玻封二极管失效模式及其分析

具有低损耗、高耐热性、高耐湿性和耐压寿命长、难燃、小型、轻量化的电视机配套用玻璃钝化封装硅二极管(以下简称玻封二极管),是国内近几年发展起来的更新换代产品,也是国内可靠度最先达到W级的半导体功率器件.随着电子技术迅速发展,玻封二极管的使用将渐趋普遍,并在一些场合起着关键作用.     

光敏二极管的可靠性和寿命分析

在大量实验的基础上,通过理论分析和数据处理,采用威布尔概率纸图估法,评估了为某种设备的特殊需要生产的一种新型硅光电探测器的可靠性和寿命。在正常工作条件(300K)时,器件的平均寿命为1.04×108h;在40℃时,器件的失效率等级达到国家标准规定6级。详细分析了光敏二极管的失效模式及失效机理,提出了提高光敏二极管的可靠性和寿命的措施。     

几种电子元器件长期储存的失效模式和失效机理

通过对几种元器件长期储存期间的失效进行分析,探讨了这几种元器件的失效模式及其失效机理。     

二极管应用失效研究

针对二极管在整流电路中应用时的失效问题,通过I-V曲线测试、 X射线透视检查、制样镜检、机械开封、电子显微镜观察与能谱分析等手段开展失效分析,确定失效是由于二极管的芯片焊接工艺缺陷导致,并提出了该缺陷的识别方法。     

TVS短路失效机理分析

常用电路保护器件的主要失效模式为短路,瞬变电压抑制器(TVS)亦不例外.TVS一旦发生短路失效,释放出的高能量常常会将保护的电子设备损坏,这是TVS生产厂家和使用方都想极力减少或避免的情况.通过对TVS筛选和使用短路失效样品进行解剖观察获得其失效部位的微观形貌特征.结合器件结构、材料、制造工艺、工作原理、筛选或使用时所受的应力等,采用理论分析和试验证明等方法分析导致TVS器件短路失效的原因.分析结果表明引发TVS短路失效的内在质量因素包括粘结界面空洞、台面缺陷、表面强耗尽层或强积累层、芯片裂纹和杂质扩散不均匀等,使用因素包括过电应力、高温和长时间使用耗损等.     

瞬变电压抑制器失效模式和失效机理研究

由于目前对TVS自身可靠性的研究较少,提出了对TVS产品的可靠性研究.这项研究得到国内TVS生产厂家的支持,对该厂6个型号TVS筛选进行了跟踪.根据筛选失效数据,对温度循环、箝位冲击、高温反偏和功率老炼等TVS失效比例较大的筛选项目的失效品,经过电参数测试、解剖、显微观察,确定失效模式、分析失效机理.结果表明,TVS主要失效模式有短路、开路、反向漏电流大和异常击穿,且高击穿电压TVS更易发生失效.     

基于“失效模式-失效机理-分析模型”的电子产品可靠性分析应用

电子产品可靠性分析、评价的重点在于确定其高风险环节。基于充分考量失效机理的分析目的,采用了"元器件-失效模式-失效机理-影响因素"相关联的分析方法 ,通过相关物理模型和一个电子产品分析案例,实现了利用这一方式确定高风险环节和分析可靠性的全过程,得到了这一方法比采用FMEA等失效模式分析更为实际、准确的结论。     

K波段耿氏二极管高次谐波振荡器的开发

据《信学技报》(日)2009年109(109)期报道,日本佐贺大学研究了耿氏二极管高次谐波振荡器的低噪声技术。新开发的振荡器由slot line谐振器、耿氏二极管和微带线构成。通过平面电路设计使电路简易化和小型化,振荡器由原来的圆形改变为方形。4只耿管在偏压9 V、偏流230 mA测试时,高次谐波18.75     

高性能U波段砷化镓体效应二极管

介绍了一种新型的高性能毫米波砷化镓体效应二极管,通过对材料、参数、工艺的优化与设计,较好地解决了高工作频率与高输出功率之间的矛盾,实现了器件性能的提升与突破。在U波段,最大连续波输出功率达180mW,最高转换效率约5%。     

基于耿氏效应的太赫兹器件的研究进展

介绍基于耿氏效应的器件在太赫兹领域的研究,详细地阐述耿氏二级管的原理、工艺流程、关键技术的解决和耿氏二极管频率和功率的提高等.重点介绍耿氏二极管的封装工艺和耿氏二极管腔体的具体结构.系统论述通过制备腔体需要的关键尺寸,如腔体内部尺寸、波导型号,从而提取基波与谐波,并提出其提高频率和功率的途径.     

毫米波脉冲体效应二极管

报导了脉冲输出大于1W的8mm体效应二极管，给出了器件结构和参数设计及其电参数研究。器件最佳性能为36．5GHz下，脉冲输出功率1．5W。用于8mm脉冲锁相放大器中，获得了增益13dB，输出大于0．66W，带宽大于1．5GHz的结果。     

2cm波段耿管电调振荡器

报道了采用部分集成方案研制的Ｋｕ波段变容管调谐耿管振荡器（ＶＣＯ）及两管功率合成器。研制的两只中心频率为１６和１７ＧＨＺ的电调振荡器，其中１６ＧＨＺ的电调带宽大于６４０ＭＨｚ，输出功率大于１１０ｍＷ，功率起伏小于０．６ｄＢ；而１７ＧＨｚ的电调带宽大于２３０ＭＨｚ，输出功率大于１１０ｍＷ，功率起伏小于０．９ｄＢ。两管功率合成器的振荡频率为１７．３ＧＨｚ，输出功率达２５０ｍＷ．     

微波器件的可靠性及失效分析

微波器件的可靠性直接影响整机系统的可靠性,失效分析工作可以显著提高微波器件的质量与可靠性,从而提高整机系统的质量与可靠性。同时,失效分析工作会带来很高的经济效益,对元器件的生产方和使用方都具有重要意义。微波器件失效的主要原因有两个方面:固有缺陷和使用不当,固有缺陷由生产方引起,使用不当主要由用户引起。微波器件可以分为微波分立器件、微波单片电路以及微波组件三大类,文章分别对三类微波器件的主要失效模式和失效机理做了较为全面的分析和概括。     

微波炉加电启动瞬间高压二极管失效的机理分析

笔者以实际工作经验为基础结合专业技术理论知识。阐述了微波炉用高压二极管加电启动瞬间高失效的机理，可作为微波炉和高压二极管设计的重要参考。     

特种电真空器件在环境应力下的失效分析

介绍了特种电真空器件在振动应力下所引发的故障模式，分析了可能导致故障的原因，并对产品设计中如何提高耐环境应力问题提出了相关的方法和建议。     

凸台式PIN二极管失效分析和键合工艺改进

PIN二极管在封装、试验过程中分别出现大量的失效,分析发现,这种PIN二极管考虑到频率和寄生电容的要求,采用一种"凸台"式结构,即结区和阳极在一个突出的凸台上,凸台直径仅有28μm。这种凸台边缘只要受到一个较小的机械应力的作用,就会造成凸台崩损、结被破坏,导致结漏电或在小电压下击穿。因此凸台对键合时产生的机械应力很敏感,普通的芯片键合技术也会对凸台造成机械损伤,严重影响器件良品率和长期可靠性。通过对劈刀的改进和重新选择键合丝以及精心调试的键合参数,有效防止了键合对二极管造成的损伤,提高了二极管的成品率和可靠性。     

一KLY发射机失效机理分析及可靠性提高

主要介绍了一宽带速调管发射机的组成,以及其核心器件——速调管的基本结构、工作原理及其应用特征;作为雷达发射机的末级功率放大器的速调管(KLY),常具有功率大、增益高、供电电路复杂、电压高、应用环境恶劣等特点;因此速调管发射机的失效机理分析及其可靠性设计工作一直是设计师们比较关注的问题。文中重点分析了该发射机的监控及保护电路、固态调制器、电源系统(灯丝电源、磁场电源、钛泵电源)和水冷冷却系统等的失效机理;同时通过实际应用的具体分析,最后较详细地论述了提高发射机可靠性的设计方法。