测器件和探测技术等研究发展情况,最后还介绍了紫外告警的战术应用。  相似文献   

11.
The AlxGa1-xN/AlyGa1-yN multiple quantum well (MQW) structure for deep ultraviolet emission has been grown on sapphire by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD).High resolution X-ray diffraction (HRXRD), atomic force microscopy (AFM), and cath-odoluminescence (CL) are used to characterize the structural and optical properties of MQWs, respectively.Clear step flows can be observed in the AFM image indicating a two-dimensional growth model.There are many cracks on the surface of the MQW structure because of the high tensile stress.HRXRD shows multiple satellite peaks to the 2rid order.The HRXRD simulation shows that the MQW period is about 11.5 nm.The emission peak of AlxGa1-xN/AlyGa1-yN MQWs is about 295 nm in the deep ultraviolet region from the CL spectra.  相似文献   

12.
Two kinds of continuous-wave GaN-based ultraviolet laser diodes (LDs) operated at room temperature and with different emission wavelengths are demonstrated.The LDs epitaxial layers are grown on GaN substrate by metalorganic chemical vapor deposition,with a 10×600 μm2 ridge waveguide structure.The electrical and optical characteristics of the ultraviolet LDs are investigated under direct-current injection at room temperature. The stimulated emission peak wavelength of first LD is 392.9 nm,the threshold current density and voltage is 1.5 kA/cm2 and 5.0 V,respectively.The output light power is 80 mW under the 4.0 kA/cm2 injection current density. The stimulated emission peak wavelength of second LD is 381.9 nm,the threshold current density the voltage is 2.8 kA/cm2 and 5.5 V,respectively.The output light power is 14 mW under a 4.0 kA/cm2 injection current density.  相似文献   

13.
采用深紫外光致发光技术测量AlxGa1-xN半导体异质外延膜的禁带宽度,结合Material Studio软件中的CASTEP模块模拟计算AlxGa1-xN异质外延膜材料的弯曲因子,测定了AlxGa1-xN外延膜样品中的Al元素物质的量分数。结果表明,发射波长为224.3nm的HeAg激光器能够激发AlxGa1-xN半导体材料产生发光现象。CASTEP软件模拟计算得到AlxGa1-xN的弯曲因子为1.01462±0.06772eV,认为其弯曲因子在1.0eV附近,由此可以理论计算得到具有Al组分梯度的一系列AlxGa1-xN外延膜样品中的Al元素物质的量分数。  相似文献   

14.
设计并制备出短波长p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器,响应波段为225~255 nm,峰值波长为246nm.材料为在蓝宝石衬底上生长的背照式p-i-n型异质结结构,n型窗口层的AlxGa1-xN中的Al组分为71%,非故意掺杂吸收层中的Al组分为52%.零偏压下测得的暗电流为27 pA,光电流为2.7nA,峰值...  相似文献   

15.
采用剥离技术,实现了GaN基紫外探测器件与硅读出电路的倒焊对接,对提高GaN基紫外图像传感器的电学特性起到了重要的作用.介绍了剥离技术的原理,实验结果分析及应用.  相似文献   

16.
CdS紫外探测器的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
针对制导等应用领域对紫外探测器的需求,介绍了一种CdS半导体紫外探测器研制过程及取得的进展,叙述了器件的工作原理和制作工艺,并针对器件的响应率及量子效率等性能进行了测试,测试结果表明,该器件在探测波长410 nm的光线时,量子效率最高达到了44.5%。  相似文献   

17.
王忆锋  唐利斌 《红外》2009,30(8):1-8
Ⅲ-Ⅴ族GaN基材料以其在紫外光子探测器、发光二极管、高温及大功率电子器件等方面的应用潜能而被广为研究.其中,低阻欧姆接触是提高GaN基器件光电性能的关键.金属/GaN界面上较大的欧姆接触电阻一直是影响器件性能及可靠性的一个问题.对于各种应用来说, GaN的欧姆接触需要得到改进.通过对相关文献的归纳分析,本文主要介绍了近年来在改进n-GaN工艺,提高欧姆接触性能等方面的研究进展.  相似文献   

18.
对掺杂GaN的湿法刻蚀研究进行了总结,回顾了不同的湿法刻蚀技术,包括传统的酸碱化学刻蚀和电化学刻蚀。从掺杂GaN的生长过程、表面化学组分和光电性质出发,深入地分析了湿法刻蚀的特性,对比了不同刻蚀方法的原理和效果。考虑到p-GaN的表面氧化层比较厚,接触电阻较大,能带向下弯曲不能进行光增强湿法刻蚀,重点阐述了p-GaN的传统湿法刻蚀和n-GaN的紫外光增强湿法刻蚀技术。与传统化学刻蚀相比,光增强湿法刻蚀具有更为广阔的前景。结合GaN基半导体器件的制作,对湿法刻蚀的主要应用进行了较为详细的归纳。目前,湿法刻蚀和干法刻蚀可以有效结合。将来湿法刻蚀有希望代替干法刻蚀。  相似文献   

19.
GaN基紫外光探测器研究进展   总被引:5,自引:2,他引:3  
介绍了不同类型的GaN基半导体光电探测器的结构和性能,回顾了其发展历史,并且综述了GaN基紫外光电探测器的研究新进展.  相似文献   

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